全是问题，别做了。直接切Vbus mos吧

搜交叉调整率，你这个不止是交叉调整率的问题，主反馈也有问题

kal9623287 发表于 2024-12-25 15:41 辅助绕组主要是退磁   是不是可以这样理解，辅助绕组产生反向磁场，就是为了消除主绕组中残留 ...

主要和辅助绕组与主绕组的饶线工艺有关。

maychang 发表于 2024-12-25 10:17 绕组N3和二极管D3位置对调，目的是减少绕组N3和N1之间分布电容的影响。 如果N3和N1是双线并绕（线径不 ...

赞同，谢谢老师指点

看LLC和QI吧

kal9623287 发表于 2024-12-24 11:21 感谢老师回复，有个问题，就是像这种绕组与二极管串联，如何保证端口特性一致？ 比如，选择合适的二极 ...

先不考虑磁耦合，假设A、B两个节点之间通过一个单绕组电感和二极管串联连接，只要不改变二极管的极性，电感和二极管互换位置，AB端口的特性当然不会变。就主题帖而言，这个辅助绕组主要是退磁作用，保证和主绕组的耦合，同名端不变，和二极管互换也不会有影响

maychang 发表于 2024-12-11 21:22 此电路中变压器有三个绕组N1、N2和N3，其中N3是为消除开关管关断瞬间集电极受到的电压尖峰而设。但此电路中 ...

绕组和二极管串联关系，互不互换位置应该不影响整体端口特性

EEYY8 发表于 2024-12-18 17:03 这个电路量产几十台了，但就是每次测试时都有各种各样的问题，板子性能相当不稳定

外包吗

共地buck：主开关-（续流管//（电感-电容）） 浮地buck：（续流管//（电容-电感））-主开关 -：串联；//：并联； 串联电路元件互换位置不改变其整体端口特性，换个马甲就不认识了吗

这个问题之前问过吧，图都一样。光耦和431供电从C15取

光耦从C15取电，431反馈从C17取电

调Duty，谐振是正常现象

秦朝a 发表于 2024-8-22 09:07 如果是100-240Vac输入，那么Vcmax是100*1.414=141V吧，Vcmin=141-纹波电压28V=113V吧，那么Toff怎么计算 ...

不在一个频道上，请调频到FM3.1415926MHz… 主题贴聊输出电容，这里又扯输入电容。 如果要计算保持时间，保持时间就是Toff，Pout算上效率转换为Pin

直接狠狠心，搭恒流源负载吧，速度自己控制，别玩5R，50R了，

仅加速20V以下放电速度，5R，20V才4A电流，随便一个高压MOS都能胜任

EEProbie 发表于 2024-8-16 10:12 我按照您的回复去查找资料，倒是找到一个相关的，如下图   我简单理解为，原样机增益刚好正弦波 ...

是的。截图这里是把拓扑增益与谐振增益合并了，或者Vin直接减半了。理解原理，公式怎么写都行

秦朝a 发表于 2024-8-20 20:09 可以详细讲解一下不，我只会 先确定MOS的电压，确定Vor，再来推，感觉不是很准的样子

输出电容和Vor有啥关系。满载原边导通期间输出电流由输出电容提供，副边绕组没电流，时间计作Toff，时间乘以输出功率Pout，即为此期间输出电容需要提供的能量。此能量为1/2*Cout*（Vcmax^2-Vcmin^2），化简一下即为上面的公式。

秦朝a 发表于 2024-8-19 09:47 我看板子上的1脚latch是接的光耦三极管的集电极，发射极接地；那么当发生过压的时候，latch拉低，芯片关 ...

1，HV可以串电阻，串电阻降低内部高压启动MOS发热，不过没必要。 2，悬空就是高电平，内部有上拉恒流源。 规格书好好看看，不想看，内部框图至少要看，你想要了解的都在框图上

能量处理相关的电容计算都离不开储能公式，和拓扑没关系：Pout*Toff=C*Vc-avg*dVc

EEProbie 发表于 2024-8-13 11:25 昨天查资料，有看到一种解释是说当匝比刚好满足变换器的最小增益为1/2n时，变换器将全范围工作在想要的区 ...

LLC的增益可以简单理解为三部分增益的乘积：拓扑架构增益*变压器增益（匝比）*LC谐振增益；半桥的增益是1/2（全桥是1），你的诉求是让LC工作在谐振点，那么谐振的增益就是1，这两部分的增益都被固定，能调的就只有变压器增益了。反过来，变压器匝比不变即变压器增益不变，半桥拓扑架构不变即拓扑增益不变，闭环控制，无论你如何调LC参数，LC的增益都是一样的，从你的波形上看是小于谐振点的。