elec32156

  • 2024-06-23
  • 点评了资料: 高速电路设计实践 (王剑宇编著)

  • 2024-06-17
  • 回复了主题帖: 电感的磁通链和互感问题

    maychang 发表于 2024-6-17 17:54 抱歉,今天没有找到那幅图。 只好自己画一幅,另外为说明问题,还需要几幅辅助图,这可一时画不完,请 ... 好的老师,太感谢了,这个不急。

  • 2024-06-16
  • 回复了主题帖: 电感的磁通链和互感问题

    maychang 发表于 2024-6-16 20:24 【电感的磁通链和互感问题】 ψ(磁链)和 φ(磁通)之间的关系确实比较不容易理解。这里两个量 ... 好的,maychang 老师,谢谢!

  • 发表了主题帖: 电感的磁通链和互感问题

    本帖最后由 elec32156 于 2024-6-16 19:30 编辑 关于电感磁通量、磁通链,以及电感之间的互感,有些问题没想明白,一些书上好像也没讲明白。   1)  对于一个螺线管电感线圈来讲,电感的总磁通链ψ = N*φ,其中φ是磁通量,N是线圈的匝数  疑问:磁通量φ实际上就是穿过某个面的磁力线匝数,对于电感来讲这个面就是螺线管的横截面,那上式中的φ是指 :① 单匝线圈电流所产生的穿过横截面的磁力线匝数(即:不考虑各匝产生的磁力线的链合)?② 还是指N匝线圈所产生的链合之后的穿过横截面的磁力线总匝数(即:考虑各匝产生的磁力线链合)? 我一直理解的是①,即单匝线圈独立看来,其产生的磁通量为φ,假设每匝线圈产生的φ都是一样的,那N匝交叠之后就是N*φ,这样电感的磁通链就是穿过电感横截面的交链之后的磁力线总匝数。 下图是出自《工程电磁场原理》,图中框出部分我理解就是上述①的意思,图中的阴影部分就是电感线圈的横截面,单个线圈产生的穿过横截面的磁力线为φ,N匝线圈产生磁力线为N*φ。     2) 下面这张图出自赵修科的《开关电源中磁性元器件》第2.2.2章节,没怎么看懂。 根据书中描述,图中的N1和N2分别代表两个线圈的匝数,线圈N1产生的磁通为φ11,φ11穿过N2的部分定义为φ12,同理线圈N2产生的磁通为φ22,φ22穿过N1的部分定义为φ21. 假设站在上述①的角度去理解,看这个图就有些混乱,如下: a.  假设φ11是单匝线圈所产生的磁通,那么线圈N1产生的磁通链就是ψ11=N1*φ11,也就是说穿过N1的总磁力线条数是ψ11,那么穿过N2的磁力线应该表示为ψ12,而非φ12. b.  书中提到,“φ11产生的磁通φ12与线圈N2交链,磁链为ψ12=N2*φ12”,这也没看懂,既然穿过N2线圈的磁力线总匝数是φ12,乘以匝数N2代表什么意思呢?这样得到的磁力线总数实际翻了N2倍,而实际并不是这样。这是我所不能理解的。   关于上述问题的理解,不知道是不是哪个地方钻了牛角尖,麻烦各位老师指点一下,感谢!        

  • 2024-05-26
  • 发表了主题帖: 电解电容的ESR应该如何确定?

    一般的铝电解电容的ESR都比较大,在电源去耦应用时,由ESR引起的纹波也相对更大。但是查看厂家的数据手册,都没有给出铝电解电容的ESR曲线,仅仅给了某个频率和某个温度下的ESR,如下图所示,且不同温度、不同频率下的ESR相差非常大。那我们在计算电源纹波时,具体应该如何取值呢?    

  • 2024-05-01
  • 点评了资料: 无源滤波器设计软件.zip

  • 2024-04-15
  • 回复了主题帖: 为何电感的感值会与频率有关?实际应用时如何确定感值?

    maychang 发表于 2024-4-15 21:00 【实际应用时,不管是真实电感也好还是寄生电感也好,是否应该根据电路的实际频率来确定真实的感值?】 ... 明白,感谢老师答疑。

  • 回复了主题帖: 为何电感的感值会与频率有关?实际应用时如何确定感值?

    maychang 发表于 2024-4-15 14:30 你这两幅图,不是电感量随频率的变化,而是电容器的寄生电感量随频率的变化。 是的,但是实际电感也会随频率变化而变化,比如下面这张图,只是变化趋势有所不同。  

  • 发表了主题帖: 为何电感的感值会与频率有关?实际应用时如何确定感值?

    本帖最后由 elec32156 于 2024-4-15 20:50 编辑 根据如下电感的定义式,   其中,L是电感量,μ0是真空磁导率,μr是相对磁导率,N是线圈匝数,Ae是磁芯横截面积,Le是磁路长度。 可见电感与频率并无直接关系,但实际上电感感值与频率却是有关系的,如下图所示,是10uF电容(左图为MLCC,右图为钽)的ESL频率关系曲线,可以看到在3Mhz以前,ESL随频率增大而明显增大,而在更高频率处趋于稳定。所以这里有两个问题:   ①   为何L在低频时随频率增大而增大?   ②   实际应用时,不管是真实电感也好还是寄生电感也好,是否应该根据电路的实际频率来确定真实的感值?以便于进行相关的计算和仿真。 谢谢了!  

  • 2024-03-22
  • 回复了主题帖: 如何判断这个MOS开启过程是否处于安全工作区?

    伟林电源 发表于 2024-3-22 11:09 第二:通过SOA来判断------------------------------ 通过你提供的开关波形参数得出:VDS=8V,ID=35A.ton ... 非常感谢! 这里有个地方想确认下,图中你画出的红色线对应的是Vds是0.8V,我仿真波形的Vds是8V,是MOS管缓打开时的波形,ton ≈ 17ms,我重新描了一下图,您看对吗?     是不是可以这样理解: 根据波形对应的开启时间ton,在SOA中大致描图而得到该脉冲时间对应的功率大小:P(pulse),例如图中17ms等功率线对应16W功率,然后计算其能量为W1 = P(pulse)*ton = 16W *17ms = 272mJ.  然后通过与三楼方式计算出的Eon进行对比,若Eon < W1 则认为工作在安全区域,这样理解对吗?

  • 回复了主题帖: 如何判断这个MOS开启过程是否处于安全工作区?

    顶起来! @maychang 老师,能请您指导下吗?帮忙给个大致的思考方向,感谢!

  • 2024-03-20
  • 发表了主题帖: 如何判断这个MOS开启过程是否处于安全工作区?

    我们将mos管作为缓启动应用时,其开关损耗会比较大,有没有什么方法,能快速的评估出MOS管能否承受这样的开关损耗呢? 比如下方这个NMOS管开启的波形。红色是流过MOS管的电流。是要对比安全工作区SOA的图来看吧,但不知道应该怎么看或者计算。 请老师指点一下,感谢。      

  • 2024-03-14
  • 回复了主题帖: MOS管的温度特性问题

    maychang 发表于 2024-3-14 21:27 这三条曲线,是不同温度下MOS管漏极电流与门极-源极电压之间关系的曲线。曲线的斜率,表示漏极电流与门极 ... 那零温度系数点是指什么呢?看了一些资料上是这么说的,那可能是我理解有误。 但看这个曲线,确实是交叉点前面呈现Id的正温度特性,因为相同Vgs条件下温度越高,电流越大,交叉点后面刚好相反。

  • 回复了主题帖: MOS管的温度特性问题

    maychang 发表于 2024-3-14 20:09 【可以看到大约在3.7V左右是零温度系数点】 没看出来3.7V是零温度系数点。 不是几条不同温度的曲线交叉点吗?老师 ,是我理解错了吗

  • 发表了主题帖: MOS管的温度特性问题

    本帖最后由 elec32156 于 2024-3-14 19:59 编辑 如图所示,是某功率MOSFET在不同温度条件下的特性曲线,该MOS管的Vgs(th)最大值为3V,可以看到大约在3.7V左右是零温度系数点。仿真看该MOS管的米勒平台电压大概是3.3V;我想问的问题是: 1)  为何MOS管会随Vgs的不同而呈现两种温度特性? 2)  由于Vgs在3.7V之前的Id是正温度系数,假设Vgs处于该区域(例如为3.5V),是否容易造成热失控?单从热管理角度考虑,是否有必要将Vgs电压调整到负温度系数对应区域?比如4V以上,这样温度越高电流越小,反过来限制了温度的上升(即内部自平衡)。        

  • 2024-03-11
  • 回复了主题帖: MOS管关断参数的疑问:Id电流为何相差这么大?

    tagetage 发表于 2024-3-10 21:18 V (BR)DSS 是漏极和源极之间的击穿电压。电气特性以最小值规定,并为电路操作的安全性对实际值施加了余量 ... 你的意思是我首贴图中的V(BR)DSS为30V,这个30V是已经加了余量的?在250uA的反向击穿电流条件下,厂家实际测试的电压数据都在30V以上?

  • 2024-03-10
  • 回复了主题帖: MOS管关断参数的疑问:Id电流为何相差这么大?

    OAIOIC 发表于 2024-3-9 20:39 一张电压电流图可以 解释楼主的疑问,通常厂家制造的MOS管,对应规格书上的数据都有余量,如图所示。目 ... 没看到图呢?

  • 回复了主题帖: MOS管关断参数的疑问:Id电流为何相差这么大?

    本帖最后由 elec32156 于 2024-3-10 19:35 编辑 tagetage 发表于 2024-3-8 16:52 测试条件为零栅压、Id = 250uA时,测得的最小V(BR)DSS是30V。 但同样是零栅压,Vds施加30V电压测得的最 ... ①  关于Vbr(DSS),我是这样理解的:厂家将漏极电流达到250uA时定义为击穿,例如测试500颗样品,全部让漏电流达到250uA,发现最小的Vds电压是40V(例如500个里面,只有一颗是40V,其余全是高于40V),那么取这个最小值40V作为击穿电压,就能保证用户在Vds电压低于40V时,漏电流低于250uA(不发生击穿)。   ②  关于IDSS,我是这样理解的:还是取500颗样品,全部加40V的Vds(常温),发现最大漏电流是1uA(例如500个里面,只测得一颗是1uA,其余全是低于1uA),那么取最大值1uA作为截止电流,就能保证用户在Vds电压低于40V时,漏电流低于1uA(截止)。 如果以上理解没错,那①和②的结论就是矛盾的。

  • 回复了主题帖: 米勒电容杂谈

    maychang 发表于 2024-3-10 10:36 这是你贴出来的仿真曲线图。 图中绿色线是Vgs,标注“米勒平台”处Vgs并不是水平的, ... 理解了,谢谢老师!占用您休息时间了。

  • 2024-03-09
  • 回复了主题帖: 米勒电容杂谈

    maychang 发表于 2024-3-9 15:14 你好像一直纠结于米勒平台上Vgs变化变化很小。须知米勒平台上Vgs需要变化多大范围,还与漏极负载有关,因 ... 老师,我纠结的问题还是我提的第一个问题(16楼和20楼),就是说,处于饱和区的米勒平台,看到的情况是这样的:Vgs不变(或变化很小),Id变化很大。而在MOS管的输出特性曲线上,看到的情况是这样的:Vgs不变,Id也不变。 我就想问的是,同样是在饱和区,同样Vgs不变(或变化很小),看到的Id却是两种完全不同的状态,这是为什么? 在输出特性曲线上,饱和区,不存在米勒平台这样的Vgs不变而Id却有较大变化的情形。 是不是我问的这个问题本身就有问题?

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