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必须报名参加！！！

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用示波器测一下mos的GS波形，应该就能找到问题所在。

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elec32156 发表于 2024-3-22 13:12 非常感谢！ 这里有个地方想确认下，图中你画出的红色线对应的是Vds是0.8V，我仿真波形的Vds是8V，是MO ... 理解是对的。（当然，适当的留有余量也是必要的）

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第二：通过SOA来判断------------------------------ 通过你提供的开关波形参数得出：VDS=8V,ID=35A.ton+toff=17ms（大约值）；   从上图所示，绿色区域为安全区域；

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你这个问题要分两个方面来考虑， 第一：开通损耗Eon，可以参考下面的方法进行计算得出----------------------------   图2. MOSFET结电容等效模型 开通过程中，驱动电压维持高电平Vdr，可以等效为一个直流恒压源。Vdr经过驱动电阻Rg，元件内部Rg(in)，给输入电容Ciss充电。 从t0时刻开始，   其中，   Vgs(t)上升到t1时刻，达到阈值电压Vgs(th)，MOSFET开始导通，电流开始增加。t2时刻，Vgs(t)上升到米勒平台Vplat，电流达到设置电流Id。其中，米勒平台可以根据以下公式计算出来：   电流上升的时间为t2-t1：     米勒平台区域（t2-t3时刻），Vgs(t)维持在稳定，Vds开始下降，直至达到正常导通电压Vds(on)。此阶段，主要由电容Crss决定。     由于Crss随着Vds变化，直接取一点的Crss进行计算可能会有较大偏差，此时也可以使用Qgd计算电压下降时间。     因此，开通损耗Eon为：  

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Nubility 发表于 2024-2-27 09:17 4个MOS够吗   够了

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复杂不算复杂了，就是费mos，成本问题