回复了主题帖： 领导已经摆明是故意针对我了，天天找茬，怎么办

有些事看别人做确实简单，比如理想之城的苏筱遇到财务，夏明借卖包子开车堵路那段，人家解决起来确实有才，就不知道能不能在自己身上实现。你的困境，打工牛马都有，大家同病相连。

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qwqwqw2088 发表于 2025-2-18 09:02 LC 商城确实没有 谢谢版主，我那个截图也是奥伦的，这个OR-3H4的是交流输入，我看看参数。

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qwqwqw2088 发表于 2025-2-17 21:07 光耦是交流AC输入的，   版主这个截图是国产的吗？在LC商城上没找到国产AC，4通道的。

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tagetage 发表于 2025-2-18 07:52 你网络搜索关键字  “交流输入双向光耦”  。。就会出现很多型号。。 谢谢，确实可以查到部分了，一直是在LC商城上找，结果AC输入的选项打了后，没有国产的。

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qwqwqw2088 发表于 2025-2-17 17:16 可控硅光耦 集成这么通道的不知道哪家有 单个的MOC3063S-TA1 双向可控硅 有过零电路 1通道 &nbs ... 不是版主说的这个，要的是晶体管输出光耦。 多通道的很好找，不好找的是光耦发光侧的发光二极管是反并联，正反都能点亮。

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各位朋友，有见过国产厂家做光耦的有这种输入侧是正反都可以的光耦吗？麻烦给推荐个原厂家。  

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dukedz 发表于 2025-2-11 17:18 晶体与晶振的区别好比巧克力和朱古力的区别 哪里没有写误差了，ppm 就是误差单位啊 这个朱古力和巧克力差异，与晶振与晶体差异没对比性。 两个都是加工过的，晶振是在晶体上进一步加工。朱古力不是巧克力的再加工。

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dukedz 发表于 2025-2-11 17:18 晶体与晶振的区别好比巧克力和朱古力的区别 哪里没有写误差了，ppm 就是误差单位啊 朱古力是什么东西我等下搜下。 ppm是温度范围内的频率漂移，并不是特定温度、电压、负载下，晶振输出的频率与标称频率差。

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maychang 发表于 2025-2-11 16:14 【为什么规格书中不写频率误差】 有一种误差的记法，是规定绝对误差小于标称值最后一位的一半。首帖标注 ... 哦，这么个绝对误差定义以前没见过，如果真是这样，只差500Hz的话，示波器上读出的25MHz就说的过去了，谢谢版主了。

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各位朋友好，咨询下晶体与晶振区别。 如下图，晶振参数 如下图晶体参数 问题1：通常的直觉认为晶振的频率准确，为什么规格书中不写频率误差，这个不可能没误差吧。 问题2：通常的直觉认为晶振的稳定性好，可从规格书上看，似乎晶体的温度稳定性更高了。 问题3：对于计算结果特别依赖单片机的外部频率源的应用（比如说测试几十MHz的频率大小，准不准依赖于单片机定时器准确度）外部频率源怎么选？优缺点？    

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感谢这个平台，祝大家新年芯气象，步步高升。

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硬件萌新小白 发表于 2024-12-29 18:16 实际上是可以看到的，通过增大栅极电阻Rg和栅极电容Cgs可以增大米勒平台的持续时间，但是我仿真不出来Vsg不 ... 你这个蓝色的是VGS波形，米勒平台平的那段可以看到，但是平并不是真正的水平，所以呢VGS电压还是上升的，所以Id也要变大，这是我现在的理解。 另外，我折腾了那么久还有几个仿真并没能指导的，一个是不同性质的负载，电压电流波形应该完全不一样。特别是感性负载，这个是MOS作为开关器件用的最多的。

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maychang 发表于 2024-12-20 17:10 【问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。】 对的，正是如此。 感谢版主耐心解答，谢谢。

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maychang 发表于 2024-12-16 20:54 【(Vgs-Vth)*Gfs*RL吗？】 电压放大倍数，肯定与输入信号的大小无关，所以必与 (Vgs-Vth) 无关。 估计问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。 如下图，我尝试了R,L，C(并电阻)仿出来的结果大都这样。 前面那个MOS管软开电路，MOS管的漏极电压有一段平的，应该是后级电路启动，导致电流从这部分流过，漏极上的电容电压没能抬升。    

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maychang 发表于 2024-12-13 20:35 【如上二图，当Vgs不变时，我认为漏极电压Vd大小也是不变得，电压不该斜斜的下降，是不是也该平的？】 ... 版主，为了验证这个，我用电阻负载测试，即使放到5Ω，10A的电流，也看不到漏极电压下降的平台。 另外，你说的这个电压放大倍数相当大，接近万倍是怎么得来的？(Vgs-Vth)*Gfs*RL吗？

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maychang 发表于 2024-12-13 17:51 【原因在哪还没想明白】 从另外一个角度看，C2的存在减小了漏极负载阻抗，负载阻抗减小将使该管电压放 ... 版主，话说MOS管我就知道   Id=Gfs*（Vgs-Vth）,所以，当Vgs电压不变时，Id也应该不变，用仿真没得到这个结果。 如上二图，当Vgs不变时，我认为漏极电压Vd大小也是不变得，电压不该斜斜的下降，是不是也该平的？ 另外，阻性负载与感性负载不应该有相同的仿真波形的，这个示波器识别出来太差了？  

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maychang 发表于 2024-12-13 14:47 7楼Gen_X所说C2太大了，是米勒平台不明显的原因之一。C2使得MOS管漏极电压变化滞后于门极电压变化，于是 ... 确如版主所说，去掉电容后确实能找到米勒平台，原因在哪还没想明白  

回复了主题帖： AD画板，把焊盘搞绿了

这个焊盘还有这个选项？我一直以为只有过孔才可以。