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easthewj 发表于 2024-10-20 12:24 仿真电路   LC谐振了

回复了主题帖： PMOS作为PWM开关供电，输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长，求解决

0.4R出现负压，应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看，或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较大

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楼主的意思是测电流？最大10A  

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意图用Q6/Q7驱动MOSFET，但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏？另外MOSFET漏极接到哪里？把图给全才能分析

回复了主题帖： 请问 当某个引脚的开漏输出使能被由1改为0时，这种输出状态和推挽输出有什么区别

开漏输出0时，和推挽输出没区别，输出都是低电平，接近地

回复了主题帖： 这两部分电路什么作用？没看懂。第二个是电池回路保护电路？控制B-和GND的导通或者...

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:42 此时实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力减弱，这个和Q4怎么关联起来的  没看懂  朱工 其实这里我也不是太确定，如果有ACC的具体值，会容易分析

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:39 右侧为空心地（三个竖杠）和实心地（实心三角形），还有一个B-  感觉有点蒙圈了 为啥要用两个MOS控 ... 这个我也不太理解，可能要结合电路其它部分分析，主要看这两个地咋用

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:29 稳压管Z2确保TR1栅源电压不超过12V，起到保护TR1的作用-----是Z2和R5构成了TR1的过压保护电路吗  R5为Z2提供了电流通路，实际起保护作用的是Z2。

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:26 Q2导通时BAT+的电压为：0.6+24+0.6/R3*R4=25V--------0.6/R3*R4这个是R4的分压吗？没看懂 0.6/R3*R4=0.6/33*20=0.36V，是R4上的压降。 Z1的压降=24V，R3的压降=0.6V，总压降=0.36+24+0.6=24.96V

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:14 朱工  感觉你参与了这个项目一样  NB了  我加下你VX 给你发个红包  那么耐心的指导& ... davidzhu210

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:02 R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压-----ACC高电平的时候  TR1不应该是截止的吗  TR1为PMOS。Q4导通->TR1栅极电压降低->VGS大约为-7.5V, TR1导通（PMOS）

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左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压->TR1导通->BAT+通过TR1为右侧负载提供12V电压。此时稳压管Z1截止，Q2/Q3基极无偏压，因而截止。 过压情况下，BAT+升高->Z1导通->有电流经过R3,Z1,R4。如果R3两端压降超过0.6V，Q2导通->TR1栅极电压升高->TR1导通能力降低甚至截止，保护了负载。此时Q3也导通->Q1基极获得偏压导通->VGS变低（原为高阻态），可作为过载信号发送到单片机。 Q2导通时BAT+的电压为：0.6+24+0.6/R3*R4=25V。也就是说，当BAT+超过25V时，启动过压保护。 稳压管Z2确保TR1栅源电压不超过12V，起到保护TR1的作用。 ------------------------------------------------ 右侧为空心地（三个竖杠）和实心地（实心三角形）的定义。 正常工作时： 1）VGS悬空->TR3栅极获得偏压导通->空心地与实心地同电位； 2）VGS悬空->TR4栅极获得偏压导通->BAT-与实心地同电位(电流方向为源极到漏极) BAT+过压时，VGS变为低电平->TR3截止，将空心地与实心地断开；同时TR4也截止，但是因为TR4存在体二极管，电流仍可通过实心地回流到BAT-。此时实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力减弱，进一步促进TR1关闭。

加入了学习《自动控制理论实验 北京理工大学》，观看 二阶系统仿真实验

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panda_X 发表于 2024-6-21 12:59 能看一下原理图嘛，不是很理解三极管怎么接  

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fxyc87 发表于 2024-4-7 11:50 把MOS管换成三极管会好一些吧？ 考虑过，但若用NPN管，发射极会浮地，尽量避免。采用PNP，它的电流好像也会与U1A反相输入端发生正反馈。

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本帖最后由 davidzhu210 于 2024-4-7 11:14 编辑 笔者最近设计了一个1~50mA恒流源电路，负载RL为0~30欧姆，且位于低端（接地）。 采用TL431作为参考源，通过调节R2，在RL上可得到1~50mA恒流。 仿真时，发现运放U1A输出端（1脚）有振荡，频率大约几兆Hz, 振幅越几十毫伏。虽然这个振荡幅度对Q1的IDS不会造成很大影响，但最好消除。 初步分析，振荡起因是TL431的K极的电压变化对Q1的IDS起到正反馈作用。 请各位大师，帮忙看看如何改进？  

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应该不行。控制继电器1、2脚的电流方向来控制双刀双掷开关的位置。但1、2脚接三极管集电极，电流只能一个方向。