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高速应用,开启过程需要加速,
这一家台湾省的MOS厂商懂的不多。他们甚至不知道mos可以双向导通。
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做出来再说,俄罗斯芯片产业归零了,现在什么芯片都做不了。
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就是一个跟随器,同时R1和C1还组成了一个低通滤波器。你们可以做个仿真就完了,输入方波,保留基波,滤除3次谐波,
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低通滤波器,R1C1组成低通滤波器
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检测电流用的,PGND和GND间有个取样电阻,两级同相比例放大。
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前馈电容,加强动态响应,可加可不加,有时候加了反而误事。
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有没有可能是49V的双向TVS,不知道是不是
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问题不处在这里
问题出在复位电容量太小,把复位电容电容量加大,就可以解决了
由于复位电容量不足,复位时间不足。
相同电容量的电容封装越小,实测电容量越小。
100NF的电容,0805封装实测还有60nf,0402封装就只有30nf了。
上电电容量即衰减。
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5V升24,为什么要用这垃圾?MT3608不是更好用
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一般是并RC,RC串联 就是电阻电容串联,再并电机上
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sint27 发表于 2023-2-13 08:14
一千块的东西手工焊还带飞线。。。
俄罗斯一百多万的设备也是到处飞线
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双向限幅,一般用肖特基
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穿心电容
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研发转移到了印度,这种垃圾芯片不会真有人用吧,国产替代做的很好了
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XL6019用做SEPIC,用铁硅铝磁环,耦合电感
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你自己不会弄,在这里瞎科普
不要随便重新覆铜 ,然后可以给填充设置网络就完了
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L1=(12*(42-12))/(42*300000*1.2)
里面的1.2要改成0.2到0.4
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算的没问题,用42V降到12V 3A,电感量范围为:
47.61905
23.80952
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死区靠IR2110来做
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现在基本上都是全国产芯片方案了哈哈,