wangerxian 发表于 2023-3-15 15:47 看了一下F446的参考手册，应该是可以扩两个SDRAM，因为预留了地址，那就看接线要怎么接了，没看到网上有 ...

做中位机

wangerxian 发表于 2023-3-15 14:10 你看地址线最多能支持多少，如果最高支持26位，那就扩不了了。因为刚好64MB

单片机为STM32F446，FMC的地址最高26位，数据是16位，我目前地址用到了13位，数据线16位全用了。如果我再加同样的一片SDRAM，地址线用剩下的13位，算不算扩容？

qinyunti 发表于 2023-3-15 11:48 看封装，SDRAM控制器本身是支持32位数据总线宽度的，有引脚就可以两个16位的扩展为32位的，可以去看下手册 ...

但CPU只有16位数据线，地址线26位，可以串或并吗

感谢管理，已收到

tagetage 发表于 2021-11-7 16:16 还有D23是肖特基二极管啊？ 不用肖特基，用普通的整流二极管就行，电流电压大点的就好。看你负载电流有多大 ...

https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1185269-1-1.html 这是板子的现象，和这个结合看可能会更好点。

tagetage 发表于 2021-11-7 16:08 这个电路还是有问题的。 1，酒精阀是电感线圈吧，是感性负载，MOS管应该选100V以上的，你的才40V ，容易 ...

这个问题是偶发的，本身这个电路极少出问题，当然你的方案也对，工作也没问题。但就这个电路来讲，击穿的话D极不是应该先击穿吗？这个现象诡异就诡异在整个MOS管从表面看，只有G极明显的烧坏（烧焦，引脚都断了），DS应该是击穿了，但因为MOS管换了已无从考证。但是这个能量从哪里来才是我想知道的点。

laohuaishu 发表于 2021-11-4 19:42 大概是稳压管坏了

稳压管正常的

se7ens 发表于 2021-11-25 15:39 莫非是低级错误 DS搞反了 求锤

不是，用了一段时间后出现的