没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？

maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。

看最新 回复。

SRAM001 发表于 2018-7-12 14:43 好的

CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串接   给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没有串接10R的电阻 直接接12v测试的  瞬间mos管 源级漏级击穿  现在接上串接10R电阻 到目前还没有烧管 不知道啥原因  mos管是工作在低频上的 对10R的串接电阻应该没影响啊。

maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。

:)好的

maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长，而L2或者L3直流电阻又相当小，导致电流过大而烧毁管子。

我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极电流过大 瞬间？

maychang 发表于 2018-7-12 10:19 “ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电” 看不出电容如何“分开充电，串联放电”。

通过 单片机控制  P   串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管  进行释放电压

maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长，而L2或者L3直流电阻又相当小，导致电流过大而烧毁管子。

时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放不掉 mos G级和s之间的电压

maychang 发表于 2018-7-12 10:18 看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容，但数值仅100pF，不知道那是什么东西。

画图的时候  只是个图标 数值并没有改  

现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

恩  这些都看了 晶振震荡正常 小数据量通讯没问题的 大数据量就出现通讯中断的情况 这是使用外部晶振 使用内部晶振就不会出先这个问题 所以不存在不起振 或者外部电路不正常的情况  想不明白啊

huaiqiao 发表于 2018-4-24 17:27 一般的单片机来说，都是内部时钟，也支持外部时钟。最常见的都是先倍频后分频。利用外部时钟和内部时钟， ...

2400 也够用了  使用内部晶振做2400 就没有问题 当使用外部38.4分频得到2400的时候就出现小数据能通信大数据通信不正常的情况  单片机直接和电脑串口通信 用内部晶振做系统时钟和外部波特率没有问题 用内部晶振做系统时钟 用外部晶振做波特率2400 就出问题  用大频率外部晶振做系统时钟 和波特率2400也没有问题 现在就卡在这了

chunyang 发表于 2018-1-2 15:38 电路设计错误，不能用射随器，可以直接驱动开启电压满足驱动电压的N沟道MOS管，这样功耗也是最低的。

mos管驱动电压12v  用单片机驱动0-5  中间加三极管  待机时通过三极管导通释放掉分压电阻上的12v 这样的电流有点大 大约在2.89ma  无论怎么改都必须有一个三极管处于导通状态  用npn发射机得接地 用pnp也是一个道理 除非用小电压的mos管驱动大电压的mos管

killingspring 发表于 2018-1-2 12:40 不可行，R1和R2形成分压，会抬高Q2发射极电压，Q2基极电压是CPU提供的，我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...

:victory:谢谢   你看会不会造成这种现象  在电路第一次输入信号时  三级发射级电压为0  集极输入正向信号导通电阻分压 发射级 12v左右 mos导通  三极管截止 发射级电压经由电阻消耗将至为0 ，继电器会动作吗？

killingspring 发表于 2018-1-2 12:40 不可行，R1和R2形成分压，会抬高Q2发射极电压，Q2基极电压是CPU提供的，我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...

:victory:谢谢

学习

maychang 发表于 2017-12-25 14:48 “大功率mos管做开关控制继电器大家帮看看这样可以吗？” 原理上没有什么问题。 R3不必由千欧这么小吧？ ...

哦  哦  收到