maychang 发表于 2025-4-1 16:18 测量电源内阻，原则上是改变负载，使电源输出电流变化ΔI，电源输出电压必定有变化，记为ΔU。 ...

“测量电源内阻，原则上是改变负载，使电源输出电流变化ΔI，电源输出电压必定有变化，记为ΔU” 如果针对多引脚的MCU芯片呢，比如下图（出自之前那贴），左边的输入信号，就来自MCU的一个引脚 但是之前我们也说到过，输入充电回路是要考虑信号源的内阻的 那么此时的内阻是指MCU整个的内阻吗？  

maychang 发表于 2025-4-1 15:04 【如果用到10nF是容值太大了？】 C1电容量大不大，要看信号源内阻多少，PWM频率多少。 前面说到输 ...

谢谢老师指导 另外，在电容的容值计算上，您多次说到“需要考虑信号源的内阻” 比如本帖的7楼中说到 以及之前的用0/3.3V 翻转的方波 来进行喂狗防止MCU宕机的帖子中 都提到了信号源内阻 这个内阻如何才能测量得到？ 记得上一个帖子中，输入信号是从MCU的一个引脚发出，您说这个信号源内阻很小

maychang 发表于 2025-4-1 14:14 【电阻R5的作用是什么？】 R5联接到运放的同相输入端，考虑到信号源的内阻，这样是正反馈，很可能成为施 ...

“施密特电路不大可能成为信号采集调理电路” 首贴左边的输入信号 CON_PWM_IN  表示的是电机转动的一个位置反馈 经过首贴这个所谓的 信号采集调理电路后 输出的PWM_IN直接送至MCU的引脚。 

maychang 发表于 2025-4-1 14:18 此电路同相输入端有个1nF电容C2接地，该电容和电阻R4构成一阶低通滤波电路。很奇怪的电路。 C1的容量达 ...

“C1的容量达到10nF，更是不可思议。” C1电容在此是滤除PWM波的高频干扰吧，如果用到10nF是容值太大了？

maychang 发表于 2025-3-25 15:22 【要考虑比如说 哪个电容和哪个电阻组成的时间常数吗？】 有些电阻图中是不显示的。 一个是信号源 ...

“一个是信号源内阻（从C1左端向左看过去的内阻），另一个是Q1基极-发射极电阻（这是个非线性电阻）” 这儿说到的信号源内阻 也是很难求的吧 根据首贴的图 电容C1左边连接的是一个电源管理芯片（PMIC或者SBC）的一个引脚 这求信号源内阻器件手册上没看到 要用实测去求内阻吗？ 另外Q1的基极发射极的动态电阻 只知道用斜率法去算 但是电阻值一直变化的话 对放电放电的时间也影响很大吧

maychang 发表于 2025-3-25 20:08 为实现10楼功能，首帖图1和图2都可以。但两个电路都可以再简化一些，就是我在6楼所说的电路。这需要画幅 ...

谢谢老师如此细心、耐心地指点 

maychang 发表于 2025-3-25 15:28 你的信号源内阻估计是比较小的，很可能是某数字芯片的输出。如果是这样，那么经C1C2D1D2的倍压整流后，可 ...

这里还要请教 您说“在倍压整流后如果可以输出较大电流（比如0.1mA），若R1电阻值取得小一些，以及Q1的集电极电阻小一些，后续的两个反相器（此处您原话是运放）可以去掉” 【1】在您首贴时，说过原电路的集电极电阻取值太大，是不是因为集电极负载电阻取值过大，如果Q1、C3、或者反相器U1A的输入端稍微1有一点漏电流 则会立马拉低Q1的集电极电位？ 【2】R1取值小一些的用意呢？  

maychang 发表于 2025-3-25 15:22 【要考虑比如说 哪个电容和哪个电阻组成的时间常数吗？】 有些电阻图中是不显示的。 一个是信号源 ...

谢谢老师指导 这些确实没想到

maychang 发表于 2025-3-25 13:23 【两者有什么不一样？】 图2是集电极开路输出，如果没有从Q2集电极到地接一个电阻当做负载的话，是不能 ...

这里多问一个问题 拿图中首贴里的图1为例 正常情况测得左边输入信号LH的波形  频率为500Hz  方波 幅值为0/3.3V 那么选取电容C1、C2和电阻R1数值大小应该怎么算 自己的分析是： 在输入LH的高电平来到时 通过C1和D1给C2充电，此时C2可以被充电一部分电压，且C1此时为左+右- 此时方波输入的低电平到来 C1左边即为接地，则C1正极通过二极管D2的右边回到C1的负极，给C1放电，保证下个输入周期可以继续充电 如果要计算C1 C2 R1的数值 要考虑比如说 哪个电容和哪个电阻组成的时间常数吗？

maychang 发表于 2024-12-9 09:54 【两个橙色方框中的漏电流是什么意思，既然都明确了输入引脚的高低电平逻辑，为什么是漏电流？】 输入引 ...

谢 老师指导

Gen_X 发表于 2024-11-29 09:45 原理是相同的，转子位置和专用测速齿的原理是相同的，转子是较好的导磁材料

谢谢指导

Gen_X 发表于 2024-11-29 09:20 霍尔传感器就是用来检测转子的相位或转速。 霍尔传感器的原理就不分析了，你只知道当传感器有磁场接近和 ...

图中有齿轮样子的地方 是电机的转子？ 汽车电机多为同步电机 无论是表贴式还是磁阻式或者内嵌式 转子没有长这个样的 只有定子才有图示那样的槽、齿 这里还是不明白 请赐教 谢

maychang 发表于 2024-11-27 14:45 【为什么不是用R2上的电压（电阻R1和R2对输入电压分压）减去0.7V，再除以R1？】 R2上的电压，就是Vbe ...

谢谢老师指导

maychang 发表于 2024-11-26 19:06 【通过电阻R1和电阻R2后，输入信号（open_OUT）形成的基极电流约为5V/（1k+10k）=0.45mA】 此计算不对。 ...

"此计算不对。实际基极电流大约是(5-0.7）/1000=0.0043(A)，即约4.3mA。" 想起来这儿还有个问题 首贴计算Q1的基极电流时，为什么不是用R2上的电压（电阻R1和R2对输入电压分压）减去0.7V，再除以R1？ （电流到达R1电阻右端后，有两条路，一条是从R2到GND；一条是通过Q1的Vbe到GND，会有分流）

maychang 发表于 2024-11-27 10:51 【难道继电器初级线圈就当做限流电阻用了？】 正是。 三极管关断瞬间，通过稳压管的电流与关断前流 ...

谢谢老师指导

maychang 发表于 2024-11-26 19:14 【如图中两个直流放大倍数和集电极电压的关系图 怎么看？用哪一个？】 哪个也不用。 双极型三极管即 ...

“这两幅曲线图，一个是VCE为1V，一个是VCE为5V。你的电路，管子VCE不可能为5V，比1V也要小不少。实际可能是0.2~0.3V。” 首贴中VCE的饱和压降在0.2-0.3V这个好理解 但是会有饱和压降在5V的三极管吗？

maychang 发表于 2024-11-27 08:07 首帖图中使用了稳压管ZD1，其效果与在继电器绕组两端反并联二极管大致相同，均可避免三极管关断时集电极 ...

“首帖图中使用了稳压管ZD1，其效果与在继电器绕组两端反并联二极管大致相同，均可避免三极管关断时集电极电压过高而击穿。” 追问一个，稳压二极管不是应该和限流电阻一起串联使用吗？首贴的图里没有看到稳压管ZD1有和限流电阻一起使用，难道继电器初级线圈就当做限流电阻用了？

maychang 发表于 2024-11-14 15:39 【磁场线不应该是N极发出，S极收回吗？】 在磁铁外部，是。 【图中是不是标反了磁极性？】 是。

谢

tagetage 发表于 2024-11-8 17:59 Configurable options for robust BOD • Two threshold levels (2.7 V and 3.0 V) for BOD on VDDD ...

谢谢指导 BOD和LVD有什么区别？都是针对输入电压过低的监测

zhoupxa 发表于 2024-11-5 21:10 芯片内部参考电压应该是用带隙电压源实现的，其值多为1.2V左右，远低于芯片额定电源电压，这部分电路可以 ...

“在芯片电源电压达到欠压值或掉电值时能够保持稳定” 在掉电的时候，都可以保证参考电压值都稳定？