绝对没用错，用过很多该片子了，我看105K4的手册上关于OPEN DRAIN这块写的是X，并不是真正的开漏，但是我加上上拉电阻确实是搞定了，难道是105K4的一个BUG?

                                 楼上的，这个写法是正确的，编译器不会报错。 bill.gates 的dos可不是国家支持的。 市场很大，但系统集成的路会把人搞死的。

                                 版主： 我觉得自己使能了，只是不知道正确与否，请指教！

                                 价格不非？要多少钱阿？

c语言有带提高

WINCE 系统如果存放数据,都是自下定义的

                                 这年头... 有了中文还是必须得看英文的，不然搞不好就被误导了。 有个中文译本至少看起来还是快很多的，用的时候再中英对照一下。

                                 因为今天我遇到了同样的问题，果然有这样的情况发生。唉

                                 6楼说得太形而上学了. CISC和RISC各有所长. 岂能以此定论MCU的好坏? CISC虽然有的指令周期长一点, 但是其功能RISC需要好几个周期才能实现. 还要就是, 尽管AVR,C8051,甚至包括msp430反强调其单周期, 但是这些MCU处理源和目的都是寄存器的情况是单周期, 在其他寻址的时候, 都是多周期. 宣传的单周期有忽悠人之嫌疑

                                 测试的时候，我全部更改为Delay(2000); void    Delay(uint16 times) {          while(times--); } 此延时在数据手册里面是7uS，我在更改CPU时钟是倒没有再更改延值，统一采用Delay(2000);时间应该是足够长的，这个时间应该不会影响AD转换结果吧？

用鼠标的时候就ShowCursor(true)，不用的时候就ShowCursor(false)

                                 1）可以，请看PM0042 - STM32F10xxx Flash programming 2）是的，同样看PM0042 3）数据手册中有具体参数，你可以比较一下。

MDD层的CPipeBase::IssueTransfer()把虚拟地址保存到一个STRANSFER结构体中了，我都是从这个结构体内取的虚拟地址。打印了虚拟地址，两个线程是一样的。 没加volatile。

CE6内存管理方式变了，允许的进程数多了，每个进程可用的虚拟地址也多了 驱动运行到内核态了

                                 ADC3与ADC1基本相同，只有微小差别： 1）没有接温度传感器和内部参照电压 2）没有双ADC模式 3）引出引脚不同 4）转换的触发源 5）中断向量 参考手册在相应的部分都做了说明。 ------------------------- 如果愿意，你可以把你的基本情况包括联系办法通过email(mcu.china@st.com)发给我，我让我们市场部的同事跟你联系并介绍代理商。

GSM模块 加 单片机

深奥啊

学习学习，谢谢

引用 1 楼 kyzf 的回复: 友情帮顶下。

谢楼上……期待解决方案出现……

0->7->D 或 U