卢文生带的学生 呵呵  那年4个小车全部一等奖

以前用工具，现在用编译器直接生成 我也有一个 只有6KB 比LZ的还小 http://www.cinzy.com  有兴趣的朋友可以去看看

好多种办法 51上16M晶振 ALE输出就是8M stc12系列 单周期指令 够用了吧 非51系列就多了  但avr pic 不建议使用（好多都是工作在4M效率就比51高） 要想简单用个8M有源晶振最简单

智林测控的板子

你指的是 ccs picc吗?

看不到全图啊 ms 电源电路

我个ＢＨ500论坛里有

沙发　楼主辛苦了

多谢楼主分享

zlg的 :)

带推挽输出的单片机可以直接用一个3级管,不带可以试试上拉驱动效果 还有考虑一下+5V和+18V的的正级作为公共线接在一起 可采用隔离控制,一个光偶+一只三极管 [ 本帖最后由 xinzai 于 2008-6-16 10:40 编辑 ]

称赞一下

用C,做好能混合编程

等待状态发生器控制寄存器（WSGR） 说明：0=总读为0;R=可读;W=可写;破折号后的值为WSGR的复位值。 第15～12位：保留位,总是为0。 第11～9位：ISWS-I/O空间待状态位,决定用于片外I/O空间的读/写待状态数（0～7）. 第8～6位：DSWS-数据空间等待状态位,决定用于片外数据空间的读/写等待状态数。 第5～3位：PSUWS-高端程序空等待状态位,决定用于片外高端程序空间的读/写等待状态数。 第2～0位：PSLWS-低端程序空间等待状态位,决定用于片外低端程序空间的读/写等待状态数。 在具体应用中,程序员可根据实际用到的片外资源灵活调整WSGR相关位的值。 为实现TMS320F206与慢速外部逻辑和存储器的接口,等待状态是十分必要的。当CPU对慢速存储器或端口进行读写时,通过增加等待状态,可延长CPU等待外部存储器或外部I/O端口的时间以便更好地响应。为此,CPU为每个待状态提供了1个额外的周期。为避免总线冲突,所有向外部地址的写操作均需要至少2个周期。 在程序的调试过程中,我们常用设置断点的方法判断局部功能模块能否实现。若发现程序在尚未到达断点时就随机地停止运行,或仿真窗口出现“Time out waiting for device”红色告警字样的,可优先考虑调整待状态发生器控制寄存器（WSGR）的设置。 许多初学者在学习例程时发现其中的WSGR值均设为0000h(零等待状态),就误以为在任何情况下都可行,这是很不可取的。笔者在初次调试大型程序时,曾因为这个问题耗时多日后来试着将WSGR值由0000h改为0002h就顺利解决了（将片外低端程序空间的读/写等状态数设为2）。 [ 本帖最后由 xinzai 于 2008-6-12 14:40 编辑 ]

好多U转串线通信稳定性还不如CH341好用呢

时序间的延时调不好容易不出结果,建议把延时程序以宏形式定义出来,方便更改调试

大家试试调试高波特率,最大可到921600,但是根据主板的通信质量会有所下降,大家把txd和rxd端接用921600波特率通信,连续发送10个0x55把收到的个数发上来

原帖由 skywalkzf 于 2008-6-3 14:16 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=100420&ptid=59528][/url] 还是可以，不过还需要更新，目前我的回车就输入不进去。

Ctrl+Enter可以输入回车

回车输入的是两个字符 \r\n

楼主在哪里制的板子呀，200多６块挺便宜的