gnd问题      

工具很好用, 对于选择电感有个参考

信息确认，感谢

不错, 学习学习

本帖最后由 有缘于你 于 2014-8-5 20:28 编辑

maylove 发表于 2014-8-4 08:54 是学习前100名，你是不是在100名之外呢，有网友IC爬虫说不用邮寄，把他的那份送给你吧

哦哦, 我在前20个之中, 没事的,  我说说而已, 不用寄给我了

貌似我应该也是光盘获奖者, 怎么没有我呢, 没有就算了吧

信息正确， 得了个TI金刚狼LaunchPad免费体验券

spacexplorer 发表于 2014-7-17 22:09 那有一种可能，就是我们出厂的时候烧错程序了，你可以偿试一下编译linux内核以及模块就可以编译出g_file_st ...

好的,谢谢

spacexplorer 发表于 2014-7-17 13:37 这个g_file_storage.ko是我原来文件系统里吗？这是个ko是2.6.21的版本，与当前的内核版本不匹配，如果是新 ...

我用的是板子本来的程序,自己还没烧写过文件系统...自己只用sd卡写裸机程序

看看,学习下

很不错, 终于不用更新pl2303硬件了

学习下      

学习了,谢谢

试试能用么

学习下        

不错,学习了         

FRAM 是TI MSP430系列才有的吧, 还没见过别的MCU带有FRAM的, 希望FRAM能够快速的普及, 造福全世界.

MSP430FR5969 又是MSP430系列的一大进步 :)

本帖最后由 有缘于你 于 2014-6-19 18:37 编辑 从“MSP430FR59xx LaunchaPad系列培训(一) — FRAM技术介绍”学习到(1)  FRAM对比与SRAM，EEPROM，FLASH，在写入速度，平均功耗和写入次数具有很大的优势。(2)  FRAM非常适合对低功耗，数据读写速度要求高的场合。(3)  另外，FRAM 具有SRAM，EEPROM，FLASH所不具备的统一存储区，可以根据需要动态地分割数据区和代码区，这使得FRAM的产品具有将变得库存管理和更低的产品成本。(4)  FRAM在写速度方面能以FLASH一半的功耗和100倍的速度，而且在写之前无需擦除操作，这使得FRAM的MCU无需等待，允许在写操作过程中中断。(5)  FRAM的写入次数可以达到100万亿，远远地高于EEPROM和FLASH。(6)  MSP430FR5969 带有超低功耗统一存储区的FRAM，写入次数几乎无限制，功耗超低，另外具有15个通道的比较器，迟滞电压，参考电压，差分SAR ADC，内置FRAM安全机制，灵活的AES256硬件加密等，在电表，消费电子，能量采集和功耗受限制的场合有广阔的应用前景。 从“MSP430FR59xx LaunchaPad系列培训(二) — 架构和外设”学习到(1)  MSP430FR5969 MCU 延续了MSP430F5XX系列MCU 的优势，采用正交架构，直接20位的地址总线能够对1MB的存储区无需分页直接存取。(2)  MSP430FR5969 的活跃模式功耗只有100uA/MHz，停机模式能达到0.02uA，另外能够快速地从低功耗模式唤醒。(3)  MSP430FR5969 的低功耗模式相对于F2，F5，FR57 系列有很大的提升。(4)  MSP430FR5969 的电源工作范围具有宽的动态范围: 1.8V~3.6V，内核电压低至1.2V。(5)  MSP430FR5969 具有内部的电容缓冲，无需像别的系列一样外部电容缓冲。(6)  MSP430FR5969 有5个独立的时钟源，具有失效检测，默认DCO为1MHz。(7)  MSP430FR5969 的FRAM的读写类似于RAM操作，读写频率为

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