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qwqwqw2088 发表于 2015-11-24 09:52 LDO人家就叫低压差,本身是线性控制,对输入的变化有一定的抑制能力,通常随纹波的频率变高而变弱,配合合 ...
dontium 发表于 2015-11-24 10:27 不用打折。 关键是你看到的指标理解为在所在条件下的结果。实际上,看看它的测试条件就知道了。
dontium 发表于 2015-9-2 20:48 1、首先要理解MOS是干什么的。 2、理解了(1),就知道了2。 3、要看CHR_LDO的输出类型。如果象OC、OD型 ...
qwqwqw2088 发表于 2015-9-2 08:20 RSENSE是过流电阻有称采样电阻一样意思,直接测量此电阻两端电压可判断总电流大小
qwqwqw2088 发表于 2015-9-1 14:23 因贴出的是部分电路只能猜测,RSENSE是过流电阻,ISENSE是检测过流保护的,VDRV应,VHR_LDO该是过压保护 ...
chy826 发表于 2015-9-1 12:52 那个VDRV是单片机出来的,实在不行你按照你的办法改试试看看,去掉保护会出现什么问题
chy826 发表于 2015-9-1 11:09 主要还是保护作用,按照你去掉方案,不是一直工作吗那个Q502
qwqwqw2088 发表于 2015-9-1 10:36 楼主的几个问题,取决于Q502的功用,按楼主叙说,是充电方案,该芯片该是一颗充电保护IC mos管在这里是高 ...
chunyang 发表于 2015-7-23 16:54 这可未必,别死搬硬套。
chunyang 发表于 2015-7-22 22:11 何处“不符合理论要求”?
chunyang 发表于 2015-7-22 20:15 充电曲线是充电器设计的结果,MTK这么设计自有其理由,你应该去问MTK。不同厂家、不同充电电路会有不同,这 ...
okhxyyo 发表于 2015-5-29 22:58 是啊,看别人的板子觉得人家的布局很整齐,而且走线很顺还很好看。我的差距好大~
惠美丽
吴世勋
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