采用7楼的方法，不论是FLASH还是EEPROM，都是非常有效的。软件设置“写使能”标记，虽然软件冗余，但可以排除绝大多数的错误写，包括程序跑非引起的异常写。 有一点我不完全同意7楼：如果程序有多出写操作的程序，不用子程序把写操作的程序精简，跑飞后错写的概率同样会增加。我写的子程序流程是：     “写使能标记”是否正确，错误则返回；     正常写操作；     取消“写使能标记”；     返回。 注意： 1、“写使能标记”尽量不要使用“1位”数据，可以使用字节来做标记，标记是一个特定的数据值，不要使用位排列有规律的数据，如0x00、0xFF、0x55、0xAA等。 2、尽量在程序中不同的地方(不要在中断中)增加“取消‘写使能标记’”的指令，这样可以保证跑飞后也很难有写操作的条件。 提醒一点：检查低压复位电路是否满足电池的特性和要求？电池多少V可以复位？MCU低到多少V还可以工作？