你用什么来测量的？万用表？建议用示波器来检查每个引脚的波形。其次，确定该芯片是从TI正规代理商买的。之前有不少从市场抓货出现很多质量的问题。

你的意思是空载不稳定吗？本来24V输出变成42?看你的描述，电源本身设计就有问题，一个好的电源，空载满载都是可以稳压的，测试关键点波形进一步分析。

在整流后加一高压的小电容有一定帮助

那倒不是，只要大于芯片的UVLO电压就可以

PFM是器件根据负载电流决定的，如果负载很小，为了提高效率，芯片检测到流过开关管的电流变小，就会进入PFM模式，测试，芯片会变频，当然很多时候为了进一步提高效率，不光变频，还会跳频（芯片有某些脉冲周期不工作）。当然，你提到的开通时间固定是其中一种。可以参考TI的TPS62XX系列，该系列绝大部分都有PFM功能。而对于你所说的不起振，跟PFM是没有关系的，具体还要分析一下才能定位。

如果需要高效率，就要选择Rds_On小的Mos，当然，Mos的反射电容（米勒电容）也很重要，其对开关损耗其很大的作用。且选择的时候需要注意的就是Mosfet的耐压，且要考虑一定的裕量，如对与反激，由漏感造成的尖峰有时候会很高。这跟变压器设计有关系。

你的意思是输入12V，输出85V吗？ 当然可以，按照一般变压器的设计方法去设计就可以了。之前还做过输入5V，输出200V的反激。当然，功率过大不建议用反激。

其实这些内置开关管的DCDC芯片在layout上最重要的一点就是输入电容要尽量靠近芯片（不光要靠近Vin，芯片地也要靠近）。因为内置FET的DCDC在开关开通瞬间会抽取很大的电流脉冲，如果没有靠近的去耦，那么里面的逻辑不能够正常工作。其次电感也需要靠近芯片，尽量把动端（波形为高频方波的点）最短，否则也会容易呢引起干扰。

电池过放也会有此风险。

重点考虑你的电路是否能够驱动你的Nmosfet。你用3525做Buck电路对于驱动fet是个问题。测量一下mos的VGS是否能够驱动的开。

只要耐压OK，都是可以的。但是还需要注意的是要保证芯片工作的结温小于最大承受的工作结温。PD=(Tj-Ta)/Rja. Rja芯片规格书上有，可用来估算。

负压的芯片使用LM137.正压使用LM317. 主要是两者的共地方式不一样。

去TI网站上搜索DV2054S2，这是BQ2054的评估板资料。其实BQ2054是很老的产品，外围复杂，建议使用新型的产品，如BQ24133，BQ24103等。

以下链接是该芯片的评估板资料，请参考。 http://focus.ti.com/docs/toolsw/folders/print/dv2054s2.html 其实该芯片为老一代产品，推荐使用BQ24133或者BQ24170.

TS如果不使用，需要用固定的电阻分压，令该管脚的电压在0.4VCC-0.6VCC之间。规格书第八页有详细的说明。建议设定到0.5VCC。 VCOM与ICOM是用来补偿电压环和电流环的，两者对地接上0.1uF电容就可以。

如果电路图没问题，就考虑是否芯片layout不好的原因，一般layout不好容易引起输出不稳定，且发热严重。再者，确认芯片是否有问题（假货问题较多），建议从合格代理商取样片。

41V。且Vcc端也不能耐压80V。

电路图好像打不开，不知道你的前端输入电压是多少，建议增大前端电压看看。

个人感觉跟电感关系不大，除非你的电感饱和电流值很低（100mA以下）。建议检查以下： 1.输入的去耦电容是否已经很靠近芯片的VCC以及Mos？建议芯片的VCC靠近放一个4.7uf陶瓷，靠近Mos放一个10uF陶瓷。 2.PCBlayout有否遵守一些电源的原则？该电路如果用面包板自己搭的话估计会很容易造成布板的原因导致不稳定。 3.电感饱和电流值需要大于（最大输出电流*1.2），这是典型值。 4. RS也需要尽量靠近芯片，且两边走线走差分的形式。

这里有一篇，谢谢