查询程序可以实现/**********************************************************         串口初始化设置 **********************************************************/void UART_init(void) {  //UART1  HART6    ROM_SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_UART1);   ROM_SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_GPIOB);       ROM_GPIOPinConfigure(GPIO_PB0_U1RX);    ROM_GPIOPinConfigure(GPIO_PB1_U1TX);    ROM_GPIOPinTypeUART(GPIO_PORTB_BASE, GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1);//设定PB0 PB1为串口        ROM_UARTConfigSetExpClk(UART1_BASE, ROM_SysCtlClockGet(), 1200,                             (UART_CONFIG_WLEN_8 | UART_CONFIG_STOP_ONE |                              UART_CONFIG_PAR_ODD)); //设定  UART for 115,200, 8-ODD-1 operation    ROM_IntEnable(INT_UART1); //使能UART1中断    ROM_UARTIntEnable(UART1_BASE, UART_INT_RX | UART_INT_RT); } /**********************************************************         串口1中断 HART6 **********************************************************/ void UART1_Handler(void) {    uint32_t ui32Status;   uint8_t  bt;       ui32Status = ROM_UARTIntStatus(UART1_BASE, true);     //获取中断状态  屏蔽中断状态       ROM_UARTIntClear(UART1_BASE, ui32Status);     //清除UART中断源    while(ROM_UARTCharsAvail(UART1_BASE))    {        bt=ROM_UARTCharGetNonBlocking(UART1_BASE);//接收数据    RCV_Hart(bt,5); //接收处理    } }主程序发送命令 ROM_IntEnable(INT_UART1); //使能UART1中断         while(ui32Count)    {       if(ROM_UARTSpaceAvail(UART1_BASE))              {                  ROM_UARTCharPutNonBlocking(UART1_BASE, *pui8Buffer++);                  ui32Count--;                  }    }    while(ROM_UARTBusy(UART1_BASE)); //等待发送完成          send_init(5);          ROM_GPIOPinWrite(GPIO_PORTB_BASE,GPIO_PIN_2,GPIO_PIN_2); //TXEN-1=1  接收

注意！！！！！！！ ①1L的方法对于V1.5的launchpad有效，V1.4是否有效暂未考证 ②注意区分launchpad上的J3和J4两个接口，J3（跳线帽接口）才是SBW接口，J4（比较窄的接口）是给EZ_430模块用的 ③在IAR中，使用launchpad调试430注意把工程options里，debugger选项要选择FET-debugger，软件默认的选项是simulator。

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学习微电流检测技术的一种方法

A、微弱电流及V/I法高电阻测量，http://wenku.baidu.com/view/8c45a227a5e9856a5612607e.html 采用偏置电流低达0.25fA以下的场效应对管做输入级组成I-V放大器，最低可以测量0.1pA的电流。 B、挑战毫微安电流测量技术，http://wenku.baidu.com/view/4b27a5cfa1c7aa00b52acb5c.html 英文原文：http://ip565bfb2a.direct-adsl.nl/datasheets/Application-notes/measuringnanoamperes.pdf 本文阐述了一种现实技术，可以方便的测试运放的Ib到1fA的分辨，同时提供了大量的微电流测试文献连接。 C、微电流测量仪的研究，http://www.cqvip.com/QK/92179X/199303/1011903.html 介绍了几种微电流测量仪的基本结构及主要元器件的选择方法，最后谈及微电流测量仪的校准问题。尽管文章比较老，但采用了很多极端的方法并可能取得的极限结果，不像很多其他人，达到pA级的测试就感觉了不得了。 D、微弱信号检测仪器，http://wenku.baidu.com/view/6868bf4f2b160b4e767fcf3f.html 这实际上是南京某微弱信号检测公司的产品目录，其中第17页和22页分别介绍了他们的可以测试0.1pA的产品HB-891和HB-321，但不知道为何其噪声都高达10fA/√Hz E、低电流 / 高阻测量，http://wenku.baidu.com/view/e5b9a5daa58da0116c174993.html 吉时利入门级的介绍，但也讲的很深入，同时很形象。 F、电子工程专辑有关微电流的讨论，http://forum.eet-cn.com/FORUM_POST_10006_1100021446_16.HTM 2005年的，热烈而专业。 G、Detecting currents less than one femtoamp? [url=http://www.electronicskb.com/Uwe/Forum.aspx/electronics/1526/Detecting-currents-less-than-one-femtoamp]http://www.electronicskb.com/Uwe/Forum.aspx/electronics/1526/Detecting-currents-less-than-one-femtoamp[/url] 国外某论坛，能否测试1fA满度？ H、Op Amps as Electrometers or—The World of fA www.analog.com/library/analogDialogue/bestof/pdf/05_2.pdf 飞安世界，选自AD的“模拟对话”，有三张表格总结的很好。 I、Counting Electrons，http://www.keithley.com/data?asset=50390 吉时利的文章，描述如何利用其商品的静电计6430，通过长时间累积的方式达到检测1aA的目的。

A、OP放大电路设计 这本书在131页给出了一个1pA I/V转换的例子，用了ICH8500A，有Rf和Cf组合表（例如Rf=1T时Cf=2pF），并利用杂散电容法制作了Cf。随后的一节是“微小电流的测定技术”，比较实用。此书的缺陷是没有任何理论知识做指导。 B、OP放大器应用技巧100例 本书第4章为“微小电流OP放大器的应用技巧”。有静电运放的比较、Ib的测量、防漏电技术、相位补偿、输入保护、线缆选择、噪声的计算等，内容丰富翔实。通过一个实例的计算，得到了噪音主要由Rf引起、I-V转换电路Rf应该尽可能大的结论。最后，讲述了静电消除方法。 C、从OP放大器实践电路到微弱信号的处理 其中50页“前置放大器的实装技术”比较有用（50楼最后一图），49页给出了反馈电阻-大电阻的选择，但恰恰书中推荐的RH2HV电阻，我测试了几个都很不好。44页通过实际计算得到了发馈电阻越大越有利于S/N比的结论。 D、微弱信号检测 居说是比较经典的一本书，但理论描述的多，我懒得看。实际例子极少。 E、日本电子电路精选 这本书出的比较早，以前参考的多，感觉每一个电路都设计的很细致。在此处，可供参考的一个是7-3的I-V电路，包括量程转换和偏流补偿的整体；另一个是16-11 微小电流发生器，共地方式的。如果把运放换成低Ib的同时提高电源电压，就可以用于pA级的电流发生。 F、低电平测量手册 这个不用多说了，吉时利公司经典之作，弱电测试者必读。第6版，中文版 G、静电实用技术手册 里面有一些静电相关的测试方法和设备，包括低达1E-17安电流的设备（FJ-2700，262厂生产）。经查，FJ-2700的测试能力是1E-16安：http://www.xa262.com/Nshow.asp?Thex=675&CLa=187 H、最新集成电路300例 最有用的就是一篇用高阻反馈的I-V转换电路，用了1T等4只电阻，运放采用Ib

根据这段时间的测试对比，感觉进一步提高灵敏度、降低噪声的障碍或瓶颈为如下二个因素： A、高阻。由于采用100G的时候已经达到理论极限，因此高阻是最大的瓶颈 B、运放。主要是Ib和噪声，近一步提高灵敏度的时候也许受限。 由于高阻成为瓶颈，那做法非常简单，继续采用更高的反馈电阻，1T、10T，甚至100T。 1T的我有几只红皮国产的，试验了一下效果还不错，比日本的RH3和RSC的1T都好。 10T的我也有两只瓷管的，但介质存储效应很大 100T的见有别人买过，的确有生产的。国家标准，国外文献均有介绍 把Rf用1T替换后，测试零点，噪音达到了惊人的0.2fAp-p，也就是40aArms： 对比一下，吉时利最好的静电表，也不过是0.4fAp-p（此图来自6432的介绍资料） 改善超高阻的另一个方面，是稳定性。最好的超高阻，是用氧化钌材料制作的，温漂、时飘、电压系数都比较理想，当然价格较贵。有了这样的高阻，就可以把仪器的“精度”做得比较高。 前面已经看到，LM6062的噪声的典型值为0.2fA（1Hz下），相当于350G高阻的噪声。因此，Rf增加到1T时，这部分噪音就很可能成为主导的。幸好实际测试下来这个运放的等效噪声在1T左右。 LMP7721是NSC最新的静电运放，号称业界Ib保证值最小，电压噪声指标8nV/√Hz也是相当小的，唯一问题是电流噪声指标为10fA，显然是错误的： 大部分静电运放的噪声电流均为0.1到0.2fA/√Hz之间，而新型、低噪音的7721怎么能一下子高出几十倍？因此我认为应该是0.1fA/√Hz，等价为2.5T的电阻的噪声。 另一方面，超高的Rf也将因Ib而产生压降，例如5fA和1T将产生5mV的输出，所以也应该选取Ib尽可能小的。

低频噪声一般指0.1Hz到10Hz范围内的噪声，这个频段的噪声对常见的测试测量有很大的影响。 传统测试运放、基准等的噪声，是用运放接成100倍或1000倍的放大电路，滤波后用示波器观察10秒，这样就可以得到噪声曲线，求得峰峰值等，以下两图分别来自运放OP07和LT1001： 当然，如果信号能够采集下来，那我们就可以直接计算了，无论是电压信号还是电流信号。不过，由于采样频率的限制和与日常观察的习惯保持一致，往往我们更希望能看更低的频率和更长的时间，所以一般不是每秒采样10次、采集10秒，而是每秒采集一次，采集很多，然后找到有代表性的100个数据进行计算。计算方法大体有三种： A、求峰峰值。对于采集下来的数据这个很容易，就是求一下最大值，再减去最小值即可。只取100个连续采集值与99%的法则相符（可以认为1%是粗大误差被剔除的）。这种方法简单，但偶然性大一些，毕竟结果只是两个单点测试之差。 B、求标准差。标准差在Excel里的表达为stdev()，也叫均方差，公式是： 由于绝大多数噪声信号都是高斯概率密度函数（正态分布），因此标准差就是噪声的有效值（rms值）。 由于每一个测试结果对标准差都有贡献，因此标准差就比较全面的反映了全体测试值的综合结果。另外，有效值与峰峰值，一般是5到6倍的差异，吉时利在其低电平手册里采用5倍。我在47楼的附件表格里，就是用这样的计算方法得到0.29fA噪声的。 C、求阿伦方差。缓慢变化的信号可认为不是传统的噪声（例如温漂和热电动势的影响），至少不在0.1Hz到10Hz的频谱之内，在传统的硬件观察中，由于有滤波的作用排除了缓慢变化信号，但数字采集后这种缓慢的变化会干扰标准差的计算。此时采用阿伦方差就可以排除缓慢变化的影响。当一组数据没有缓慢变化的现象时，标准差和阿伦方差的计算结果是吻合的。标准差的计算涉及到每一个值与平均值的差异的平方和，而阿伦的方差是计算相邻值的差的平方和，因此才可以排除缓慢变化信号的干扰。 最后，噪声的合成，并非直接相加，而是各噪声平方后相加，再开方。例如3uV的噪声与4uV的噪声叠加后不是7uV，而是5uV。无论采集还是直接观察，可能会引入测试仪器和采集器本身的噪声，可以通过自测零点噪声的办法，利用这种合成公式，把本底噪声减去。

首先，看一下微电流标尺，到底1pA是什么水平： 1uA，-6次安培，开始进入弱电流领域。其实1uA还是相当大的，即便在常见50uA满度的模拟表头上，1uA仍然有偏转。 1nA，-9次方，进入微电流领域。很多半导体材料的反向漏电流就是这个区域附近。不过，1nA的电流放大起来还不算很难。 1pA，-12次方，进入超微电流领域。较好的绝缘材料的漏电流，较好的半导体的反向电流都是在1pA周围。测试1pA需要一些挑战了。 1fA，-15次方，这个电流非常微小了，1fA只相当于每秒6000多个电子。从半导体材料上看，PN结的漏电已经远超这个范围，只有例如MOS管的绝缘栅的漏电才可以突破这个水平。从绝缘电阻上看，还是有不少好的绝缘材料在不太高的电压下漏电低于1fA的，例如特富龙、蓝宝石、某些聚合物。因此，在测试绝缘材料的时候，是有必要分辨到1fA甚至更小的。测试1fA是非常有挑战的，绝大多数商品的静电计，其噪音本身就是1fA水平附近的。 1aA，-18次方。1aA只有每秒6个电子，太极端了，只见过吉时利利用超长时间的测试，取得过小于1aA的噪音（文章：Counting Electrons）。当然，10aA甚至是100aA，也可以认为是aA级别的。 其次，做一个噪音对比表格 横轴是带宽，Hz；纵轴是噪音的有效值，单位fA。曲线或点的位置越低，则噪音越小。 斜直线是一些高阻的等效热噪音，可见电阻越大电流噪音越小、带宽越窄电流噪音也越小。 也把两个运放的电流噪音画了进去，LMC6062相当与350G的电阻的噪音，而LMP7721大约相当于2.5T。 Pengjianxue的1pA电流噪音峰峰值为0.1pA，因此噪音有效值是20fA，大约等价为100M电阻的热噪音： 王卫勋的1pA，噪音小到了2.9fA： http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10700-2008035983.htm 由于采用了1G的电阻和470pF的反馈电容，带宽0.5Hz，取得了2.9fA的噪音，已经达到1G电阻的理论极限。 我的测试器由于采用了100G的电阻和4.7pF的反馈电容，带宽0.5Hz，噪音有效值实测0.29fA，也已经达到理论极限。 Keithley 目前主推的静电计6517，噪音峰峰值小到了0.75fA（对应0.15fA有效值），但采用了数字滤波，等价减少了带宽，实际内部采用100G的电阻。 Keithley 著名的创纪录的642静电计，电流噪音0.08fA，也标在图上，与所用的1T反馈电阻的理论噪音项匹配。 下一步，我将采用1T甚至更高的电阻，同时适当减少带宽，电流噪音也将低达0.06fA，甚至更小，真正进入aA领域。 我的这种DIY，其实没啥神秘的，用的是成熟的电路、公开的技术。能做到噪音低于1fA，原因主要有三条： 1、简单 2、用了100G超高阻。 3、用了合适的运放LMC6062A（或者LMC6042A）。 100G这种阻值的超高阻，绝大多数人想都不敢去想，认为噪音太大。国内大部分文献均陷入T型反馈误区中，我只见有两篇文章明确提到I-V法必须加大Rf的。一个是胡勇等在“一种用于生物传感器的微电流检测系统”一文中： 另一个就是王卫勋在他的论文里： 只不过限于条件，反馈电阻只用了1G。他的反馈电容用了470pF，算下来带宽0.53Hz，因此电流噪音理论峰峰值是14.8fA。至于他为什么声称取得了10fApp的噪音，低于理论值，我想是因为采样时间比较少、存在偶然因素造成的。另外，他并没有意识到他的DIY已经达到了理论极限，或者说1G电阻成为他的DIY的瓶颈，否则他会千方百计增大电阻的。 100G的高阻，也很少有人听说过，即便见到实物都不知道是什么。例如有个老外找到了一个著名的Dale的M51高阻，发贴问是什么： http://forums.overclockers.com.au/showthread.php?t=636072 明明就是个300G的高阻，但大部分人回答错误，只有一人回答正确。 事实上，商品的微电流计早就一直在使用100G，甚至用到1T，为什么我们不能用？当然，高阻很难做好，生产厂家很少，生产测试成本高，最后价格也贵，这是高阻不足的地方。 至于运放，无论LMC6062还是LMC6042，均为廉价低功耗双运放，然而其Ib典型值低达10fA和2fA，没见典型Ib比2fA更低的了。国半的典型指标，大多都能满足的。 综合起来看，pA电流测试就是一层窗户纸，一捅就破。我相信，我们中的任何一个人，只要具备了一定的动手能力，按照要求选择了合适的元器件和方法，也一样会做出同样的飞安测试器来。

该板的原来用途不详，但为一个独立的前端，输入为一个插座，常见的万用表笔的插头插不进去。输出为9针口。 经静态分析，为2级I-V转换，前级运放用了Ib

微电流测试仪用途其实很多，例如微光测试、半导体器件漏电流测试、超高阻测试、电容漏电测试、绝缘材料测试、静电领域应用、各种研究。 我简单做了一些样品，测试了在较低电压下的漏电，结果发现，很多绝缘材料的漏阻差别比较大，有的不到1T，也有的比1T高很多。另外，很多材料有介质吸收现象，表现为读数非常不稳定，电阻读数为负（即自身释放电荷）。 A、3.9pF的磁介质电容，5E13欧 B、20pF独石，>1E14欧，有介质吸收现象 C、某9014三极管，bc节反向0.08pA，be节反向0.03pA bc节正向0.1V时0.8pA，be节正向0.1V时0.6pA D、某5类双绞线，>1E14欧，有介质吸收现象 E、某6类双绞线，5E12欧 F、普通双线，1E11欧 G、老式单联可变电容，介质吸收现象严重 H、电位器，外壳与电阻之间，5E11欧 I、电路板相邻走线，有焊接松香时1E11欧，清理后1E13欧，酒精清洗后5E14欧 以上，除注明外均为加上1V电压的测试结果。可以看到，常见的绝缘材料的电阻是非常高的。 当然，还有一条很明显的规律，也许太明显了，并不引人注意。这就是，越高阻的东西，就越需要小电流。换句话说，越小电流的东西，越只能测试超高阻。在电压高较高、电流超级微小的场合下，被测试的电阻只能是超高电阻。 除了这些应用之外，这里再说两点简单的、本身相关的： a、测试运放的Ib； Ib可以用这种电路自测，即先采用小的Rf直读Vos，然后再用大的Rf得到Ib=V/Rf-Vos，如果Ib比较小，Rf可以用到比较大，甚至1T。 Ib也可以用积分法测试，就是只用Cf不用Rf，这样就是一个积分电路了，用输出电压上升率来求得Ib。 http://www.national.com/rap/Story/0,1562,4,00.html 这种做法的麻烦之处，就是需要一个尖端为特富龙的金属按棒经常对积分电容短路。 b、测试超高阻作为Rf在mV级别电压下的表现（阻值、电压系数、介质吸收现象）。 超高电阻特性往往很特殊，测试高阻时往往用高电压。但恰恰很多高阻在低电压下有用场，但表现完全不同，而低压和高阻势必需要极微电流的测试。以下这个10T在低压下的表现就不好：

学习微电流检测技术应该存在很多种方法，这里描述的是我自己的方法的总结，不一定是最好的，仅供参考。 A、首先学习基本知识、基础理论，找运放的、微小信号测试的、噪音相关的书籍。 B、收集网上的文章、案例。关键词：小电流，微电流，毫微安电流，微弱信号。 C、下载吉时利微电流测试仪的维修手册，包括电路图和原理分析介绍。模拟的可以参考610C，数字的可以参考617，高级的可以参考642。 比如617手册：http://www.keithley.com/support/data?asset=1062 642手册：http://www.keithley.com/data?asset=952 D、买一台吉时利的微电流测试仪，一方面可以作为工具，测试在微电流制作过程中必不可少的高电阻、运放等器件，更主要的可以拆解参考。 E、购买必要的元器件，例如高阻、运放等关键元件，多买一些不同的，进行测试、比较和分类，最后试装。如果没有这个过程，那就是纸上谈兵了。

微电流，尤其是超微电流，难于捉摸，使得不少人存在一些认识的误区。 A、超高阻噪音太大，尽量避免使用 这个是害人最深的误区。 的确，根据热噪音理**式，噪音电压的平方与电阻阻值成正比，因此随着电阻的增大，噪音也会缓慢增大，规律是电阻增大100倍则噪音增大10倍。但殊不知，电阻的噪音还有另一个从电流方式表达的侧面，电流的噪音的平方是与电阻成反比的： I = √(4*k*T*B/R) 也就是说，电阻每增大100倍，电流噪音就降低为1/10。有时真是奇怪得很，既然测试的是微电流，不计算电流噪音，反而只看电压噪音。既然你都算出了电压噪音，为什么不除一下电阻，得到电流噪音呢？纵观商品的静电计/微电流计，都是采用大电阻的方式，一般都用到100G，更有吉时利的642和6430，用到了1T，这样才能取得0.08fA的噪音有效值和0.4fA峰峰值（有效值和峰峰值一般是5倍的关系）。 B、超高高阻质量不好、超高阻买不到 相对来说，高阻不容易做好是事实，但对比超高阻带来的收益看，其质量的下降没那么大。 10M的电阻还算不上高阻，这个阻值RN55D做的最好，我用100只串联做过1G； 100M的，我有一些1/4W的，也不错；而到了1G尤其是10G，小体积的就很难做好了，因为需要一定长度的导电途径，因此选那种电阻粗、刻线细的就有优势；到了100G就更难选一些，好在我找到了一款不错的国产货。甚至到1T，都能找到可以用的电阻。那种说高阻不好的，有可能是他用的测试表不好，或者是测试时没有很好的屏蔽，外界干扰了测试结果，其实不一定是电阻本身不好。 事实上，用氧化钌做主材的高阻可以做得相当好，例如10G的可以做到0.05%、温漂5ppm/C，100G的可以做到25ppm/C的温漂，1T的可以做到0.2%。如果真有这种高阻为关键元件的需求，的确可以买到。 C、I-V法最好用T型网络法 这是一个广泛存在的误区，很多文献都推崇T型网络，用来回避高阻。事实上，电阻的噪音的计算并非看等效电阻，而是看实际阻值。用T型网络后电阻是降下来了，但带来的问题就是电流噪音相应的增大，这对于超微电流测试得不偿失。采纳T型网络方式的I-V变换，最主要的原因是对电流噪音公式的忽略或不理解。另外，推举T型电路者还强调可以降低Ib的影响，也是错误的。正规的微电流计没有一个采用T型网络的，T型网络只存在与不明真相的文献中。当然，T型电路也不是毫无是处，在对高阻有限制、电流不是很微弱、对响应时间有要求的地方可以采用。 D、微电流测试，难度大、需要考虑的因素多，因此需要复杂的技术 事实上，微电流测试就是那么一层窗户纸，用简单的I-V方法一捅就破。fA级别的信号，无论如何变换和放大，最终总要转换成电压，何必不一步到位？那么小的电流下，采用任何其它的电路或器件，都将引入新的漏电、额外的不确定因素，为什么不用简单的？ E、用运放做I-V转换，性能上超不过Ib 这里的性能，一般是指噪音或灵敏度。Ib当然选小的好，但Ib不是极限，完全可以做出比Ib的实际值更好的微电流测试器。极限是Ib的噪音。 商品静电运放，Ib最好的指标，也就是

在测试的过程中，偶尔发现无规则的脉冲干扰，换了不少运放、换了不同的高阻，现象照旧。增加了很厚的接地金属防护也毫无作用，不像是常规的干扰，因此怀疑是宇宙射线。 宇宙射线是一些来自地球之外的高能粒子辐射，贯穿能力特别强，需要深入地下几千米才能排除其影响，因此在地面上传统的铅板等防护措施基本无用。 EDN在“挑战毫微安电流测量技术”中，提到了宇宙射线对积分法测试的影响，而恰巧我用积分法测试LMC6062A的Ib时也发现了类似的电压突变： 那么如何判断是宇宙射线而不是内部干扰所导致呢？只好再做一套同样的系统，两套独立的系统同时采集。如果得到的曲线上，在相同的位置出现类似的干扰，那至少可以判断干扰来自外部。而如果这两套系统均采用电池供电、相隔一段距离、良好屏蔽，如果仍然出现同时间干扰，那基本上可以判断是宇宙射线了。 结果出来了，两个同时测试的曲线，尖峰干扰的部分基本没有对得上的，因此排除是宇宙射线的干扰。

把微电流测试器放入冷热箱，输入100fA，改变温度，看输出的变化。 这是一种有别于三点恒温测试温度系数的方法，是记录全过程的变温测试方法，曾经用在标准电阻的温度系数测试中，效果良好，是所谓的“全息”测试法，因为把整个测试过程中的温度中间值和输出值全部记录了、全部利用，因此排除了偶然读数误差，大量的数据共同对温度系数做加权输出。 下面的曲线，是100fA测试值与温度随时间变化的情况，温度的改变是通过调节冷热箱的电压值手工调节的。可以直观的看出，测试值随温度变化不大，但11点附近有个峰值出现，不知道是什么原因，也许是冷热箱因冷却而结露或蒸发，造成漏电的变化所导致。 以下曲线是温度-电流分布图，红色线为线性回归（最小二乘法逼近线），红字为此线的公式，因此可以得到，该测试器在此种情况下的温度系数为+0.06%/℃。

有人会问，微小信号放大不是要特别注意热电动势的影响吗？为什么在你的制作和测试中只字未提？ 热电动势其实主要是在微小电压放大时才需要考虑的，而这里是微小电流放大。 即便是10G的内阻，在带宽B=1Hz下热噪音电压的有效值本身就达到了13uV，100G的噪音就更大了，这足以掩盖任何常见的热电动势了，只要用常规做法即可，无需特别处理。同样，其它噪音或干扰电压，如果都是微伏级别的，也无需特别考虑。由于高阻的采用容忍了更高的电压噪音，因此运放的Vos也变得不那么重要了，只要不大于1mV，温漂不大于10uV/℃即可，容易满足。 事实上，只要做好外壳屏蔽，在几天的测试过程中，没有发现更多的异常现象。 倒是经常性的有一些脉冲干扰，整体装入厚重的铝箱内也不能避免，怀疑是宇宙射线引起的。

610C，模拟的，最小量程达到0.01pA，输入级就是采用经典的I-V法，当然没用运放，用的是MOS管等分立元件。反馈电阻最大100G，因此可以预测，其电流噪音低不过0.29fA的理论极限。 输入部分，手动旋转开关，可以看到开关的特富龙绝缘、几个高阻（100M、1G、10G、100G）。 617，数字的，这个表我也有，前级也是I-V法，反馈电阻最大也是100G。 电路图我就不上了，网上都可以查到，内部图前面有一张，这里上一个局部的： 6517，这个是617的改进型，性能其实与617差不多，与617类似，输入岛接了很多继电器，而继电器是干簧管的，外边套的特富龙套管： 642，这款虽老，但据我所知其测试记录一直没有被打破，只有自家的6430与之齐平。究其原因，除了各种措施完备外，与其内部采用了空前的1T电阻有直接关系： 还有一个老HP的，这款尽管最小量程2pA，但也是高阻仪，我用起来非常方便，调制型的，零点非常准，无需调零（其实就没有）。 如果真对静电仪感兴趣，建议下载并研读这些老仪器的手册，里面电路图、原理介绍都有。 补充，日本人写的《测量电子电路设计模拟篇》，第51页对这种I-V转换法弱电流计的输入结构有详细的描述：