请教楼主关于nand flash的问题，一个单片机系统要将AD采样的数据存储到nand flash中，数据量较大，需要考虑到坏块管理和读写均衡的问题么？系统只有一块单片机，考虑读写的时间，是否会严重影响单片机处理的速度

楼主，有没有返回功能，程序不小心写过了，想返回上一步，找不到返回功能

收藏帖子，不是挖坟

6.2都没用明白呢...

最近需要用到，过来看看

"~"取反 然后参照2楼

正好需要这个深入了解下

开发套件在哪申请的，没在ti上看到过啊

有关于外扩srom之类的文章么或ad，da数据采集的 邮箱：wj1478@163.com

感谢楼主提供了:)

需要比较8v和12v，但是输出需为3.3v，看了手册没有确定vcc是不是可用比两电压小的，所以来去确定下， [ 本帖最后由 wj1478 于 2010-4-22 10:11 编辑 ]

楼主，有关于Silicon Laboratories IDE资料么:$

原帖由 Anonymous 于 2010-3-29 11:28 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=327748&ptid=99719][/url] 如果继电器线圈电流大，直接驱动控制，有可能2812输出电流不够。如果只是小电流信号继电器，应该问题不大。

线圈电流41.7mA，电流大么？2812输出电流最大多好？ 要不要考虑触点动作时间？

下载下来看看了

呵呵，面试都问些什么问题？

这是地铁制动的一个设计.....

看过了，挺搞笑的

2点为低电位，v1导通，对于C46，和电源来说，2点都是就近的低电位点，所以电容C46只能往2点放电，电源也只能往2电导通而不会对c46进行充电

主要是考虑到不可能一直盯着led指示看，用这段电路可以从程序里来监控是否故障， [ 本帖最后由 wj1478 于 2010-1-26 10:03 编辑 ]

说下我知道的解释：当i/o1恒为高电平时，图中2点为低电平，二极管v1导通，C46放电完毕，9变为低电平，所以8为高电平，v2截止，下面支路6点为高电平，v3截止，c47充电完毕截止，11点为高电平，10点为低电平导通，所以13点为低电平，输出12点电位为高电平，判断工作不正常，i/o1为低电平同理 当i/o1输入为方波且周期小于电容充放电时间，当i/o1处在方波的高电平区段，同上，2点为低电平，二极管v1导通，C46正在放电（方波周期小于电容充放电时间），9点为低电平；下面支路中由于电容c47正在充电，相当于c47导通金是为导线，所以11点为低电平，10反向变为高电平，v4截止，13为高电平，12则反向为低电平，判断正常工作 这是设计者给我的解释，不知道大家明白了没:L 希望高手看看，这个设计是不是有问题