一个小子在论坛里说：兄弟们给个建议， 是买宾利还是法拉利，我只有300万预算。 一哥们回帖说：买300辆二手奥拓！ 再雇300个司机！每次出门300辆奥拓排在一起！ 一会排成S字，一会排成B.

没钱的时候，一群朋友; 有钱的时候，一群保镖。 没钱的时候，抽中南海; 有钱的时候，住中南海。 没钱的时候，买衣服先看价钱; 有钱的时候，买衣服先看标签。 没钱的时候，开着夏利去抖派; 有钱的时候，开着宾利去买菜。 没钱的时候，装有钱; 有钱的时候，装没钱......

关于如何与企业谈判薪资，我也有话要说。毕竟这是个实打实的问题，关系到个人切实利益的问题。国企，机关、民营企业性质确实不同。但对于没有关系，没有门路，单靠自己单打独斗的大多数根正苗红的平头老百姓来说，民营企业成为了大家多数的归属。所以，在进入公司之前的谈薪，真的是尤为重要。我非常赞同爱普生这位先生所说，最初的谈薪，就应该当成一种博弈。很有可能进入公司后就没有翻盘的机会，国有企业会定时定量的进行薪金的浮动，民营则不然，民营更多会考虑到在使用最低人力成本的情况下，如何提高工作效率，将价值最大化提升。如果进入一个效益不甚良好的企业，或内耗严重，提薪基本就是奢望了。所以，诚心给各位广大工程师提醒：入职前的薪水谈判，尤其重要！不要太高估自己，也不要太保守。根据自己所处职位的具体行情及自己本身能力都做一个横向或纵向的判断，形成标准，做到自己心中有数，毕竟，生存是第一位。

我喜欢shicong说的这句话：多难兴邦,多苦励志！

② 在Processing菜单中选择Compiler Settings项，如图2所示。可以进行器件选择、模式设定、综合和适配选项设定及设计验证等。 　　③ 单击Processing菜单下的“Start Compilation” 项，开始编译过程。 　　④ 查看编译结果。如图3所示，我们可以得到详细的编译报告。 　　（3）设计定时分析 　　单击Project菜单下的“Timing Settings…”选项，可以方便地完成时间参数的设定。Quartus II软件的定时分析功能在编译过程结束之后自动运行，并在编译报告的Timing Analyses文件夹中显示，如图3所示。其中我们可以得到最高频率fmax、输入寄存器的建立时间tSU、引脚到引脚延迟tPD、输出寄存器时钟到输出的延迟tCO和输入保持时间tH等时间参数的详细报告，从中可以清楚地判定是否达到系统的定时要求。 　　（4）设计仿真 　　Quartus II软件允许设计者使用基于文本的向量文件（.vec）作为仿真器的激励，也可以在Quartus II软件的波形编辑器中产生向量波形文件（.vwf）作为仿真器的激励。波形编辑方式与MAX+PLUS II软件的操作相似。在Processing菜单下选择“Simulate Mode”选项进入仿真模式，选择“Simulator Settings…”对话框进行仿真设置。在这里可以选择激励文件、仿真模式（功能仿真或时序仿真）等，单击“Run Simulator ”即开始仿真过程。 　　（5）器件编程 　　设计者可以将配置数据通过MasterBlaster或ByteBlasterMV通信电缆下载到器件当中，通过被动串行配置模式或JTAG模式对器件进行配置编程，还可以在JTAG模式下给多个器件进行编程。利用Quartus II软件给器件编程或配置时，首先需要打开编程器（在New菜单选项中选择打开Chain Description File），在编程器中可以进行编程模式设置（Mode下拉框）、硬件配置（Programming Hardware对话框）及编程文件选择（Add File…按钮），将以上配置存盘产生.cdf文件，其中存储了器件的名称、器件的设计及硬件设置等编程信息。当以上过程正确无误后，单击Start按钮即可开始对器件进行编程配置。 3 LeonardoSpectrum软件的应用 　　LeonardoSpectrum是Mentor Graphics的子公司Exemplar Logic的专业VHDL/Verilog HDL综合软件，简单易用，可控性较强，可以在LeonardoSpectrum中综合优化并产生EDIF文件，作为QuartusII的编译输入。该软件有三种逻辑综合方式：Synthesis Wizard（综合向导）、Quick Setup（快速完成）、Advanced FlowTabs（详细流程）方式。三种方式完成的功能基本相同。Synthesis Wizard方式最简单，Advanced FlowTabs方式则最全面，该方式有六个选项单，如图4所示，分别完成以下功能：器件选择、设计文件输入、约束条件指定、优化选择、输出网表文件设置及选择调用布局布线工具。 以上每步操作都提供相应的帮助，简单明了。需要注意的是，在输入设计文件时要正确排列文件的次序，将底层文件放在前面，顶层文件放到后面，这样LeonardoSpectrum软件才能正确地建立数据信息库。综合完成后，可以将输出网表文件 （.EDF）作为MAX+PLUS II或Quartus II的设计输入文件，再完成编译、仿真、定时分析和器件编程等步骤，完成整个系统的设计过程。 4 VHDL编码方式对综合质量的影响 　　VHDL语言支持全部的仿真功能，但并不是全部可综合的。VHDL程序的许多硬件描述和仿真结构没有对应的数字电路来实现，还有些描述在理论上可以映射为对应的数字电路，但是却不能保证其精确性，比如延时模型。随着综合算法技术水平的提高，针对某些寄存器传输级RTL（Register Transfer Level）电路描述可以进行有效的优化，但是对于更普遍的电路描述这还不够，因此综合结果是否满足给定的时间约束条件和面积约束条件，还取决于VHDL编码方式。下面给出几点经验，相信对提高综合质量有所帮助与启发。 　　（1）资源共享 　　例如下面的两段代码中，（A）需要2个加法器，而完成同样的功能，略做修改；（B）只需要1个加法器，有效地减少了使用面积。 适当地利用圆括号进行重新组合，有时也可以实现资源的共享。如下面两段代码（C）和（D），（D）中输入信号b和c即可实现加法器的共享。 http://www.fpga.com.cn/application/a41.files/4-5.gif 　　（2）使用带范围限制的整数 　　在VHDL中无约束整数的范围是-2147483647～+2147483647。这意味着至少需要32位来表示，但通常这会造成资源的浪费，有些综合软件会自动优化，但所消耗的时间是相当可观的。因此，如果不需要全范围的整型数据，最好指定范围，例如： 　　signal small_int : integer range 255 downto 0 ; 　　small_int在本例中只需要8位，而不是32位，有效地节约了器件面积。 　　（3）使用宏模块 　　当在VHDL中使用算术逻辑、关系逻辑等通用逻辑结构时，多数EDA开发软件及专用综合工具通常包含针对特定工艺的优化宏模块供我们选择，从功能上可分为时序电路宏模块、运算电路宏模块和存储器宏模块，具有很高的执行效率，使得综合结果面积更小、频率更高、所需编译时间更短。当然，它们是针对特定工艺的，这将使VHDL程序依赖于具体的器件系列，影响移植性。 　　（4）高级设计优化 　　上述几种方法是在没有改变其功能性的情况下进行综合优化的，有时候我们可以在不妨碍设计规格约束的前提下，稍微改变其功能，来提高综合效率，参考下面两个例子（E）和（F）。 http://www.fpga.com.cn/application/a41.files/4-6.gif 　　在（E）中，综合工具建立递增计数器和完整的比较器；在（F）中，综合工具建立递减计数器和对于常数零的比较器。由于和常数作比较更易于实现，且占用逻辑单元更少，因此（F）程序更高效。 　　另外，由于综合工具只能支持VHDL的子集，为保证在综合前后的仿真保持相同，以下语句在综合中应该避免使用： 　　◇ 避免使用 wait for xx ns，这种语句不会被综合为实际的电路元件； 　　◇ 避免使用after xx ns，在综合工具进行综合时，会忽略after语句； 　　◇ 避免在信号和变量声明时赋初值，因为大部分综合工具会忽略初始化语句，如果使用初始化语句，那么综合的结果和仿真的结果将会产生差异。 结 语 　　功能强大的EDA开发软件和专业的综合工具的不断发展，使PLD设计或ASIC 设计过程更简单、更快捷；但是，要提高设计质量，编程方式仍然起着至关重要的作用，需要我们在实践中不断摸索，积累经验，提高设计水平。

本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:00 编辑 在广州正式启动，之后将是沈阳、天津、大连、济南、杭州、西安、兰州、成都、重庆、南宁、昆明、深圳等城市，目前该活动正在进行中。 　　2008年10月，诺基亚宣布，其发布的首款触摸屏手机5800 XpressMusic将是支持“因乐而生（Comes With Music）”服务的第一批手机之一。

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:03 编辑 文件为pdg格式，用超星阅读器就可以打开了 四个文件要全部下载到同一个文件夹下才能全部解压出来  

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小51这边，现在正在做板子，等板子做好后，把每个步骤都给大家拍下来，这样就让大家能够更直观的看到具体的操作过程， 每一步的效果都有 这样比较清晰 效果会更好 ，否则只有空洞的讲座，怕大家乏味，大家的想法是怎么样的呢？

我非常希望得到一个系统的学习，我认为小51的想法特别好，咱们马上开始这个活动吧！

BCND XMIT_RDY,NTC　　RET 　　3 DSP与LCD的并行通讯设计 　　3.1 并行通讯硬件设计 　　LCD自身具有一个三态数据总线并口(并口为COMS电平),可以同主机进行通讯｡它的外部有12条线同DSP相连,即D0~D7､WRCS､BUSY､INT和GND｡其中WRCS为片选信号和写信号的逻辑或非,上升沿有效｡BUSY信号为高(COMS电平)表示忙｡INT为中断申请信号,低电平有效｡图4所示是其并行接口的硬件原理图｡图5所示是LCD的时序图｡其中TW为WRCS信号的脉冲宽度,TSU为数据建立时间,TH为数据保持时间｡这些参数的具体要求为: 　　TW不小于16ns;TSU不小于12ns;T大于0ns ;TH不小于5ns;TI不小于2μs｡ 　　3.2 并行通讯软件设计 　　并行通讯的编程思想与串行通讯软件的设计基本相同｡但并行通讯是通过设置等待寄存器WSGR?赋值为0 和检测IOPC5的BUSY忙信号来防止发送数据丢失,以实现高速DSP与外部低速LCD的通信｡图3所示的流程图也适用于并行通讯｡ 　　(1)并行通讯初始化程序 LDP # 0E1H LACL OCRB AND # 00CFH ;IOPC(4-5)配置为一般I/O功能 SACL OCRB LACL PCDATDIR OR # 1000H ;IOPC4口为输出方式 SACL PCDATDIR LACL PCDATDIR AND # 0DFFFH ;IOPC5口为输入方式 SACL PCDATDIR 　　(2)数据并行发送程序? SCISS:?;判断IOPC5口的BUSY信号是否忙 LDP # 0E1H LACL PCDATDIR LDP # 4H SACL BUSYDATA BIT BUSYDATA,BIT5 BCND SCISS, TC ;若BUSY为高,继续查询等待 LDP # 4H ;若BUSY为低, 把数据送到端口8000H. OUT PARALTEMP,8000H LDP # 0E1H LACL PCDATDIR AND # 0FFEFH ;将IOPC4口的INT信号置低 SACL PCDATDIR RPT # 50 ;延时2.5μs NOP LDP # 0E1H LACL PCDATDIR OR #0010H ;将IOPC4口的INT信号置高 SACL PCDATDIR RET 　　4 结束语 　　本文提出的基于DSP控制的智能彩色液晶显示器接口设计能够很好地解决高速DSP与外部低速设备的通信问题,本设计尝试采用了串行和并行两种通讯方案,其中前者DSP只需用3根线即可实现数据串行通信,因而节约了DSP的外部资源,虽然传输速度稍低,但能满足大多数实际工程的需要?而后者采用并行通讯虽然数据传输速度较快,但会受到LCD所带CPU(89C51)解释命令速度的限制,虽然液晶显示速度比前者稍快20%左右,但要占用DSP外部资源的12根线｡通过对上述两种方案的比较,最终设计项目采用了串行通讯方案,并在实际应用中取得了很好的效果｡

2.2 串行通讯软件设计　　此设计是一个具体工程项目(无功与谐波补偿装置)的液晶显示部分程序,主要完成显示“系统是否投入工作以及工作是否正常”的各种彩色图形曲线和文字,其中显示标志寄存器和COUNT数据寄存器的值都由相关应用程序给定｡通过设置等待寄存器WSGR(赋值为0)和检测I/O的DTR信号可以防止数据发送丢失,从而实现高速DSP与外部低速LCD的通信｡由于篇幅有限,这里只给出了串行初始化和数据发送部分的程序｡其程序流程框图如图3所示｡ 　　(1)串行通讯初始化程序 　　LDP # 0E0H ;设置串行通讯口各寄存器 　　SPLK # 0017H,SCICCR ;SCI使能,空闲线唤醒模式,8位数据,无奇偶校验位 　　SPLK # 0013H,SCICTL1 ;接收､发送､内部时钟使能,SLEEP=0 　　SPLK # 0000H,SCICTL2 ;接收和发送中断禁止 　　SPLK # 0000H,SCIHBAUD 　　SPLK # 0082H,SCILBAUD ;波特率为9600 　　SPLK # 0020H,SCIPC2 ;设置SCITXD为串行发送功能,SCIRXD为I/O口功能 　　SPLK #0033H,SCICTL1 ;串口初始化完成 　　LAR AR0,#SCITXBUF ;发送缓冲寄存器地址 　　(2)数据串行发送程序 　　SCISS: 　　LDP #0E0H 　　BIT SCIPC2,BIT3 ;检测DTR信号,判断输入缓冲区是否满 　　BCND SCISS,TC ;若缓冲区满,继续查询等待 　　LDP #4H ;DP指向用户定义数据页4(0200H-0280H) 　　LACL SCITEMP 　　MAR *,AR0 ;数据送SCITXBUF发送缓冲区 　　SACL * 　　XMIT_RDY: 　　LDP # 0E0H 　　BIT SCICTL2?BIT7 ;判发送器是否空?

LCD的命令码为十六进制码格式,每个命令均以十六进制码的“1B”开头,后面为命令代码和所需要的参数｡其中XH表示X坐标的高8位,XL表示X坐标的低8位,YH表示Y坐标的高8位,YL表示Y坐标的低8位｡　　LCD的图形方式以光点为最小点阵显示单位,每个光点包含RGB三个色点｡字符方式以8×16点阵为最小显示块单位｡西文字符占一个显示块,16×16点阵的汉字占两个显示块｡本机每显示一个字符或汉字后?光标自动右移一个字符或汉字位?所以在同一行里顺序写入汉字或字符时?不用再加光标定位命令,即可连续送入内码｡ 　　如图形操作为画一实心矩形,那么,其命令代码为:1B 41 color XH1 XL1 YH1 YL1 XH2 XL2 YH2 YL2,其中,color为颜色代码,X1 Y1为左上角坐标,X2 Y2为右下角坐标｡其具体操作是以点(X1,Y1)为左上角坐标,以点(X2,Y2)为右下角坐标,使用指定的颜色画实心矩形｡ 　　2 DSP与LCD的串行通讯设计 　　2.1 串行通讯的硬件设计 　　LCD选用标准RS-232通讯接口,按串口方式工作｡一帧信息为10位,内含1位起始位(0),8位数据位(先低位后高位),1位停止位(1)｡ 　　为了提高通讯速度,显示器内设置了一个128字节的输入缓冲区｡发送数据前应先检查DTR信号(RS232电平),若DTR为负电平(对应COMS高电平),则表示缓冲区满,要等到DTR信号变为正电平(对应COMS低电平)后再发送数据｡如果每组的数据量少于128字节,同时每组之间又有足够的间隔,则不用判断DTR信号就可连续发送数据｡图2所示是其硬件接口原理框图｡

大家有什么好的资料希望跟帖啊！

PMOS管M1和NMOS管M2的栅极都接地。当M1的栅源电压小于它的阈值电压时，M2截止，而M1始终导通，A1比较器的反相输入信号VN电位因为大于同相输入端的电位，而使输出OUT_CDCB为低电平。随着输入信号VM电位向负方向的增大，M2逐渐导通，最后使得VN 端电位变负，OUT_CDCB由此变为高电平。图6中VN=0时的输入电压即为检测电压VCHA，此时M1和M2处于饱和状态且下列关系式成立： [url=]点击看原图[/url] 　　（6）式中， un和up分别为N管和P管的迁移率，VTHN和VTHP分别为N管和P管的阈值电压，COX为氧化层电容。（6）式经整理得： http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/07.jpg　　由（7）式可知，本电路中检测电压|VCHA|的取值只能大于M2的阈值电压，改变M1和M2的宽长比可改变检测电压VCHA。当M2未导通时，电路消耗的电流较小；当M2导通时，就会有电源到地的通路，为了减小消耗的电流，一般取M1的宽长比小于1。 　　电平转换电路及0V 电池充电抑制电路 　　由于电平转换电路和0V电池充电抑制电路的目的都是为了控制CO端，这两个功能可用一个电路完成，如图7 所示给出了具体实现电路。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/7.jpg图7 电平转换电路及0V电池充电抑制电路 　　电平转换功能主要由M1—M4、R1和R2组成的电路完成；0V电池充电抑制功能主要由M5、M6和R3完成；M7—M10和R4组成的与非门在电平转换功能和0V 电池充电抑制功能之间进行选择。电阻起限流作用。下面是这两个功能的具体实现过程。 　　电平转换实现过程 　　在正常的放电过程中，VM端电位大于零而接近于零，可近似为VSS。此时，该电路的输入信号IN_LCB=‘0’，IN_LC=‘1’，显然，CO输出为高电平（VDD）。 　　在正常的充电过程中，VM端电位小于零而接近于零，仍可近似为VSS。当出现过充电或充电过流时，IN_LC=‘0’，IN_LCB=‘1’，VA为VM端电位，VB为VDD电位，VC输出VDD电位，因此CO与VM等电位。 　　0V 电池充电抑制实现过程 　　0V 电池充电抑制功能发生在充电过程中，此时，IN_LCB=‘0’，IN_LC=‘1’，VA 为高电平。当电池电压VDD小于或等于1V时，M5关闭，另外，较小的电池电压使其内阻变小，接近内部短路。在这种情况下充电，充电电流一定很大，导致VM的电位下降很大，使M6 导通，VB由低电平转化为高电平，CO端输出电位接近VM电位。 　　模拟结果 　　芯片的所有功能和主要参数均用HSPICE 进行了模拟验证。图8 给出了过充电保护检测和释放波形图，图9 给出了过放电保护检测和释放波形图，其中COMP_OC 为过充电比较器的输出信号，COMP_OD 为过放电比较器的输出信号；芯片的过充电和过放电检测精度约为30mV，在正常工作时消耗的电流为3.23uA，在待机状态时消耗的电流为0.15uA。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/8.jpg 图8 过充电保护检测和释放波形图 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/9.jpg图9  过放电保护检测和释放波形图　　总 结 　　本文设计了一种单节锂离子电池保护芯片，它可用常规的P 阱或双阱CMOS工艺实现。为了提高检测异常情况的精度，芯片中引入了滤除干扰电路，放电过流采用三级保护机制，电压基准采用带隙基准源；为了降低功耗，采用了如下措施：将模拟电路偏置在弱反型区，引入了待机状态电路；另外，本文用巧妙的电路结构实现了待机状态电路、充电过流检测电路以及0V电池充电抑制电路。经过模拟验证，本文设计的芯片能有效防止锂离子电池在应用中所发生的过充电、过放电和过电流现象，并且具有良好的性能。

根据上述分析，本文设计的锂离子电池保护电路的系统框图如图3所示。系统主要包括控制逻辑电路（CONTROL LOGIC CIRCUIT）、取样电路（SAMPLE CIRCUIT）、过充电检测比较器（OVERDIACHARGE COMPARATOR）、过放电检测比较器（OVERDISCHARGE COMPARATOR）、过流1检测比较器（OVERCURRENT1 COMPARATOR）、过流2 检测比较器（OVERCURRENT2 COMPARATOR）、负载短路检测电路（LOAD SHORT DETECTION CIRCUIT）、充电过流检测电路（CHARGER DETEDTION CIRCUIT）、电平转换电路（CONVERTOR CIRCUIT）、基准电路（REFERENCE CIRCUIT）以及偏置电路（BIAS CIRCUIT）。其中，偏置电路在图3 中没有给出，电平转换电路同时能实现0V 充电抑制功能。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/3.jpg图3 锂离子电池保护电路系统框图 　　图3 中MN 在过电流时导通，它的作用是使过大的电流不经过FET1和FET2而通过MN流向地。MP与待机状态有关，待机状态电路的工作原理是：当保护电路进入过放电状态后，产生一个待机状态信号，使保护芯片中的大多数电路停止工作，它是通过控制逻辑电路和负载短路检测电路的配合完成的。M3的作用是在待机状态下，使采样电路不消耗静态电流。M4和M5分别用于实现过放电和过充电检测迟滞以滤除充放电过程中的波动干扰信号。而瞬时干扰信号的滤除由控制逻辑电路中的延时电路实现。 　　关键电路实现 　　锂离子电池保护芯片的性能，不仅与系统结构密切相关，与具体电路的实现也是密不可分的，下面的电路模块在整个芯片中具有关键的作用，本文从功耗和精度等角度考虑，提出了独特的设计方法。 　　待机状态电路 　　保护电路进入待机状态有赖于过放电状态的检测，进入待机状态后，为了减小功耗应使尽可能多的电路模块停止工作，但如果所有的检测电路都不工作，待机状态将无法退出，为此在设计负载短路检测电路时不引入待机状态控制信号，其目的即为在电池电压升高后使保护电路能及时退出待机状态。图4 给出了待机状态信号产生和撤销的原理图。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/4.jpg图4 待机状态实现电路　　图4 中SOD为过放电检测信号，系统处于正常状态时，SOD为高电平，VM为低电平，因此待机状态控制信号PowerD输出高电平、POWERDB输出低电平。当系统进入过放电状态时，SOD（延时后的信号）变为低电平，MP导通使VM变为高电平，最终使POWERD变为低电平、POWERDB变为高电平，它们控制保护电路相应模块停止工作，系统进入待机状态。当对电池进行充电时，由图1可知VM被强制拉到低电平，使负载短路检测电路的输出信号OUT_LSB变为高电平；此时，不论SOD为何值或非门都将输出低电平，POWERD由此变为高电平，这样，就可实现待机状态的退出。 　　基准电压电路 　　为了检测过充电、过放电和放电过流情况，检测比较器需要与基准电压进行比较。由于过充电检测和过放电检测电路之前有采样电路，它们可用相同的基准电压，而过流1 和过流2 需采用不同的基准电压。为了提高芯片的检测精度，电压基准采用受电源、温度和工艺影响较小的带隙基准源，如图5 所示为具体结构图，其中M1~M5 工作于弱反型区，因此该电路具有功耗较小的特点。 　　电路的工作原理为：由M1—M4和R5组成的自偏置电路产生具有正温度系数的电流，它在电阻R0所产生的压降和具有负温度系数的PN 结压降（D0上的压降）相加，从而输出零温度系数的基准电压VBD；为满足同一电路中输出不同的基准电压源，利用电阻分压将VBD 分成了VBI1及VBI2输出；C0和R6组成启动电路。 　　由图5 可知， VGSM2-VGSM1=IM2*R5。M3 和M4 组成电流镜，取相同的宽长比，则IM1=IM2。因为M1和M2工作于弱反型区，所以： http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/01.jpg　　式（1）中n为亚阈值因子，UT为热电势。M3和M5组成电流镜，则： http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/02.jpg　　设R=(R1+R2)//(R3+R4)，二极管的正向压降为VD，可以推导输出电压为： [url=]点击看原图[/url] http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/05.jpg　　由（3）—（5）式可知，基准电压的精度与电阻R0—R4 的精度直接相关，为此这些电阻需要采用调整（trimming）技术。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/5.jpg图5 电压基准电路　　充电过流检测电路 　　充电过流的检测归结为检测VM电压，其临界值为VCH（约为-1.3V）。如果所用工艺的MOS管阈值电压可以调节，负电压检测电路可用差分结构的比较器实现，其中比较器的一个输入端接地，并且两个差分对管的阈值电压需要调整。为了使该电路能用常规的CMOS 工艺实现，本文在过零比较器的基础上引入升压电路，如图6(a)所示当VM》VCHA时，升压电路使VN>0 。升压部分具体实现如图6(b)所示。 http://pagesadmin.ednchina.com/images/article/39e42380-5a74-4880-91d2-defd08608c3e/6.jpg图6 负压检测原理

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:53 编辑 这是一篇命题作文 这是杨澜留下的命题作文，接到题目的是300位在世的国内外精英，这300人给我们今天的世界带来了财富、色彩和激动。他们对于100年后的思考值得每个人聆听。当然，大多数人考虑不了那么远的事情。考虑好这一年、甚至这一个月的收入和肚子不饿的问题就已经很好了。想得远，需要足够的热量和储备，想得远，需要足够的智慧和悲悯。想得远，才会更加稳健地走好眼前的路。  

路上的新疆饭店02 老闫 上传了这个图片: