Jacktang 发表于 2025-2-21 07:33 abc三个样品都还没有进行中小批量测试么

C样阶段会有小批量

已确认信息无误，能按时完成任务。

1.先简单做一下自我介绍吧，自己从事硬件开发目前8年了，一开始是做消费电子，后来机缘巧合之下转行到了汽车电子，目前在某Tier1从事VCU控制器的研发工作，之前分享了静电整改的经验，借着这次活动就再分享一下MCU应用中的IO口因为ESD测试而发生损坏的问题分析以及整改方案吧。 2.问题描述：VCU控制器在静电ESD测试时，上电模式下，对某输入信号的线束，进行刺破线束绝缘层，并针对刺破点进行15KV空气放电，会导致MCU IO口损坏，具体表现是IO对地短路。 3.分析过程： a.该款MCU是某国产车规级MCU，这个项目基于国产化的需求第一次选用此国产车规级MCU，发生问题的IO口是用作输入信号检测，我又连续以相同方式测了多个输入信号,发现对应的MCU IO都发生了损坏，但是输入信号拓扑电路是固定的，很多项目都用了，从来没在ESD测试中出现过这种问题，所以觉得大概率是此型MCU是不是自身静电能力不达标导致的，那么目前就只有两种方案： 方案1.换掉该型MCU，重新选一款 方案2.调整输入电路的器件参数 方案1简单粗暴，但是换MCU意味这前期做的很多软硬件的工作都会白做，因此还是先尝试一下方案2吧。 b.静电防护一般有两种选择，一种是用TVS二极管防护，另外一种是采用静电电容防护，目前我们采用的方案是静电电容防护，成本比较低，同时电容封装也小，少占用PCB面积，静电电容容值越小，那么和静电干扰源分压后的电压就越高，也就是在静电测试时IO的电压就越高，所以首先我尝试增大电容容值，目前电容是22nF，当容值增大到100nF时，发现问题不复现，但是由于容值过大会降低采样信号的准确度，因此改成了TVS方案，TVS方案也能解决此问题。 c.其次是最后经过和厂家确认，发现此型号MCU IO口无集成钳位二极管（成本会更低），所以在面对静电干扰时，易发生损坏。 4.总结： 静电问题一般分析路径比较明确，同时也提醒我在选型时需要注意IO口是否集成钳位管，不能单纯考虑成本，毕竟MCU的钱是省下一部分，但是电容或TVS的钱又增加一部分，还是不太划算的。

问题2：推荐你喜欢或者想测评的开发板或其他电子产品。正点原子STM32F7系列开发板

问题1：你比较关注，感兴趣的技术点是什么？DCDC驱动电路设计以及EMC设计

已确认

TI的M0 MCU的技术规格内存大小、I/O 引脚数量、通信接口以及其他外设跟当前国产替代比起来并无优势， 唯一有优势的可能是用于MCU的开发工具和资源。这包括可用的软件开发工具包 (SDK)、集成开发环境 (IDE) 以及应用说明和示例等其他资源，所以比较适合个人学习吧。 另外就是MCU的质量和可靠性相对更好，比如MCU的工作温度范围、工作电压范围以及其他额定值。 但是MCU的成本来说，国产同规格已经完全碾压了。

管理员好： 我申请数字万用表和钳流表 我是一名电子硬件工程师，目前主要从事汽车电子硬件控制器开发，目前有六年的硬件开发经验。虽然不是专业开发数字万用表和钳流表，但是这两种工具是工作中使用比较多的，并且对于电流以及电压采样电路在日常工作用应用也较多，也是比较了解的，同时我个人也经常在各大网站上会发布相关的硬件知识文章，（比如电子发烧友https://www.elecfans.com/d/user/2229321和21IC网站），目前文章阅读量已突破30万+。 针对我申请的数字万用表和钳流表拆解，我会在拆解产品建议角度的基础上，结合硬件工程师的优势，对产品整体硬件架构，硬件模块电路，器件选型，以及关键IC PCB布局等角度进行测评。 虽然之前没有参加过论坛的拆解活动，但是拆解产品是硬件工程师的基本功，自己后续也会踊跃参加论坛的相关活动的，谢谢。  

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