小太阳yy

  • 2024-06-16
  • 回复了主题帖: 引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?

    maychang 发表于 2024-6-16 17:50 【还有个类似的规格书 可能解释的更清楚一点】 Sorry!我也不懂。 我想问下 流入芯片的电流是负值,还是流出芯片引脚的电流是负值?

  • 回复了主题帖: 引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?

    maychang 发表于 2024-6-16 16:32 看到了第九章。该引脚功能是唤醒。 我觉得高电平唤醒时,电流在上拉电流源中的方向与图中方向相反,即 ... 老师还有个类似的规格书 可能解释的更清楚一点 参照8.4.1.5.2     规格书中给出了计算周边电阻的方法,但是我没看懂,因为还是没搞懂 这个电流是怎么流动的,您再帮忙看看

  • 回复了主题帖: 引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?

    maychang 发表于 2024-6-16 10:58 【引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?】 显然上拉下拉电流源增加了滞回比较器的滞回电压。   可以看到他规格书中的给出了引脚输入的阈值电压典型是3V,下面还存在上拉下拉的电流值,而且他的说明时外部的输入电压没有串联电阻的情况下,那入如果我外部输入电压的时候再额外串联电阻,这个阈值电压值会变吗?有点搞不清楚了

  • 回复了主题帖: 引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?

    本帖最后由 小太阳yy 于 2024-6-16 15:44 编辑 maychang 发表于 2024-6-16 11:37 【引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?】 最好把该芯片的说明书贴出来。 老师,我把规格书放在了4楼的位置上 然后相关的内容在第九章,WK引脚相当于检测电平,检测到高电平输入的时候上拉开关打开,检测到低电平的时候下拉开关打开, 我现在没搞清楚,它这个上拉下拉的时候电流是从哪里流向哪里的  

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  • 发表了主题帖: 引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思?

      引脚内部存在上拉下拉电流源是什么意思? 老师能帮忙看看这个芯片的引脚,他这个芯片有个机制,输入WK的电压是高电平的时候上拉开关打开,输入引脚是低电平的时候下拉开关打开, 那电流到底是从哪里流向哪里的呀?请老师帮忙看看

  • 2024-06-14
  • 发表了主题帖: charge pump里的钳位电路是什么意思?

    下图中是某个芯片中的电荷泵电路,VS是芯片的输入电压,VCP是电荷泵输出引脚,他这里面的Clampin Cirruit ,钳位电路是什么意思呀?没太看懂      

  • 2024-05-28
  • 发表了主题帖: MOS管的SOA区域该如何理解?

    MOS管的SOA区域如下,可以看到规格书中的SOA区域分为,1,2,3,4    4个部分,这个该怎么理解呢? 可以看到SOA区域是VDS电压与ID电流的曲线,在VDS比较小的时候,限制MOS管的是1   区域? 随着VDS一点点增加,没理解为啥非要标记出来1是RDSON,2是电流,3是功率,4是DS最高电压,直接说明VDS与ID的关系不就行了,为啥要分出来1,2,3,4呢,最终的结果不就是VDS的值限制了 ID电流吗?    

  • 2024-05-27
  • 发表了主题帖: 无钳位电感开关 (UIS) MOS管的非钳位电感开关测试是哪里来的?

    无钳位电感开关 (UIS)  MOS管的非钳位电感开关测试是哪里来的? 是有什么测试标准吗?

  • 2024-05-26
  • 发表了主题帖: 三极管的极限参数问题

    可以从以下规格书中可以看出,三极管有三个极限电压参数 VCBO ,VCEO,VEBO  我可以理解当 VCEO的耐压时,是IB=0的情况,也就是B 开路的情况下,CE的电压是最高的 那为什么VCBO耐压时,是E 开路?为什么是E 开路的情况下,CB的电压是最高的? 还有为什么EB 耐压时,是C开路? 为什么是C开路的情况下,EB的电压是最高的?        

  • 发表了主题帖: 二极管的正向导通的瞬间会有一个正向高电压产生?

    二极管的正向导通的瞬间会有一个正向高电压产生?这个电压产生的原因是啥? 如下图所示,在二极管导通的过程中,在IF电流,和VF电压达到正常值之前,VF会冲上去一个高电压? 这个电压是如何产生的?  

  • 回复了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    maychang 发表于 2024-5-26 07:18 但是还应该看到:时间 ts 和 tt 与最大反向电流有关,与电压突变前的正向电流IF有关,这就不是结电容所能 ... 有点搞不清楚了,目前对这块还有4个问题没搞太清楚,目前我自己的理解如下:但不知道 是不是正确的,请老师指正 1)二极管反向恢复时的最大电流与哪些参数有关 首先跟反向截止时的电压VR大小有关系,VR越大,反向最大电流越大 其次跟正向导通时的电流有关系,正向导通时存储的电荷越多,反向时的最大电流越大(这个说法不知道对不对) trr的时间越短,反向最大电流越大(是否正确?为什么?) 是否还有其他因素? 2)Trr的时间与哪些参数有关 反向电源电压越小,反向恢复电流越小,电荷耗尽越慢,反向恢复时间越长。 正向电流越大,存储的电荷越多,耗尽时间越长,反向恢复时间越长。 半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长。 3)trr如果时间很短的话,在反向电流接近0的地方是否会容易发生振荡 是的,如果trr时间很短,容易发生振荡,产生EMI问题 4)trr的长短和二极管的规格书中的结电容大小有关系吗?  规格书中的结电容一般为扩散电容的容量,与反向恢复时间关系不大,与反向恢复时间强相关的是势垒电容,一般在规格书中未标记。 不知道我上面的理解是否有问题? 请老师指正

  • 2024-05-25
  • 回复了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    maychang 发表于 2024-5-25 21:58 这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些 ...    这是在网上看到的 反向恢复的解释,我想问一下,最大反向电流IR是有什么决定的呢?  图中的公式是IR=VR/RL,那是不是可以理解为,反向电压越大,电路中的等效电阻越小,最大反向电流IR会越大,这样理解正确吗?或者说是结电容越大,存储的电荷越多,最大反向电流越大?有点想不明白了

  • 回复了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    maychang 发表于 2024-5-25 21:58 这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些 ...    是这个电容吗?

  • 回复了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    maychang 发表于 2024-5-25 21:23 记得IFSM电流是指半波有效值,不是峰值。所以你那个图标注错了,成了峰值了。 明白了,老师,那我还有一个问题,二极管的反向恢复时间,跟规格书里标注的结电容大小有关系吗 为什么会反向出现一个很大的反向电流呢?

  • 回复了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    maychang 发表于 2024-5-25 20:24 【这个单次正弦波浪涌时间为8.3MS的波形到底是啥样的呀?】 就是半个60Hz正弦波的波形。美国工业电网频 ...   是这样的吗 老师,还有我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗?还是能承受重复的这个波形?

  • 发表了主题帖: 二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值

    二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值 , IFSM表示二极管最大非重复性、保持单一的浪涌电流。其值在特定的测试脉冲时间和环境温 度(TA=25°C)下定义.在频率60Hz的交流整流应用中,被用作整流器,整流器通常注明IFSM规范 为单次半正弦波浪涌时间为8.3ms,供客户参考。‘ 以上是规格书中对二极管浪涌峰值的描述,我想问一下,这个单次正弦波浪涌时间为8.3MS的波形到底是啥样的呀?’

  • 2024-05-23
  • 回复了主题帖: 电感的饱和电流大小跟温度有关吗

    maychang 发表于 2024-5-23 20:40 【电感的RMS电流大小跟温度有关吗?】 RMS电流是指电流有效值么?电感中电流并不是由电感自身决定的,电 ... 老师,是的,是有效电流, 可能我描述的不正确,我想问的其实是在规格书中,电感有最大有效电流的限制,我想问的是,当环境温度改变时,这个限制值会不会改变

  • 回复了主题帖: 电感的饱和电流大小跟温度有关吗

    maychang 发表于 2024-5-23 20:39 【电感的饱和电流大小跟温度有关吗】 电感饱和,是因为电感使用的磁性材料达到饱和(磁通密度B的增加随 ... 下面的图是电感的电流信息,我想问下参数中的饱和电流会不会随着电感温度的上升而下降,就比如环境温度25摄氏度时,电流达到5A时,电感就会饱和,环境温度升高到85,会不会电感电流4A的时候电感就饱和了?    

  • 发表了主题帖: 电感的饱和电流大小跟温度有关吗

    想问一下,电感的饱和电流大小跟温度有关吗,还有电感的RMS电流大小跟温度有关吗?

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