买过上一版本《开关电源设计(第2版)》，里面讲的内容还是浅显易懂，初学者入门推荐~~

我是做电源仿真的,其实如果只是仿基本原理性的东西,大部分仿真软件都能用.如果仿真特别细节的东西,推介用saber,特点是模型精细,出错时给的信息详细,但仿真速度慢;如果需要仿真环路,推介用simplis,特点是器件线性化,仿真速度快,但报错的信息有时无法定位到真正错误.

现在手机电池容量大,同时充电电流更大,通常大于1c,对电池寿命肯定有影响. 比如小米120w快充,9分钟充满电.手机电池寿命肯定长不了

电容放电i=C*du/dt，没有泄放电阻，理论上电容两端电压瞬间到0V，那么电容放电电流理论上为无穷大，没有哪个实际电容可以扛得住

国外有些大厂的datasheet的确写得很详细，参数描述，理论，计算都很全。但是国内厂商的产品datasheet就真的没法看，有用的东西太少了

非常棒的资料，找了很久了，终于找到华为全套的资料了

主要是解传导的EMI用。不加这个电阻，off时Vds会出现较大的ring，电阻加的越大，ring会衰减的越快，但相应的rcd吸收效果也变差了，Vds off时初始毛刺会变高。

根据客户输出纹波的spec，计算得到所需esr。在电容spec中在开关频率常温曲线找比计算值小一点的电容即可。

现在反激电路的输出一般都是采用电解电容加固态电容的组合，比如470uF电解+470uF固态电容。电解电容可以提供低频的零点，固态电容可以提供较小的esr。

电路里的芯片没有工作,所以输入电压通过二极管直接到输出.先看看有没有元件虚焊了~~~

电路作用是限制大于12V的电压(低了可以直通),同时可以防止反接.

ESD器件都是有最大瞬时功耗及稳态功耗限制的,超过了也会坏的,而且和温度也有很大关系,温度越高功率降级也就越大.在Datasheet中可以看到相关的内容,比如Peak Pulse Power Rating Curve