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  • 2025-02-27

  • 发表了主题帖： 安森美新品 NTMFS4925NT1G MOSFET - 功率，单，N 沟道，NCV57001DWR2G 栅极驱动器

    深圳明佳达电子推出安森美新品 NTMFS4925NT1G MOSFET - 功率，单，N 沟道, SO-8 FL, 30 V, 48 A，NCV57001DWR2G 隔离式大电流 IGBT 栅极驱动器，原厂原装，欢迎咨询！   描述 1、NTMFS4925NT1G 一款单 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能。   型号：NTMFS4925NT1G 类型：N 沟道 MOSFET 封装：DFN5   特点 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低 低电容，将驱动器损耗降至最低 优化栅极电荷，将开关损耗降至最低 针对 5 V、12 V 栅极驱动器进行了优化 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范   应用 CPU 电源交付 DC-DC 转换器   2、NCV57001DWR2G是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道 IGBT 驱动器，专为大功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的 UVLO、DESAT 保护和 DESAT 软关断。NCV57001DWR2G在输入侧可容纳 5 V 和 3.3 V 信号，在驱动器侧可容纳宽偏置电压范围，包括负电压能力。NCV57001DWR2G提供 > 5 kVrms（UL1577 额定值）电隔离和 > 1200 VIORM（工作电压）能力。NCV57001DWR2G采用宽体 SOIC-16 封装，输入和输出之间保证有 8 毫米的爬电距离，以满足强化安全绝缘要求。   型号：NCV57001DWR2G 类型：栅极驱动器 封装：SOIC-8（表面贴装封装）   特点 IGBT 毫峰电压下的高电流输出（+4/-6 A 输出阻抗低，可增强 IGBT 驱动能力 精确匹配的短传播延迟 有源米勒钳位，防止栅极误导通 具有可编程延迟的 DESAT 保护 DESAT 的负电压（低至 -9 V）能力 IGBT 短路期间软关断 短路期间的 IGBT 栅极钳位 IGBT 栅极主动下拉 严格的 UVLO 阈值实现偏置灵活性 宽偏置电压范围，包括负 VEE2 3.3 V 至 5 V 输入电源电压 专为 AEC-Q100 认证而设计 5000 V 电隔离（符合 UL1577 要求） 1200 V 工作电压（符合 VDE0884-10 要求） 高瞬态抗扰度 高电磁抗扰性 这些器件无铅、无卤素，符合 RoHS 规范   典型应用 汽车电源 混合动力汽车/电动汽车动力总成 OBC BSG 电动汽车充电器 PTC 加热器

  • 2025-02-22

  • 发表了主题帖： 芯片：Spartan-3A DSP FPGA XC3SD1800A-4FGG676C FPGA - 现场可编程门阵列

    明佳达原装现货供应芯片：Spartan-3A DSP FPGA XC3SD1800A-4FGG676C FPGA - 现场可编程门阵列，全新原装，价格优势，欢迎咨询！   描述：XC3SD1800A-4FGG676C 是 Spartan-3A DSP 系列的现场可编程门阵列（FPGA）芯片，适用于高性能计算和数字信号处理应用。   品牌：XILINX 型号：XC3SD1800A-4FGG676C 批次：新   产品属性 产品种类:    FPGA - 现场可编程门阵列     系列:    XC3SD1800A     逻辑元件数量:    37440 LE     自适应逻辑模块 - ALM:    16640 ALM     嵌入式内存:    1.48 Mbit     输入/输出端数量:    519 I/O     电源电压-最小:    1.14 V     电源电压-最大:    1.26 V     最小工作温度:    0 C     最大工作温度:    + 85 C     安装风格:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    FBGA-676     分布式RAM:    260 kbit     内嵌式块RAM - EBR:    1512 kbit     最大工作频率:    250 MHz     湿度敏感性:    Yes     栅极数量:    1800000     工作电源电压:    1 V     商标名:    Spartan

  • 2025-02-21

  • 发表了主题帖： 英飞凌 IPD50P04P4L-11 汽车 MOSFET 和 TLE8209-2E 马达/运动/点火控制器和驱动器

    明佳达电子全新原装出售英飞凌 IPD50P04P4L-11 汽车 MOSFET 和 TLE8209-2E 马达/运动/点火控制器和驱动器，价格优势，欢迎咨询！   产品详情 IPD50P04P4L-11 -40V，P-Ch，最大 10.6 mΩ，汽车 MOSFET，DPAK，OptiMOS™-P2   产品属性 产品种类: MOSFET   技术: Si   安装风格: SMD/SMT   封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)   晶体管极性: P-Channel   通道数量: 1 Channel   Vds-漏源极击穿电压: 40 V   Id-连续漏极电流: 50 A   Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms   Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V   Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V   Qg-栅极电荷: 45 nC   最小工作温度: - 55 C   最大工作温度: + 175 C   Pd-功率耗散: 58 W   通道模式: Enhancement   资格: AEC-Q100   配置: Single   下降时间: 39 ns   高度: 2.3 mm   长度: 6.5 mm   上升时间: 9 ns   系列: XPD50P04   工厂包装数量: 2500   晶体管类型: 1 P-Channel   典型关闭延迟时间: 46 ns   典型接通延迟时间: 12 ns    潜在应用 用于电机桥（半桥、H 桥、三相电机）的高压侧 MOSFET 可使用 40V P 沟道作为高压侧器件实现电桥配置，无需充电泵   TLE8209-2E 是一款 SPI 可编程 H 桥，设计用于控制汽车应用中对安全至关重要的直流电机。它具有四个可选电流范围、两个可选压摆率设置以及通过 SPI 进行的广泛诊断。该器件可监控数字电源电压 VDD，并在 VDD 过压或欠压时关闭输出级，从而在数字控制电路发生故障时提供安全的关断路径。为了降低极端热条件下的功耗，当结温超过 165°C 时，电流限制阈值会线性降低。SPI 中设置了一个热警告位。两个半桥也可独立用于驱动两个独立的负载，如电磁阀或单向直流电机。   产品属性 电机类型 - AC，DC： 有刷直流   功能： 驱动器 - 全集成，控制和功率级   输出配置： 半桥（2）   接口： SPI   技术： 功率 MOSFET   电流 - 输出： 8.6A   电压 - 供电： 4.4V ~ 5.25V   电压 - 负载： 4.5V ~ 28V   工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）   等级： 汽车级   安装类型： 表面贴装型   封装/外壳 ：20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）祼焊盘   供应商器件封装： PG-DSO-20-65 

  • 2025-02-20

  • 发表了主题帖： 汽车微控制器 SPC560D40L3C4E0X 基于 Power Architecture® 的 32位 MCU

    明佳达电子原厂供应汽车微控制器 SPC560D40L3C4E0X 基于 Power Architecture® 的 32位 MCU，适用于汽车车身电子应用，全新现货，大量供应，欢迎咨询！   产品详情 描述： SPC560D40L3C4E0X 32 位汽车微控制器是一个系统级芯片 (SoC) 器件系列，旨在成为下一波车身中央控制器、智能接线盒、前端模块、车身外设、车门控制和座椅控制应用开发的核心。该系列是基于 Power Architecture 技术、专为嵌入式应用设计的下一代集成汽车微控制器系列之一。该汽车控制器系列采用先进且经济高效的 e200z0h 主处理器内核，符合 Power Architecture 技术，仅实现了 VLE（可变长度编码）APU（辅助处理单元），并提高了代码密度。它的运行速度高达 48 MHz，可提供高性能处理，并针对低功耗进行了优化。它充分利用了当前功率架构器件的可用开发基础架构，并提供软件驱动程序、操作系统和配置代码支持，以协助用户实施。该器件平台具有单级存储器层次结构，可支持各种片上静态随机存取存储器（SRAM）和内部闪存。   基本特性： 核心架构：32 位 e200z0h 单核处理器，主频最高可达 48MHz 存储器： 256KB 闪存（256K x 8） 16KB SRAM 封装类型：100-LQFP（14x14） 工作温度范围：-40°C 至 +125°C 外设与接口 通信接口：支持 CANbus、LINbus、SPI、UART/USART I/O 数量：79 个 模拟接口：33 通道 12 位 ADC 其他外设：DMA、LVD、POR、PWM、WDT   应用：  汽车车身控制模块 发动机管理系统 安全系统（如安全气囊控制、防抱死制动系统） 工业控制系统

  • 2025-02-19

  • 发表了主题帖： 电源管理 IC MP6501AGF 马达/运动/点火控制器和驱动器 , MP5048GU 热交换电压控制器

    明佳达电子提供【Monolithic Power Systems (MPS)】电源管理 IC MP6501AGF 马达/运动/点火控制器和驱动器 , MP5048GU 热交换电压控制器，全新原装现货   产品描述： 1.MP6501AGF是一款内置微型步进转换器的步进电机驱动器。它的工作电源电压高达 35V，可提供高达 2.5A 的电机电流。MP6501AGF可以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式操作双极步进电机。内部安全功能包括过流保护、输入过压保护、欠压锁定和热关断。该器件具有固定的 3.3V 基准输出，因此无需任何控制电源即可工作，并可与任何微控制器配合使用。开关的振幅低至 220mΩ。电流检测由外部电阻器完成。MP6501AGF采用节省空间的 TSSOP-28 封装，带有裸露的散热垫。   产品属性（型号：MP6501AGF） 产品种类:    马达/运动/点火控制器和驱动器     产品:    Stepper Motor Controllers / Drivers     类型:    Full Bridge     输出电流:    2.5 A     工作电源电流:    7 mA     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 125 C     安装风格:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    TSSOP-EP-28      湿度敏感性:    Yes     输出端数量:    2 Output     工作频率:    525 kHz     输出电压:    3.3 V     Pd-功率耗散:    3.9 W     电源电压-最大:    35 V     电源电压-最小:    8 V   2.MP5048GU热插拔控制器包含一个高压侧 MOSFET 和电路，可作为独立设备运行。MP5048GU 也可由热插拔控制器控制。每个 MP5048 器件能够驱动高达 15A 的连续电流。当电路卡插入带电背板电源时，该器件可限制负载的浪涌电流。这限制了背板的压降。MP5048GU 还通过限流参考输入控制栅极电压，从而限制内部 MOSFET 电流。   规格（型号：MP5048GU） 产品种类:    热交换电压控制器     产品:    Controllers & Switches     电流限制:    15.5 A     电源电压-最大:    60 V     电源电压-最小:    24 V     工作电源电流:    2.2 mA     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 125 C     安装风格:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    QFN-30       功率失效检测:    Yes        输入/电源电压—最大值:    60 V     输入/电源电压—最小值:    24 V     Pd-功率耗散:    5.58 W

  • 2025-02-18

  • 发表了主题帖： C2000 实时微控制器 TMS320LF2401AVFA 16 位 DSP、40MHz 频率、8kw 闪存、32 引脚

    明佳达，原装供应C2000 实时微控制器 TMS320LF2401AVFA 16 位 DSP、40MHz 频率、8kw 闪存、32 引脚   说明 TMS320LF2401AVFA器件是 TMS320C24x™ 系列数字信号处理器 (DSP) 控制器的新成员，是定点 DSP TMS320C2000™ 平台的一部分。Lx2401A 器件采用 C2xx 内核 CPU 的增强型 TMS320™ DSP 架构设计，具有低成本、低功耗和高性能的处理能力。该器件集成了多个针对数字电机和运动控制应用进行了优化的先进外设，是真正的单芯片 DSP 控制器。   TMS320LF2401A的特性 高性能静态 CMOS 技术 25-ns 指令周期时间（40 MHz） 40-MIPS 性能 低功耗 3.3-V 设计 基于 TMS320C2xx DSP CPU 内核 代码与 240x 和 F243/F241/C242 兼容 指令集与 F240 兼容 片上存储器 高达 8K 字 x 16 位的闪存 EEPROM（2 扇区）(LF2401A) 8K 字 x 16 位 ROM (LC2401A) 片上闪存/ROM 的可编程 “代码安全 ”功能 高达 1K 字 x 16 位的数据/程序 RAM 544 字双存取 RAM 多达 512 字的单访问 RAM 引导 ROM SCI 引导加载器 事件管理器 (EV) 模块 (EVA)，包括 两个 16 位通用定时器 七个 16 位脉宽调制 (PWM) 通道，可实现 三相逆变器控制 PWM 通道的中心对齐或边缘对齐 通过外部 PDPINTA 引脚紧急关闭 PWM 通道 可编程死区（死区时间）防止击穿故障 一个用于外部事件时间标记的捕获单元 选定引脚的输入限定符 同步 A-D 转换 专为交流感应、BLDC、开关磁阻和步进电机控制而设计 占地面积小（7 毫米 × 7 毫米），非常适合空间有限的应用场合 看门狗 (WD) 定时器模块 10 位模数转换器 (ADC) 5 个多路复用输入通道 500 ns 最短转换时间 由事件管理器触发的可选双通道 8 态序列器 串行通信接口 (SCI) 基于锁相环 (PLL) 的时钟发生器 多达 13 个可单独编程的多路复用通用输入/输出 (GPIO) 引脚 用户可选的双外部中断（XINT1 和 XINT2） 电源管理： 三种断电模式 能够独立关闭每个外设的电源 实时 JTAG 兼容型扫描仿真，符合 IEEE 标准 1149.1 (JTAG) 开发工具包括 德州仪器 (TI) ANSI C 编译器、汇编器/链接器和 Code Composer Studio™ 调试器 评估模块 基于扫描的自仿真 (XDS510™) 广泛支持第三方数字电机控制 32 引脚 VF 扁平四扁平封装 (LQFP) 扩展温度选项（A 和 S） A：-40°C 至 85°C S：-40°C 至 125°C   技术参数 核心:    C24x     内核数量:    1 Core     最大时钟频率:    40 MHz     封装 / 箱体:    LQFP-32     程序存储器大小:    16 kB     数据 RAM 大小:    2 kB     工作电源电压:    3.3 V     商标名:    C2000     安装风格:    SMD/SMT     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 85 C     数据总线宽度:    16 bit     I/O 电压:    3.3 V, 5 V

  • 2025-02-17

  • 发表了主题帖： 功率IGBT（600V）IGW30N60H3 和 IGW20N60H3 IGBT 分立式，采用 TO-247 封装

    明佳达电子【现货供应】功率IGBT（600V）IGW30N60H3 和 IGW20N60H3 IGBT 分立式，采用 TO-247 封装   器件说明 IGW30N60H3采用 TO247 封装的高速 600 V，30 A 单通道 TRENCHSTOP™ IGBT3 在开关和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是具有类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现了较低的关断损耗。   IGW20N60H3采用 TO247 封装的高速 600 V，20 A 单通道 TRENCHSTOP™ IGBT3 在开关和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是具有类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现了较低的关断损耗。   优点 开关和传导损耗低 极佳的电磁干扰性能 可与较小的栅极电阻器配合使用，以减少延迟时间和电压过冲 高电流密度 同类最佳的 600 V IGBT 效率和 EMI 性能   应用 光伏 不间断电源 (UPS)   产品属性 1、IGW30N60H3——绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT 产品种类:    绝缘栅双极晶体管(IGBT)     技术:    Si     封装 / 箱体:    TO-247-3     安装风格:    Through Hole     配置:    Single     集电极—发射极最大电压 VCEO:    600 V     集电极—射极饱和电压:    1.95 V     栅极/发射极最大电压:    - 20 V, 20 V     在25 C的连续集电极电流:    60 A     Pd-功率耗散:    187 W     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 175 C   2、IGW20N60H3——绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT 产品种类:    绝缘栅双极晶体管(IGBT)         技术:    Si     封装 / 箱体:    TO-247-3     安装风格:    Through Hole     配置:    Single     集电极—发射极最大电压 VCEO:    600 V     集电极—射极饱和电压:    1.95 V     栅极/发射极最大电压:    - 20 V, 20 V     在25 C的连续集电极电流:    40 A     Pd-功率耗散:    170 W     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 175 C

  • 2025-02-14

  • 发表了主题帖： 工业闪存（512Mb）S79FL512SDSMFBG03 NOR Flash 存储器芯片

    明佳达【原装供应】工业闪存 S79FL512SDSMFBG03 NOR Flash 存储器芯片 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC   器件描述 S79FL512SDSMFBG03器件用单个 CS# 连接两个四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 数据路径。这种字节 I/O 接口称为双四路 I/O。这些器件通过 SPI 连接到主机系统。支持传统的 SPI 单位串行输入和输出（IO1 和 IO5），以及四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。这种多宽度接口称为 SPI 多 I/O 或 MIO。此外，这两款器件还增加了对 QIO 的 DDR 读取命令的支持，可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。   产品属性 产品种类:    NOR闪存       系列:    S79FL512     存储容量:    512 Mbit     电源电压-最小:    2.7 V     电源电压-最大:    3.6 V     有源读取电流（最大值）:    180 mA     组织:    64 M x 8     数据总线宽度:    8 bit   应用领域 汽车电子系统，如仪表盘、信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS） 工业控制和物联网设备

  • 2025-02-13

  • 发表了主题帖： 驱动芯片 LM5109BMAX 1A、100V 半桥栅极驱动器

    介绍 LM5109BMAX器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器， 专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟 道 MOSFET 而设计。悬空 高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输 出通过经济高效的 TTL 和 CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换 技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从 控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器 件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。   明佳达【供应】驱动芯片 LM5109BMAX 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器   LM5109BMAX—特性 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流） 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入 自举电源电压高达 108VDC 短暂传播时间（典型值为 30ns） 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns) 支持电源轨欠压锁定 低功耗   LM5109BMAX—技术参数 激励器数量:    2 Driver     输出端数量:    2 Output     输出电流:    1 A     电源电压-最小:    8 V     电源电压-最大:    14 V     上升时间:    15 ns     下降时间:    15 ns     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 125 C     逻辑类型:    TTL     最大关闭延迟时间:    2 ns     最大开启延迟时间:    2 ns     工作电源电流:    1.8 mA     工作电源电压:    7.5 V to 14 V   LM5109BMAX——应用 电流反馈推挽式转换器 半桥和全桥电源转换器 固态电机驱动器 双开关正激电源转换器

  • 2025-02-12

  • 发表了主题帖： TPS53626RSMR 开关控制器/CC2650F128RSMR 32位无线MCU

    TPS53626RSMR适用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+™ 降压控制器 产品属性——TPS53626RSMR 应用 控制器，Intel VR13   电压 - 输入 0.25V ~ 1.52V   输出数 1   电压 - 输出 4.5V ~ 28V   工作温度 -40°C ~ 105°C   安装类型 表面贴装型   封装/外壳 32-VFQFN 祼焊盘   供应商器件封装 32-VQFN（4x4）    CC2650F128RSMR 具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 多协议 2.4GHz 无线 MCU 产品规格——CC2650F128RSMR 类型 TxRx + MCU   射频系列/标准 802.15.4，蓝牙   协议 6LoWPAN，蓝牙 v4.1，Zigbee®   调制 DSSS，O-QPSK，GFSK   频率 2.4GHz   数据速率（最大值） 1Mbps   功率 - 输出 5dBm   灵敏度 -100dBm   存储容量 128kB 闪存，28kB SRAM   串行接口 I2C，I2S，JTAG，SPI，UART   GPIO 10   电压 - 供电 1.8V ~ 3.8V   电流 - 接收 5.9mA ~ 6.1mA   电流 - 传输 6.1mA ~ 9.1mA   工作温度 -40°C ~ 85°C   安装类型 表面贴装型   封装/外壳 32-VFQFN 祼焊盘   供应商器件封装 32-VQFN（4x4）    【供应】大量现货 TPS53626RSMR 开关控制器，CC2650F128RSMR 32位无线MCU，全新原装，质量保证，价格优势，实单可详谈！

  • 2025-02-11

  • 发表了主题帖： [QFN-16] Skyworks SI53307-B-GMR 超低抖动时钟扇出缓冲器

    明佳达提供[QFN-16] Skyworks SI53307-B-GMR 超低抖动时钟扇出缓冲器，适用于多种通信和高性能计算应用。该芯片采用先进的CMOS技术，支持1MHz至725MHz的宽频率范围。   产品型号：SI53307-B-GMR 批号：24+ 封装：QFN-16 类型：扇出缓冲器（分配），多路复用器   主要特点 超低附加抖动： 50 fs rms 内置 LDO，具有高 PSRR 性能 多达 10 路输出 任意格式输入（LVPECL、Low-powerLVPECL、LVDS、CML、HCSL、LVCMOS） 宽频率范围 输出启用选项 多种配置选项 双组选项 2:1 输入多路复用操作 同步输出启用 信号丢失 (LOS) 监控输入时钟丢失 输出时钟分频： /1, /2, /4 符合 RoHS 规范，无铅 温度范围：-40 至 +85 °C

  • 2025-02-10

  • 发表了主题帖： 供应 IPC100N04S5-1R9 汽车级MOSFET，USB 2.0 USB3320C-EZK USB 接口集成电路

    明佳达电子现货供应 IPC100N04S5-1R9 汽车级MOSFET，USB 2.0 USB3320C-EZK USB 接口集成电路，提供原装正品，库存充足，欢迎联系！！！   产品详情： 1、IPC100N04S5-1R9高性能汽车级MOSFET，该产品属于OptiMOS™ 5系列，专为汽车电子应用设计，具备卓越的电气性能和可靠性。   IPC100N04S5-1R9—表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-34   产品属性 FET 类型： N 通道   技术： MOSFET（金属氧化物）   漏源电压（Vdss）： 40 V   25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：100A（Tc）   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V   不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 @ 50A，10V   不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） ：3.4V @ 50µA   不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC @ 10 V   Vgs（最大值）： ±20V   不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF @ 25 V   FET 功能： -   功率耗散（最大值）： 100W（Tc）   工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）   等级： 汽车级   资质： AEC-Q101   安装类型： 表面贴装型   供应商器件封装： PG-TDSON-8-34   封装/外壳： 8-PowerTDFN    2、Microchip USB3320C-EZK是一款高速 USB 2.0 收发器，可提供可配置的物理层 (PHY) 解决方案，是各种产品的绝佳搭配。用户可选择参考时钟的频率。USB3320 包括一个内部振荡器，可与石英晶体或陶瓷谐振器配合使用。另外，晶体输入可由外部时钟振荡器驱动。另一种选择是在使用 ULPI 输入时钟模式时使用 60MHz 的外部时钟。   规格 产品种类:    USB 接口集成电路         系列:    USB3320     产品:    USB 收发器 类型:    收发器 安装风格:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    QFN-32     标准:    USB 2.0     速度:    High Speed (HS)     数据速率:    480 Mb/s     电源电压-最小:    1.6 V     电源电压-最大:    3.6 V     工作电源电流:    5.6 mA     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 85 C   应用 USB3320C-EZK适用于任何需要高速 USB 连接，且必须尽量减少电路板空间、电源和接口引脚的应用。 USB3320C-EZK非常适合以下应用： 网络 音频视频 医疗 工业计算机 打印机 中继器 通信

  • 2025-02-08

  • 发表了主题帖： 单片机 STM32L151VCT6与STM32L083RZT6 超低功耗32位微控制器

    明佳达电子现货供应 STM32L151VCT6与STM32L083RZT6 超低功耗32位微控制器，助力高效嵌入式设计   STM32L151VCT6 产品介绍 STM32L151VCT6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的超低功耗32位微控制器，基于ARM Cortex-M3内核，最高工作频率可达32MHz。该芯片集成了高性能处理能力、丰富的外设接口和多种低功耗模式，适用于需要节能特性的嵌入式应用。 主要特性： Cortex-M3内核，最高32MHz工作频率 256KB闪存和32KB SRAM 支持多种低功耗模式，包括睡眠、待机和停机模式 集成USB 2.0全速接口 丰富的外设接口，包括SPI、I2C、USART等 产品应用： 物联网设备 便携式医疗设备 智能仪表 消费电子产品   STM32L083RZT6 产品描述 STM32L083RZT6 是一款由意法半导体推出的超低功耗32位微控制器，基于ARM Cortex-M0+内核。该芯片以低功耗和高性能著称，适用于多种低功耗应用场景。 特性： Cortex-M0+内核，最高32MHz工作频率 192KB闪存和20KB SRAM 集成多种低功耗模式，适合电池供电设备 支持USB 2.0全速接口 集成LCD控制器，适用于需要显示功能的应用 应用： 物联网传感器节点 便携式医疗设备 智能仪表 消费电子设备   如需了解更多产品详情或进行采购，欢迎联系。

  • 2025-02-07

  • 发表了主题帖： 电子IC：ADS1291IPBSR 模拟前端 (AFE)，AD5246BKSZ5 数字电位器 SC-70-6

    明佳达电子【原装现货】供应电子IC：ADS1291IPBSR 模拟前端 (AFE)，AD5246BKSZ5 数字电位器 SC-70-6   描述： 1.ADS1291IPBSR是适用于 ECG 应用的 24 位、1 通道、低功耗模拟前端 (AFE)。   特性： 两个低噪声 PGA 和两个高分辨率 ADC（ADS1292 和 ADS1292R） 低功耗：335µW/通道 输入参考噪声：8µVPP（150Hz 带宽，G = 6） 输入偏置电流：200pA 数据速率：125SPS 至 8kSPS CMRR：120dB 可编程增益：1、2、3、4、6、8 或 12 电源：单极或者双极 模拟：2.7V 至 5.25V 数字：1.7V 至 3.6V 内置右腿驱动放大器、持续断线检测、测试信号 集成型呼吸阻抗测量 (ADS1292R) 内置振荡器和基准 灵活的断电、待机模式 SPI™兼容串行接口 工作温度范围：–40°C 至 +85°C   2.AD5246BKSZ5为 128 位调节应用提供了一种紧凑型 2 mm × 2.1 mm 封装解决方案。该器件执行与可变电阻器相同的电子调节功能。这些低温度系数器件提供四种不同的端对端电阻值（5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ），是高精度、高稳定性可变电阻调节的理想之选。 刮片设置可通过 I2C 兼容数字接口进行控制，该接口还可用于回读当前刮片寄存器的控制字。刮片与固定电阻器任一端点之间的电阻随传输到 RDAC1 锁存器的数字代码线性变化。 工作电压为 2.7 V 至 5.5 V，功耗为 3 μA，可用于便携式电池供电应用。   AD5246BKSZ5规格 产品种类:    数字电位计 IC        系列:    AD5246     电阻:    5 kOhms     温度系数:    35 PPM / C     容差:    30 %     POT 数量:    Single     每 POT 分接头:    128 Tap     弧刷存储器:    Non Volatile     数字接口:    I2C     工作电源电压:    2.7 V to 5.5 V     工作电源电流:    1 uA     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 125 C     安装风格:    PCB Mount     端接类型:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    SC-70-6   应用 在新设计中替代机械电位器 压力、温度、位置、化学和光学传感器的传感器调整 射频放大器偏压 汽车电子调整 增益控制和偏移调整

  • 2025-01-23

  • 发表了主题帖： IC芯片：ADUM7701BRWZ 隔离式模数转换器，TJA1128ETK 汽车LIN收发器

    明佳达【供应】IC芯片：ADUM7701BRWZ 隔离式模数转换器，TJA1128ETK 汽车LIN收发器 - 全新原装现货 - 质量保证 - 欢迎咨询！   产品详情 1、ADUM7701BRWZ是一款高性能二阶 Σ-Δ 调制器，具有基于 ADI 公司 iCoupleri 技术的片内数字隔离功能，可将模拟输入信号转换为高速一位数据流。   产品属性 产品种类:    模数转换器 - ADC     分辨率:    16 bit     通道数量:    1 Channel     接口类型:    Serial     采样比:    78.1 kS/s     输入类型:    Pseudo-Differential     结构:    Sigma-Delta     模拟电源电压:    3 V to 5.5 V, 4.5 V to 5.5 V     数字电源电压:    3 V to 5.5 V, 4.5 V to 5.5 V     SNR – 信噪比:    86 dB     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 125 C     DNL - 微分非线性:    +/- 0.99 LSB     ENOB - 有效位数:    14 bit     增益误差:    +/- 0.2 % FSR     INL - 积分非线性:    +/- 2 LSB     转换器数量:    1 Converter     Pd-功率耗散:    71.5 mW     功耗:    8.2 mA SFDR - 无杂散动态范围:    - 97 dB     关闭:    No Shutdown     SINAD - 信噪和失真率:    86 dB   产品应用 分流器电流监控 AC 电机控制 电源和太阳能逆变器 风轮机逆变器 模数和光隔离器替换   2、TJA1128ETK是LIN迷你系统基础芯片(SBC)，具有LIN收发器、低压差稳压器(LDO)、窗口看门狗、两个WAKE输入、一个通用输入(GPI)和一个高压多用途(HVMPO)输出。   规格 类型： 收发器   协议： LIN   驱动器/接收器数： 1/1   双工： 完全版   数据速率： 20kBd   电压 - 供电： 5V ~ 28V   工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）   等级： 汽车级   资质 ：AEC-Q100   安装类型： 表面贴装型   封装/外壳： 14-VDFN 祼焊盘   供应商器件封装： 14-HVSON（3x4.5）    应用 工业控制 电子座舱 汽车电子 暖通空调(HVAC) 服务型网关 汽车先进外部照明 网关 联网广播

  • 2025-01-22

  • 发表了主题帖： Azoteq IQS620A0CSR 双通道电容式传感器，DIALOG IW3631-00 固态照明驱动器IC

    明佳达电子推出Azoteq IQS620A0CSR 双通道电容式接近/触摸、霍尔效应和电感式传感的组合传感器，DIALOG IW3631-00 0-10V 可调光双档数字式 AC/DC SSL LED 驱动器，用于功率高达 120W 的商业照明，全新原装正品   描述： 1、IQS620A0CSR ProxFusion® IC 是一款多功能电容式、霍尔效应式和电感式传感器，专为需要任何或所有技术的应用而设计。IQS620A 是一种超低功耗解决方案，设计用于通过任何传感通道进行短期或长期激活。IQS620A 与 I2C 完全兼容，可配置为在 GPIO 上输出主触发事件。   功能 传感技术的独特组合： 电容式传感 霍尔效应传感 电感传感 电容式传感 灵敏度可调的完全自动调谐 2pF 至 200pF 外部电容负载能力 增强的温度稳定性 霍尔效应传感 片上霍尔效应测量板 双向霍尔开关传感器 UI 2 级检测（可变范围广） 检测范围 10mT - 200mT 电感传感 2 级可调检测和滞后 需要外部感应线圈（PCB 线迹） 基于多年在固定和移动平台上的传感经验，提供多种集成用户界面选项： 近程唤醒；触摸；SAR；磁滞 自动调整实现 (ATI) - 性能增强（10 位） 最少的外部元件 标准 I2C 接口 用于事件模式操作的可选 RDY 信号   应用 移动电子产品（手机/平板电脑） 笔记本电脑的 SAR 安全要求、平板电脑和手机的 SAR 安全要求 可穿戴设备 白色家电和电器 人机接口设备 近距离激活背光 长期激活应用 汽车售后市场   2、IW3631-00是一款可调光数字离线 PWM 控制器，适用于高达 120W 的固态照明应用，具有高功率因数（PF >0.95）和低总谐波失真（<10%）。它具有一个用于隔离变压器的内置驱动器，可实现 0-10V 直接调光，无需外部 MCU 和驱动器电路，从而降低了成本和复杂性。iW3631 还可支持 PWM 调光接口，以简化无线 SSL 应用的使用。 iW3631 采用准谐振模式工作，以提供高效率，并使用 Renesas 的 PrimAccurate™ 高级一次侧传感技术来实现出色的线路和负载调节，而无需二次反馈元件。iW3631 采用的数字控制算法可在所有工作条件下保持稳定，无需任何外部环路补偿元件，从而最大限度地降低了 BOM 成本。   特性 用于 0-10V 调光系统的集成式 0-10V 调光变压器驱动器 模拟调光输入引脚 - 兼容无线调光系统 输出功率高达 120W 在整个输入电压范围和 50-100% 负载电流下均具有高 PF (>0.95) 和低 THD (<10%) 的特性 Flickerless™ 技术 几乎消除所有 LED 闪烁 输出上的线频纹波 <5 快速启动时间（<0.5 秒） 完全保护 LED 开路/短路保护 单故障保护 电流检测电阻器短路保护 输入过压和断电保护 基于结点传感器的过温保护   产品应用 高达 90W 的 0-10V 可调光 LED 镇流器 模拟输入可调光 LED 镇流器（最高 90W 无线 SSL 照明系统

  • 2025-01-21

  • 发表了主题帖： NOR 闪存 S29GL032N90TFI030 并行 NOR 闪存 3V 32Mb 高性能页面模式

    简介： 1、S29GL-N 系列器件是采用 110 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL032N90TFI030是 32-Mb 器件，按 2,097,152 字或 4,194,304 字节组织。根据型号的不同，这些器件只有 16 位宽数据总线，或 16 位宽数据总线，通过使用 BYTE# 输入，还可用作 8 位宽数据总线。可通过主机系统或标准 EPROM 编程器对器件进行编程。   器件型号：S29GL032N90TFI030 品牌：INFINEON 年份：24+ 封装：TSOP-48   2.产品属性 存储器类型： 非易失   存储器格式： 闪存   技术： FLASH - NOR   存储容量： 32Mb   存储器组织： 4M x 8，2M x 16   存储器接口： 并联   写周期时间 - 字，页： 90ns   访问时间： 90 ns   电压 - 供电： 2.7V ~ 3.6V   工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）   安装类型： 表面贴装型  

  • 2025-01-20

  • 发表了主题帖： 晶体管:(TO-220-3) IKA15N60T，(TO-247-3) IKW40N65H5 TRENCHSTOP™ 5 H5(高速5) IGBT

    明佳达推出英飞凌晶体管:(TO-220-3) IKA15N60T，(TO-247-3) IKW40N65H5 TRENCHSTOP™ 5 H5(高速5) IGBT是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。   描述： 1、IKA15N60T 600 V、15 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 全封装 硬开关 600 V、15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 分立器件与全额定外部续流二极管共封装在 TO-220 全封装中，由于结合了沟槽单元和场截止概念，该器件的静态和动态性能都得到了显著改善。IGBT 与软恢复发射极受控二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷，因此达到了最高效率。 特性 超低 VCEsat 1.5 V（典型值） 开关损耗低 由于 VCEsat 具有正温度系数，因此可轻松实现并联开关功能 非常柔和、快速恢复的反并联发射极受控二极管 坚固耐用、温度稳定 低 EMI 辐射 栅极电荷低 非常严格的参数分布 优点 最高效率 - 低传导和开关损耗 全面的 600V 产品组合，设计灵活 器件可靠性高 应用 光伏 住宅空调： 智能（物联网）高效制冷   2、IKW40N65H5 650 V IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装 高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为 “同类最佳 ”IGBT。 功能概述 650 V 突破性电压 与同类最佳的高速 3 系列相比 Qg 降低 2.5 倍 开关损耗降低 2 倍 VCEsat 降低 200mV 与快速 Si- 二极管技术共同封装 低 COES/EOSS 温和的正温度系数 VCEsat Vf 的温度稳定性 潜在应用 不间断电源 (UPS) 工业加热和焊接

  • 2025-01-18

  • 发表了主题帖： IC: TI LM27761DSGR 集成 LDO 的低噪声稳压反相器，美信 MAX14752EUE 模拟多路复用器

    明佳达电子出售IC: TI LM27761DSGR 集成 LDO 的低噪声稳压反相器，美信 MAX14752EUE 模拟多路复用器，用于PLC、工业控制及ATE设备等工业应用   一、产品详情 1、LM27761DSGR低噪声稳压开关电容器电压逆变器可针对 2.7V 到 5.5V 范围内的输入电压，提供可调节的超低噪声输出。在应用解决方案中使用四个低成本电容器，可以提供高达 250mA 的输出电流。该器件的稳压输出可在 −5V 到 −1.5V 范围内进行调节。LM27761 以 2MHz（典型值）开关频率运行，以减小输出电阻和电压波纹。LM27761DSGR的工作电流仅为 370µA（对于大多数负载，电荷泵功率效率均高于 80%）并且关断电流典型值为 7µA，因此在驱动功率放大器、DAC 偏置电源轨以及其他大电流、低噪声电压应用时， 可提供理想的性能。 产品属性： 型号：LM27761DSGR 零件状态： 在售   输出类型： 晶体管驱动器   功能 升压，升压/降压   输出配置： 正   拓扑： 升压，反激，SEPIC   输出数： 1   输出阶段 ：1   电压 - 供电 (Vcc/Vdd) ：2.97V ~ 60V   频率 - 开关 ：100kHz ~ 2.2MHz   占空比（最大）： 93%   同步整流器： 无   时钟同步： 无   控制特性： 限流，使能，频率控制，电源良好，软启动   工作温度： -40°C ~ 125°C   等级： 汽车级   资质： AEC-Q100   安装类型： 表面贴装型   封装/外壳： 14-PowerTSSOP（0.173"，4.40mm 宽）   供应商器件封装： 14-HTSSOP    2、MAX14752EUE为高压模拟多路复用器。具有60Ω (典型值)低导通电阻和0.03Ω的导通电阻平坦度(典型值)。这些低导通电阻多路复用器可双向工作。EN输入可灵活定义逻辑电平，选中连接通道。 产品规格 型号：MAX14752EUE 零件状态： 在售   多路复用器/解复用器电路： 8：1   电路数： 1   导通电阻（最大值）： 130 欧姆   通道至通道匹配 (ΔRon)： 500 毫欧   电压 - 电源，单 (V+)： 20V ~ 72V   电压 - 供电，双 (V±) ：±10V ~ 36V   开关时间 (Ton, Toff)（最大值）： 25µs，2µs   -3db 带宽： 20MHz   电荷注入： 200pC   沟道电容 (CS(off)，CD(off)) ：3.7pF   电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）： 20nA   串扰： -62dB @ 100kHz   工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）   安装类型： 表面贴装型   封装/外壳： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）   供应商器件封装： 16-TSSOP  应用 ATE系统 环境控制系统 医学监测系统 可编程逻辑控制器

  • 2025-01-16

  • 发表了主题帖： ST单片机：LQFP-64 STM32G474RCT6，LQFP-100 STM32G0B1VET6 ARM微控制器 - MCU

    明佳达【分销】ST单片机：LQFP-64 STM32G474RCT6，LQFP-100 STM32G0B1VET6 ARM微控制器 - MCU，原装正品，现货库存，欢迎咨询！   描述： 1、STM32G474RCT6一款高性能微控制器，该器件基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC内核。工作频率最高可达170 MHz。 Cortex-M4内核带有单精度浮点运算单元 (FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。该内核还具备一组完整的DSP（数字信号处理）指令和用于增强应用安全性的存储器保护单元 (MPU)。   产品属性： 制造商:    STMicroelectronics     产品种类:    ARM微控制器 - MCU         系列:    STM32G4     安装风格:    SMD/SMT     封装 / 箱体:    LQFP-64     核心:    ARM Cortex M4     程序存储器大小:    256 kB     数据总线宽度:    32 bit     ADC分辨率:    5 x 12 bit     最大时钟频率:    170 MHz     输入/输出端数量:    52 I/O     数据 RAM 大小:    128 kB     电源电压-最小:    1.71 V     电源电压-最大:    3.6 V     最小工作温度:    - 40 C     最大工作温度:    + 85 C     模拟电源电压:    1.62 V to 3.6 V     DAC分辨率:    12 bit     数据 Ram 类型:    SRAM     I/O 电压:    5 V     接口类型:    I2C, SPI, UART, USART, USB     湿度敏感性:    Yes     ADC通道数量:    26 Channel     处理器系列:    STM32G474     产品:    MCU+FPUs     程序存储器类型:    Flash   2、STM32G0B1VET6是高性能、低功耗的32位微控制器，基于工作频率可达64 MHz的高性能Arm® Cortex®-M0+ 32位RISC内核。该系列微控制器具有高集成度，适合消费、工业和家电领域的各类应用，也能充分满足物联网 (IoT) 解决方案的需求。   器件规格 制造商: STMicroelectronics   产品种类: ARM微控制器 - MCU   系列: STM32G0   安装风格: SMD/SMT   封装 / 箱体: LQFP-100   核心: ARM Cortex M0+   程序存储器大小: 512 kB   数据总线宽度: 32 bit   ADC分辨率: 12 bit   最大时钟频率: 64 MHz   输入/输出端数量: 94 I/O   数据 RAM 大小: 144 kB   电源电压-最小: 1.7 V   电源电压-最大: 3.6 V   最小工作温度: - 40 C   最大工作温度: + 85 C 

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