本帖最后由 zlzilla 于 2022-11-11 00:24 编辑 看了前辈们的讨论收益匪浅。 这里斗胆把TI的PDF拉出来遛一下(What is a Bidirectional Power Switch?) 参考文章（Achieve Bidirectional Control and Protection Through Back-to-Back Connected eFuse Devices） https://www.ti.com/lit/an/slva948/slva948.pdf#page=4 里面的BPS Configuration – Back-to-Back Connected P-MOSFETs电路是和楼主的电路一样的。 之前楼主问的电路名，文档里给起的就是BPS(Bidirectional Power Switch)双向开关， 根据不同的实现方式，该电路还有个小名PMOS-BSP（BPS Configuration – Back-to-Back Connected P-MOSFETs）   然后就是C的作用，文档解释比较简单，就一句话：This implementation is simple and an additional capacitor at the gate terminal helps in controlling the inrush current in both the power flow directions. 翻译成人话：这种实现很简单，G基的电容有助于控制两个功率流动方向上的浪涌Inrush电流。 PMOS由于控制的是高边，所以这个C应该还是限制Inrush浪涌的，网上也有很多介绍PMOS开通瞬间防浪涌的介绍，对于这个C的解释也很详细。 不过也很好理解为什么要防浪涌。此处把最新发布的英伟达4090显卡拉出来，楼主的应用就是PICE供电的，看看下面这个PCIE显卡上绚丽的电容阵列。 如果PMOS开关不做防浪涌开启，显卡上电的瞬间相当于在电容阵列的两边直接怼上12V的正负极。效果应该很炸裂。 最后随便找了个PMOS缓启的测试仿真帖子，可以看到加上PMOS缓启可以把浪涌电流从122A抑制到4.5A，当然还可以通过其他的方式继续进行优化以达到系统的要求。 这个小C看起来还是很有讲究的。 个人理解可能有误，有错误的地方敬请指出。 How do I reduce the Inrush Current? | Coil Technology Corporation (powerctc.com)