- 2025-03-30
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《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》——02 IC微观图像知识和分类
《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》
——02 IC微观图像知识和分类
电路是各种电子元器件连接在一起形成的复杂回路,电流通过这个回路不断流动,形成特定的电路功能。集成电路是把电路中的各种分立电子元器件集成在一个很小的半导体晶片上,经封装后形成的具有完整电路功能的器件,集成电路也称为芯片。芯片的结构包括内部的裸片和金属引线,以及外部的信号引脚和表示。
下面,我们将展示复杂芯片的内部结构和外部扎实,以Intel 80486 CPU为例,具有168个PIN脚,采用镀金插针网格阵列(PGA)陶瓷封装,其内部结构和外观如图1所示。
图 1
观察芯片的俯视图,陶瓷封装壳上具有IC厂家、出厂时间和型号标识。在芯片的仰视图中,芯片下底有信号引脚和镀金屏蔽罩。咋芯片封装壳内部,陶瓷封装壳上有芯片裸片和镀金线,芯片下底的信号引脚是通过金属引脚与芯片晶圆裸片相连接。
接下来,将一一介绍芯片的分类。进入芯片大世界,我们会发现各种芯片种类繁多,难以对芯片进行详细的种类划分。如果根据芯片内部电路信号类型来区分,可以简单的划分为模拟电路芯片、数字电路芯片、数模混合电路芯片以及特殊种类电路芯片。芯片种类全家福件图2.
图 2
数字电路芯片是处理数字信号的电路,由于数字电路中的晶体管替班工作在开关状态,也被称为开关电路或逻辑电路。数字电路芯片主要包括以下七大类:逻辑电路芯片(锁存器、与门、非门、译码器等)、通用处理器芯片(CPU、GPU、DSP等)、存储器芯片(SRAM、DRAM、LPDDR等)、片上系统芯片(SOC,主要由CPU核、嵌入式存储器、IO接口等部分组成)、微控制器芯片(MCU,也称为单片机)、专用集成电路芯片(ASIC,按照用户需求定制,并不通用)、以及可编程逻辑器件(FPGA、PLD、PLA)。
模拟电路芯片是用来对模拟信号进行检测、传输、变换、处理、放大等工作的电路。模拟电路芯片功能很多,种类也很多,比数字电路的设计难度更大,需要长时间的技术积累,对设计人员的技术要求高很高。通过简单的分类可以分为以下几类,分立器件和模组(包括二极管、三极管、MOSFET、BJT等)、电源电路芯片(电压变换芯片、电源管理芯片、充电电路芯片等)、信号检测电路芯片(用于检测微弱信号,对信号进行放大、检波、滤波等前端处理)、滤波器(具有选频作用,对信号进行提取、变化或抗干扰等处理)、转换电路芯片(交直流信号转换、电压电流信号转换等)、信号发生器(产生正弦波、方波、三角波或特定频率波形)、放大器(对信号的电压、电流或功率进行放大)。
数模混合电路芯片,这是指芯片上既有数字电路模块,又有模拟电路模块,,二者配合协调工作。常见的数模混合电路有以下几种:(1)DAC/ADC,它们搭建了现实世界和数字世界的桥梁;(2)光电转换芯片,它可以将光信号转换为电信号,常见的器件有光电耦合器件、光电探测器二极管、光敏电阻等;(3)基带芯片,用于发射射频信号和调制解调射频信号,主要由微处理、信道编码器、数字信号处理器、调制解调器和接口模块组成。 (4)调制解调芯片,用于实现信号的调制解调;(5)接口电路芯片,主要用于为芯片内部模块之间、芯片之间、芯片与外界之间搭建沟通桥梁;(6)传感器,主要用于检测现实世界的各种物理量,如温度、压力、湿度、声音、图像等;(7)驱动器,主要用于启动各种功率器件,如驱动液晶屏幕、电机、LED等。
特种电路芯片,主要用于特殊场合,对芯片性能有特殊要求,如耐超低温和超高温、康宇宙离子辐射影响或者超高电压/大功率场景等。这些芯片常常有以下几种:(1)军工宇航级芯片,此类芯片不但在工作温度范围上要求严格,还需要具有抗辐射性能;(2)射频功率电路芯片,用于无线射频功率放大和发送;(3)超高压大功率电路芯片和器件,主要用于高电压高功率场景,如高压输电控制、电动汽车控制等。
- 2025-03-29
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《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》——01 概述
本帖最后由 zyb329321151 于 2025-3-29 17:55 编辑
《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》——概述
本书名为《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》,作者是赵秋奇,曾就职于航天771所、深圳市电子研究所等单位。本书是一本科普类书籍,它的主要读者对象是各行各业的科技从业者、芯片行业从业者、政府部门相关人员、学生等人群。
本书以图文并茂的方式向读者展示芯片技术知识,通过通俗易懂的语言,直观、形象的比喻,对芯片的起源、发展史、各种芯片内部封装和设计构造、以及芯片的应用领域进行介绍,浓缩了芯片技术的知识精华。本书总共分为七章,分别向读者介绍了芯片的发展历史、初识芯片样貌、了解芯片如何设计、如何制造、如何封装和测试、芯片的应用领域、以及芯片技术产业对未来社会发展和国家安全的战略意义。
第一章,主要介绍了芯片的起源史和发展史。首先,作者介绍了芯片技术是发现与诞生过程,其中有奠定现代电子科技的双星、芯片的基石——电子管和晶体管。然后,本书详细介绍了世界芯片产业发展过程中的大事件,如光刻工艺、第一颗集成芯片的诞生、半导体场效应管的诞生(MOSFET)、摩尔定律、英特尔成立并推出CPU、安卓手机诞生等。集成芯片最开始是应用到军工中,提升国家安全,直到计算机和移动浪潮开始,集成芯片逐渐开始民用。而集成芯片民用科技的则一步步掀起了芯片技术迭代浪潮,芯片产业链从硅谷到全世界一步步分散开来。芯片专业通过三次专业分工,实现了从设计到代工生产,再到封装测试的细化。芯片技术改变了世界,让人类进入信息化和智能化时代。
第二章,详细介绍了集成芯片的分类和内部构造。首先,作者介绍了什么是集成芯片,它的家族成员都有哪些。其次,作者通过大笔墨介绍了芯片的分类,通过芯片对信号的处理方式可以分为模拟电路、数字电路以及数模混合电路。接着作者讲述了MCU、CPU、SOC的区别,并且对应用在AI领域的APU、GPU、NPU、还有存储芯片和闪存芯片进行介绍。最后,对硅片、硅晶圆、裸片、芯片之间的联系进行剖析,再进入微观世界对芯片进行介绍,让读者深层次感受芯片的精细、复杂和制造难度。
第三章,本书将给读者介绍芯片是如何设计的。芯片设计是一项非常繁杂的工作,初始是工程师们是通过手绘的方式设计芯片,随着计算机技术的发展,使用EDA软件逐渐替代了手绘,EDA软件也被称为“芯片之母”。那么,EDA设计软件都有哪些?目前全球EDA市场主要由新思科技(Synopsys)、楷登电子(cadence)、以及西门子EDA(Siemens EDA)把持。在2020年,这三家全球市场占有率高达69.54%。随着国家逐渐大力扶持国内芯片技术产业,国内的芯片EDA厂家逐渐成长,如华大九天、概伦电子、广立微、芯和半导体。芯片设计主要包括以下几步:系统架构设计、逻辑设计、验证与仿真、物理设计、生成光罩。
第四章,主要介绍了芯片是何如制造的。芯片制造是将设计好的线路刻蚀在晶圆上。涉及芯片制造厂家、光掩膜板。光刻胶、光刻工艺、蚀刻工艺、制造工艺、制造设备、以及芯片制造的材料和工艺流程。芯片制造的工艺主要包含以下几点:晶圆制备、氧化、、光刻(Lithography)、刻蚀(Etching)、 掺杂(Doping)、薄膜沉积、化学机械抛光(CMP)、金属化、循环重复。
第五章,主要介绍了芯片的封装与测试。芯片的封装和测试主要目的是将制造好的裸片晶圆送到芯片封测厂进行切割、封装、测试功能、测试性能和可靠性,最终在芯片封装壳上打印公司商标和芯片信号。芯片封装和测试的主要流程有: 晶圆测试(Wafer Testing)、切割(Dicing)、封装(Packaging)、最终测试、先进封装技术
第六章,主要介绍了芯片应用的领域,芯片延伸了人的能力。芯片对于电子信息技术进步起到了重大作用,那么芯片主要应用在哪些领域?主要有消费电子、电力运输、铁路运输领域、航天领域、医疗领域、教育行业。在我们身边如电脑、电视、手机、音响、平板电脑、以及家用电器等无不应用了芯片。在看不见的领域,芯片依旧有着重大作用,如AI领域、云服务技术领域、金融领域等。
第七章,主要介绍了芯片技术产业对未来社会发展和国家安全的战略意义。芯片产业是信息产业的技术核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。
- 2025-03-14
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读书入围名单: 《芯片通识课:一本书读懂芯片技术》
个人信息无误,确认可以完成阅读分享计划
- 2025-03-02
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《开关电源原理图精讲》这个你有没有?
学习学习,感谢楼主
- 2025-02-22
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【deepseek】01预热贴:gpt回帖,得积分小礼
freebsder 发表于 2025-2-19 13:39
你这个回复里的表情符号是DS输出的?我自己部署的怎么都是干瘪瘪的字符啊。。。
是的dos自己输出
- 2025-02-20
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【新年新挑战,任务打卡赢好礼!】第二批获奖名单公布
已确认
- 2025-02-08
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【deepseek】01预热贴:gpt回帖,得积分小礼
电脑端deepseek,网页版。
电脑本地版本(deepseek-7B模型):
- 2025-01-18
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【RainbowLink USB 协议转换器】3- 485通信测试
qiao--- 发表于 2025-1-18 16:58
这个USB通信仪的本质就是一个1拖4的串口哦,而485本身是硬件协议,所以在软件上来看现象是和串口一样的。 ...
有USB通信仪内部的框架图吗?
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新年新挑战,任务打卡赢好礼!
1、个人信息已更新完善;
2、已回复三个帖子。
①https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1304488-1-1.html
②https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1282911-1-1.html
③https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1289008-1-1.html
3、已学完一个学堂视频。
4、已报名参加一个活动。
5、已下载一个论坛资料。
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加入了学习《IoT物联网项目基础知识和工具介绍培训教程》,观看 IoT物联网项目基础知识和工具介绍培训教程
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24年全国大学生电子竞赛初赛 赛题目录(点此可直接浏览或下载)
距离上次电赛已经过去快10年了,现在看到题目依然满怀热情,哈哈哈。
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方波滤波后的正弦波波形畸变
可能原因:1、滤波器环路不稳定;2、滤波器中心滤波点带宽太宽
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【RainbowLink USB 协议转换器】3- 485通信测试
这个是串口之间的通信,没看到USB通信仪之间的信息。
- 2025-01-12
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《KTC3500 DCDC评估板》——03 KTC3500评估板测试
KTC3500 DCDC评估板——测试分享
前言:
KTC3500 评估版是基于KTC3500 IC设计的一种BOOST升压电路板。在申请板子的时候计划测试KTC3500的BOOST/SREPIC/Flyback三种拓扑模式,拿到测试板后发现,评估板只支持BOOST模式。因此,本文将针对评估版的BOOST模式进行测试分析。评估板电路如图1所示,单板输出24V。
图 1
按照得捷电子的用户手册,评估板输入输出测试条件如图2所示。
图 2
测试环境搭建如图3所示。
使用数字电源给输入供电;
使用万用表测量输出电压;
使用示波器分别测量KTC3500 DRV脚输出的MOS管栅极驱动信号和Vout纹波;
使用电子负载分别抽载不同电流,测试评估版带负载能力。
图 3
KTC3500静态测试:
拿到单板,首先给VIN输入8V电压,测试单板的静态功耗。静态功耗测试结果如图4所示,静态电流为0.98mA,静态功耗主要来自反馈电阻41uA+OVP电阻291mA+0.69mA IC的静态功耗。
图 4
当评估版空载时,DRV仍然会给电感充放电,以保持输出24v恒定,输出纹波为130Hz的三角波,应该时IC内部为降低开关功耗来调低充电频率,此时Vout电源纹波为64mV。测试波形见图5和图6,图6为图5的展开波形。
图 5
图 6
评估版测试:
在测试完评估版静态性能后,开始测试板子的负载负载性能。如带负载能力、转换效率、开关频率、输出纹波、负载响应率、线性调整率等。
首先,输入8v电压,输出24V电压,分别在不同电流负载下测试电源的转换效率、开关频率、输出纹波。测试结果如图7所示。输入8v ,输出24V/2A(48W)完全没有问题,带负载性能刚刚滴。虽然数据手册只标识输出0~2A电流,但是依然用电子负载增大抽载电流,输出电流到3A都是OK的。
图 7
在输出纹波方面,对比IC的数据手册,当输入7V输出2A电流时,VOUT纹波将达到500mV左右,与我的测试结果可以对应。评估板测试结果见图8,IC测试结果见图9。
图 8
图 9
在转换效率方面,实测评估板转换效率要比IC手册中低一些。实测效率如图7所示,IC数据手册中效率如图10所示。输入电压从8V开始下降,主要原因是为保证效率测试准确性,我们将测试点在评估板输入端口。随着负载电流升高,数字电源输出线分压逐渐变大,导致测试点电压下降。
图 10
接着,在这里讨论下评估板的驱动信号,从图7可以看到该IC的开关频率在400~500KHz之间,开关频率会随着输出电流而变化。驱动信号的占空比会有一些变化,不过当负载抽大电流时,占空比基本在68%附近波动。
接下来,对板子的OCP保护进行测试。输入和输出电压幅值保持不变,当输出负载电流为1.5A时,突然将电子负载调为6A抽载。示波器上看到的电压波形变化如图11所示。VOUT瞬间被抽挂掉,进入OCP保护,掉电时间为725ms。OCP保护信息未在IC的数据手册中找到。
图 11
然后,测试IC的负载调整率。负载调整率(Load Regulation)是衡量电源在负载电流变化时保持恒定输出电压的能力的指标。输出电压为24V,负载电流为1A。待负载抽载电流稳定后,迅速将负载电流设置为1.8A。如图12所示,此时可以看到,输出电压波形先快速上升然,后在经过多次调节,将电压稳定在24V。负载调整时间为1.82ms。(此处负载调整率测试方法有些问题,不过可以大体看到KTC3500的负载响应速度还是非常快的)
图 12
最后,测试IC的线性调整率。线性调整率(Line Regulation)是指额定负载下输出电压随输入电压变化而发生的变化率。设定输入电压从8V迅速调整到12V,然后观察输出电压变化。从图13可以看出,当输入电压迅速变化时,输出电压也会随之突然抬高96us,随后迅速恢复到设定的24V电压。从定性分析来看,KTC3550的线性调整率是比较优秀的。
图 13
评估版相关不足与建议:
IC资料缺少理论设计部分支持,如缺少KTC3500的三种电路的外部器件电路设计分析、OVP电压调整的电阻计算、输出电压调整的电阻计算、PWM频率调整的阻容设计等;
评估板未能兼容BOOST、SEPIC、Flyback三种模式,板内空间较大,建议兼容,以供用户自行焊接后测试;
BOOST设计升压较高,达到24V,对于测试纹波信号不够友好,建议将幅值调低。虽然纹波大小均在5%范围内,但仍然惊异负载电流2A时500mV的纹波值。
KTC3500评估板设计未能完全发挥IC的性能,如输入电压为3.5V~60V,评估板建议输入电压7~17V。
- 2025-01-01
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《KTC3500 DCDC评估板》——02 KTC3500应用设计
本帖最后由 zyb329321151 于 2025-1-1 18:54 编辑
KTC3500 DCDC评估板——IC应用电路设计
IC介绍:
KTC3500 是一种低静态电流的DCDC转换器,它集成了BOOST、SEPIC、和反激变换器功能。 KTC3500可以在3.5V至60V的宽输入范围内运行,因此可以支持各种输入电压为5V、12V、24V和48V的电源轨和多节电池的应用。
KTC3500采用电流模式控制,具有内部斜率补偿功能,可实现快速瞬态响应和卓越的输出电压调节。该IC开关频率可以在100K到1.2MHz自由调节,它提供了一种灵活的可优化的设计,以便应对不同产品需求。它带有可调节的软启动功能,可以限制在启动时的inrush电流。该器件的Enable/Disable引脚可以用于调节输入的UVLO门限。它带有输入保护UVLO、输出保护OVP、内置逐周期电流限制、短路电流保护以及热切断。
IC输入范围:3.5~60V;
IC反馈电压:1.2V,1%;
开关频率:100K~1.2MHz可调;
工作电流:500uA;
休眠电流5uA;
工作温度范围:-40℃~120℃
PIN脚介绍:
KTC3500PIN脚设计如图1所示。
图 1
PIN
名称
描述
1
RT
电阻器定时。从该引脚到GND引脚的外部电阻器对100kHz和1.2MHz之间的开关频率进行编程。
2
SS
可编程缓启动引脚。通过在和GND之间添加电容设置缓启动时间。
3
EN
使能引脚。该PIN浮空,将使能IC。拉到1.2V以下进入低电流待机模式拉到0.4V以下进入截止模式。可以通过两个电阻分压接到EN脚实现输入UVLO可调。
4
COMP
内部跨导误差放大器输出。反馈环补偿网络通过该脚接到GND。
5
FB
用于输出电压调节的误差放大器和反馈调节引脚。将此引脚连接到电阻分压器的中心,以设置输出电压。
6
GND
参考地
7
CS
电流检测引脚。在CS和GND之间接一个外部电流检测电阻。电流反馈环路和过流检测采用CS上的电压,过流检测的门限是80mV.
8
DRV
低端MOS的栅极驱动输出引脚。该PIN连接到NMOS的栅极。当输入关闭时,LDRV和PGND之间将存在200KΩ阻抗。
9
VCC
由内部LDO输出,作为内部控制电路和MOS栅极驱动电源,典型值为10V,连接一个低ESR的陶瓷电容到PGND。推荐采用0.47µF ~ 10µF电容。
10
VIN
IC的输入供电引脚。输入采用3.5v ~60v电压。VIN引脚上的电压与升压功率级输入不同是可以接受的。
EP
Exposed Pad
此电源脚接到GND。建议将该PIN通过热风焊盘接到内部GND平面,以提升散热性能。
IC应用介绍:
IC内部框图2如下所示:
图 2
如IC内部框图所示,KTC3500内部主要包含LDO模块、UVLO模块、OVP/OCP/OTP检测模块、时钟模块、PWM发生器模块、误差放大器模块、功率驱动模块以及热保护模块等。
KTC3500的应用主要包含BOOT电路、SEPIC电路和反激电路,接下来,将逐一介绍这三种电路。
首先,介绍基于KTC3500的BOOST电路。与普通的BOOST升压电路类似,这是一个异步BOOST电路,KTC3500也分为充电和放电两个环路。通过VIN给KTC3500内部电路供电,内部通过LDO输出VCC电源。该IC从DRV引脚输出低端MOS管的启动信号。芯片的CS引脚通过RCS电阻采集流过MOS管的电流,用于检测输出电流和电流环路反馈。KTC的高端MOS采用二极管替代,输出电压采样和反馈使用电阻分压。BOOST电路如图3所示。
图 3
然后,这里将介绍基于KTC3500的SEPIC电路。Sepic (Single ended primary inductor converter)--单端一次侧电感式变换器,该电路允许输出电压大于、等于或小于输入电路输出电压主要由主控MOS控制。与BOOST电路类似,KTC3500内部电路基本不变,主要是功率电路部分存在差异。
图 4
SEPIC电路原理分析如下所示。两只电感L1,L2、两只电容C1,C2、输出整流管D1,功率开关管MOS。当MOS闭合时,D1截止。L1上的电流沿着VIN->L1->MOS的回路,对L1进行储能;同时C1经过MOS对L2进行储能;输出电容C2放电,给负载提供输出电流Io。当MOS断开时,L2上产生反向电动势,使得D1由截止变为导通;此时有两条电流途径:一条是,L1提供的IL1沿着L1->C1->D`给负载供电。另一条是,IL2沿着L2->D1给负载供电。总电感电流为IL1+IL2,可维持输出电压不变;同时还对C1,C2进行充电以补充能量。
L1和MOS起到升压式变换器的作用,L2和D1起到反激式降压/升压式的作用,故属于升压+降压/升压式变换器;L2的作用是将能量传递到输出端,并对C1进行复位。C1不仅是隔直电容,还等效一个“电荷泵”,MOS断开C1被充电,MOS闭合C1将能量传给L2。C1与L1串联,可以吸收L1的漏感,则可以降低对开关MOS管的要求。输出电压表达式 Uout=Uin*D/(1-D)。
接下来,本文将进行基于KTC3500的反激电路分析。反激电路如图5所示,与前面两种电路不通,反激电路在输入和输出之间增加了变压器线圈组,在输出反馈端采用光电器件和电容将GND隔离,这些都是用于隔离输入和输出电路。此外,反激电路的反馈并非接到FB,而是接到了COMP引脚。由图2可知,COMP是误差放大器输出,FB是误差放大器输入,在这里反激变换器的光电反馈器件已经将电压误差放大,因此无需使用误差放大器再次放大。
图 5
最后,本文将介绍KTC3500的PCB设计要点。官方设计建议如下所示:
建议电源环路面积尽可能小;
建议模拟信号GND和功率GND通过单端连接;
建议将所有控制电容接地至其各自的地线,并将控制电路电容放置在IC附近以解耦噪声。
在反激电路设计中,需要保持前级和次级控制电路走线远离噪声源(如前级开关端和次级开关端)。
建议将FB和COMP引脚远离噪声源。在一些大电流设计应用中,建议在FB和输出端口需要有10K以上的阻抗,用于滤除噪声。
建议使用RCD等缓冲电路来限制关断时SW引脚上的峰值电压。
- 2024-12-22
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《KTC3500 DC/DC评估板》——01开箱测评
KTC3500 DCDC评估板——开箱测评
KTC3500 DCDC评估板是一款低静态电流DC/DC控制器,支持升压、SEPIC和反激拓扑。该评估板主要由DigiKey 得捷赞助支持,从公司官网下单,美国发货到国内,期间大概需要10天左右,最近拿到了PCB板,做一次开箱测评。
首先,快递使用多层压缩纸盒包装+防光照包装,比较精致+抗衰,毕竟国际快递。
图 1
打开快递,迎面而来的是一个12.5*9*2.5mm的蓝色盒子,上面标识Kinetic technologies(公司名称),P/N: KTC3500EVAC-MMEVO1(单板名称),QTY: 1 (数量), SETD/C:2024053001(生产日期),盒子较为精致。
图 2
打开包装盒,可以看到KTC3500测试评估板静静的躺在盒中。
图 3
打开包装袋,测试评估板整体为绿色色调。评估板上的电路模块主要分为以下几个部分:输入电路、电感、MOS管、二极管、KTC3500 电路、反馈电路、IC使能引脚、输出电路等。电路的详细设计原理,将在后面的章节给大家分享。敬请期待!
图 4
- 2024-10-27
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【好书共读——《硬件设计指南:从器件认知到手机基带设计》】——08 手机基带知识
硬件设计指南:从器件认知到手机基带设计
——手机基带知识简介
手机基带电路都包含哪些?当前智能手机阶段,手机基带主要包含CPU最小系统、存储电路、音频电路、电源电路、充电电路、显示电路、相机电路、传感器电路等。简而言之,除了天线和射频通信系统外,其余电路都属于基带。基带框图如图1所示。
图 1
屏幕/TP主要包含显示和触控两部分,触控和屏幕已经集成到一起,是用户和手机交互的最直接途径,手机屏幕主要使用LCD屏和OLED屏。其主要通信协议是MIPI协议和IIC/SPI,MIPI用于图像信号传输,IIC/SPI用于控制IC的寄存器配置以及TP信号传输。
相机主要用于视频拍照,主要包含前摄、后主摄、超广角、潜望、短焦等,根据不同使用场景搭配。与屏幕通信协议类似,其主要通信协议是MIPI协议和IIC/SPI,MIPI用于图像信号传输,IIC/SPI用于控制IC的寄存器配置,如摄像头马达,IO口状态等。
Mode就是传统的手机基带,用于数字信号处理和射频信号的调制解调,现在已经集成到CPU中,只有少部分低端CPU还在使用外挂modem。
ROM和RAM则是手机的存储单元,RAM是动态随机存储器,用于缓存CPU处理的数据,当前手机设计通常使用LPDDR4或者LPDDR5。例如手机在运行王者荣耀时,会在启动时将王者荣耀的运行文件数据缓存到DDR中,CPU通过调用DDR中的缓存数据,以快速响应用户。当用户关闭王者荣耀时,DDR会自动将王者荣耀缓存数据清除。RAM则是固态存储器,用于存储用户数据。
在早期,SIM/SD卡是分开的,后来各大手机厂商为了节省空间,逐渐将SIM卡和SD卡卡槽合二为一。随着RAM逐渐增大,SD卡卡槽也逐渐被取消,只有SIM卡卡槽。
随着智能手机发展越来越快,用户对手机振感要求越来越高,随之产生了转子马达和线性马达。转子马达主要用于低端机型,其转速一般分布在11000~19000之间。线性马达一般被应用到高端智能手机产品上,一般有Z轴线性马达、XY轴线性马达,根据不同产品进行搭配。
音频模块主要包含听筒、扬声器、MIC、耳机等,这些电路主要是模拟信号,对干扰非常敏感,在PCB走线时需要立体包地独立下地。音频模块电路在电路上还包含SMART PA、Codec等信号处理单元,主要通信协议有IIS、IIC等。
传感器模块主要包含红外靠近传感器、光敏传感器、加速度计、陀螺仪、电子罗盘等。红外靠近传感器主要作用是通话亮灭屏和防误触,光敏传感器用于调节屏幕亮度。陀螺仪和加速度计可以检测手机姿态,用于计步、防误触和游戏姿势识别,电子罗盘则是判断方向,主要用于地图导航。
电源模块是整个手机系统的能量来源,现在的智能手机大多采用集成的PMIC分级给最小系统、射频通信系统和外设供电。充电电路则是给手机的锂离子电池充电。当手机插入USB充电线时,系统通过判断充电器类型确定充电电压和电流。随着智能手机发展,充电速度越来越快,当前充电方案有10W、22.5W、33W、44W、66W、80W、120W、200W等。
- 2024-10-26
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【好书共读——《硬件设计指南:从器件认知到手机基带设计》】——07 信号完整性
硬件设计指南:从器件认知到手机基带设计——信号完整性知识简介
信号完整性是指信号在传输路径上的质量,传输路径可以是普通的金属线,可以是光学器件,也可以是其他媒质。信号具有良好的信号完整性是指当在需要的时候,具有所必需达到的电压电平数值。差的信号完整性不是由某一单一因素导致的,而是系统设计中多种因素共同引起的。那么,信号完整性和哪些知识有关呢?
1、传输线
说起传输线,顾名思义可以理解为信号传输的线路。传输线相关的主要特征词有频率、带宽、环路电感、参考平面、微状线和带状线、特征阻抗等。频率和带宽相信大家很熟悉,不做过多介绍。
环路电感是和信号路径、回流路径相关的概念,通俗来讲就是信号从IC的Out脚输出,经过负载回到IC的GND脚,形成一个回流路径。在信号传输过程中,线路上面会存在寄生电感,包含自感和互感形成的电感,信号回流一般会选择最小阻抗路径。
参考平面,这是一个与传输线相对应的概念。信号存在传输线,那么必然存在参考路径或者回流路径,就像电压概念对应的参考GND一样。在PCB走线中,一般把一个完整的平面用于参考路径,我们习惯称为参考平面,在信号要求比较高的场合,信号会有上下两个参考平面,甚至左右包含参考平面,有时候也称为立体包地。这些参考平面构成良好的传输线模型,可以控制阻抗、避免反射、较少损耗,提高信号传输效率,同时起到良好的屏蔽作用。
微带线和带状线,通常认为走在表层是微带线,走在内层是带状线,这不够严谨。实际上,两种传输线通常使用参考平面平面来区分,微带线只有一个参考平面,带状线有2个参考平面。
特征阻抗是指传输线上存在的电阻、寄生电感、寄生电容的总阻抗。信号在传输线中是一步步往前走的,电磁场建立需要一个过程,那么信号线与信号线之间、信号线与参考平面之间存在寄生电容和寄生电感。我们通常所说的阻抗控制,就是为了让特征阻抗满足目标阻抗,尽可能让传输线环境均匀统一,减少反射,实现最佳功率传输,减少干扰,这个阻抗就是指特征阻抗。举个例子,在户外骑行时,路面越平坦,我们可以骑行越快。一旦路面有个小坑或者大角度拐弯,我们的速度就会降下来,如果有大坑或者断头路,就会被迫减速或中止。同样的道理,对于高速信号传输,完整的参考平面、良好的阻抗控制、最佳功率传输是必须的。
2、信号反射
信号在传播过程中,传输线阻抗突然发生变化时,就会有信号发射发生。信号发射就会有反射系数存在,信号发射系数=(Z2-Z1)/(Z2+Z1),Z1为当前阻抗,Z2为新传输线阻抗。一般反射系数存在三种情况,正数表示正反射,负数表示负反射,零表示无反射。当Z2无穷大时,阻抗无穷大,表示开路,反射系数为1,发生全反射。当Z2=Z1时,表示阻抗未突变,通道阻抗理想且连续。当Z2=0时,表示阻抗突变为0,发生短路,反射系数为-1。
前面介绍了信号反射与传输线特征阻抗有关,那么阻抗有哪些参数有关?线宽W,线宽增大,阻抗减小,反之阻抗增加。介质厚度h,厚度增加,单位长度电感增加,电容减小,最终导致特征阻抗变大。介电常数,它会导致电容变大,特征阻抗变小。铜箔厚度,它会导致电感减小,电容增加,从而导致特征阻抗减小。
3、信号的串扰来自哪里?
通常,我们在PCB设计时,走线间距需要遵守3W原则,以抑制70%以上的干扰。这是信号线之间存在串扰,两条走线很近的PCB信号传输线,一条信号线可能会导致另外一条产生噪声。
信号串扰通常分为电容耦合串扰和电感耦合串扰。
电容耦合,PCB上走线与走线之间、走线与参考平面之间都会形成寄生电容,其中一条走线有信号经过时会产生变化的电场,这个电场会通过电容作用到另外一条走线,形成串扰噪声。
电感耦合,PCB走线与走线之间存在互感,其中一条走线有信号经过,会产生变化的磁场,这个磁场会作用于另外一条走线,从而产生串扰噪声。
- 2024-09-16
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BUCK和BOOST仿真源文件。
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BUCK和BOOST仿真电路分享
经过前面多个章节介绍,BUCK和BOOST电路的原理已经分析清楚。接下来,将使用multisim对BUCK和BOOST进行仿真分析。
BUCK电路仿真分析,此次采用二极管做续流元件。输入10V直流电压,经过BUCK转换器后,输出电压与Q1的开关占空比和D1的压降有关。BUCK仿真电路如图1所示。
图 1
BUCK仿真结果如图2所示。Q1的开关占空比为50%,D1的压降为 0.5V,BUCK输出电压为4.41V。在电感左侧,电压波形为方波,电感右侧电压为类正弦波,该波形的峰峰值就是电源纹波。
图 2
BOOST电路仿真分析:与BUCK仿真类似,采用二极管做续流元件。
图 3
BOOST仿真结果如图4所示。输入电压10V,PWM占空比50%,理论应该输出20V,实际由于元器件的各种寄生参数,最终输出19.05V,与理论接近。
图 4