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推荐韩国JSC品牌nand mcp产品，搭配高通9x07(9x06),9x15,联芯LC1761 4G/LTE模块方案。 QQ:1140784820，Tel:18566692422 MCU:qualcomm9X07,9X06   >MCP: JSFCBB3Y7ABBG-425(4G+2G D2 x8/x32 162B)   >MCP:JSFBAB3YHABBG-425 (2G+1G D2 x8/x32 162B) MCU:qualcomm9X15   >MCP: JSFBAB2NH3BBA-450(2G+1GD1 x8/x32 4bit ECC 130B) MCU:LC1761 >MCP:JSFBAB3YHABBG-425 (2G+1G D2 x8/x32 162B)

ATO Solution公司简介：   韩国ATO Solution公司是一家专业的存储器产品制造商，其产品线有NAND FLASH 、DDR2、DDR3等，有工业级和商业级，产品通过ISO9001：2000和ISO14001：2004，韩国ATO产品广泛应用于测量仪表、导航测绘、医疗监控、电力监控、消费电子、数码相机等众多领域。 ※ 韩国ATO Solution产品优势：   韩国ATO公司主流产品NAND FLASH 是在国际知名品牌HYNIX的韩国工厂封装测试而成，具体可靠的稳定性，抗干扰性强，价格低廉，较短的交期（2周）；韩国ATO产品完全兼容替换SAMSUNG和其他品牌已经停产的NAND FLASH 型号,比如：可以替代K9F5608-U0M/A/B/C/D、K9F1208-U0M/A/B/C、K9F1G08-U0A/B/C等紧缺涨价的型号，填补市场空白，有效降低客户的采购成本。 AFND1G08U3-CKA是韩国ATO公司全力打造的一颗1Gbit (128Mx8Bit)NAND FLASH 民用级完整型号 AFND1G08U3-CKA 工作温度 0℃-70℃ 工业级完整型号 AFND1G08U3-CKAI 工作温度 -40℃-85℃ 只需要修改ID代码就可以完全兼容SAMSUNG K9F1G08U0E/D/C/B/A/M等其他品牌系列产品 FEATURES SUMMARY • Power Supply -3.3V Device(AFND1G08U3) 2.7V ~ 3.6V • Organization -Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit -Data Register : (2048 + 64) x 8bits • Automatic Program and Erase -Page Program : (2048 + 64) x 8bits -Block Erase : (128K +4K) x 8bit = 64pages • Page Read Operation -Page Size : (2048 + 64) x 8bits -Random Access : 25us(Max.) -Serial Page Access : 25ns(Min.) • Fast Write Cycle Time -Program time : 200us(Typ.) -Block Erase time : 2ms(Typ.) • Copy-Back PROGRAM Operation - Fast Page copy without external buffering zStatus Register -Normal Status Register (Read/Program/Erase) • Security features -OTP area, 16Kbytes(8 pages) • Hardware Data Protection -Program / Erase locked during Power transitions • Data Integrity -Endurance : 100K Program / Erase Cycles (With 1bit/528byte ECC) -Data Retention : 10 years • Package -AFND1G08U3 : Pb-Free Package AFND1G08U3 : PbFree Package 48-pin TSOP(12 x 20 / 0.5 mm pitch) 48-Ball FBGA: 9.0 x 9.0 x 1.0mm 48-Ball FBGA: 6.5 x 8.0 x 1.0mm 梦成真环球有限公司 Gary（石国林） mail：gary@dct-global.com tel：155 6766 8092 QQ：2790416931