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TIM3_IRQChannel 貌似这是低版本库里的
换成 TIM3_IRQn 试试
UART4_IRQn 这个不清楚,怎么看也没问题
也是菜鸟,不太懂
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发了,因为是H-JTAG下用的,所以是.his格式。
引用 24 楼 gooogleman 的回复:
引用 23 楼 haiou_arm 的回复:
表,我有。H-JTAG的厂家给的,测试没问题。你要不要,我发给你
引用 22 楼 gooogleman 的回复:
引用 21 楼 haiou_arm 的回复:
拉高可以读出ID,但不能DEBUG,也不能进行Flash烧写,你上面的截图读到了两个ID,分别是什么呢?
首先明确拉低才是正确的!
谢谢gooogleman,应该不是硬件……
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tmp = ~0x01;
WDR();
if ( tmp == 0xfe) //去掉“~”这样写编译执行就正常,头晕!
{
WDR();
}
WDR();
main.c:44 WDR();
0x8fe0 <main+4> 0x35AA50E0 MOV 0x50e0,#0xaa MOV _IWDG_KR,#0xaa
main.c:46 tmp = ~0x01;
0x8fe4 <main+8> 0xA6FE LD A,#0xfe LD A,#0xfe
0x8fe6 <main+10> 0x6B01 LD (0x01,SP),A LD (0x01,SP),A
main.c:47 WDR();
0x8fe8 <main+12> 0x35AA50E0 MOV 0x50e0,#0xaa MOV _IWDG_KR,#0xaa
main.c:49 if ( tmp == 0xfe)
0x8fec <main+16> 0x7B01 LD A,(0x01,SP) LD A,(0x01,SP)
0x8fee <main+18> 0xA1FE CP A,#0xfe CP A,#0xfe
0x8ff0 <main+20> 0x2604 JRNE 0x8ff6 JRNE 0x8ff6
main.c:51 WDR();
0x8ff2 <main+22> 0x35AA50E0 MOV 0x50e0,#0xaa MOV _IWDG_KR,#0xaa
main.c:54 WDR();
0x8ff6 <main+26> 0x35AA50E0 MOV 0x50e0,#0xaa MOV _IWDG_KR,#0xaa
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实在受不了!
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这样和你说对51来说8255是他的一个设备,51对设备的操作是由一个地址、8255有A口、B口、C口、和一个控制端口中、对控制端口写入数据就是对A、B、C口的模式控制设置好模式后就可以对口的操作
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重新上电后,程序不跑,ISP也再也进入不了。我曾经怀疑,是否ISP被我刷掉了。我用FLASH MAGIC下载程序,只擦除第0扇区,而921的ISP代码位于第3扇区。我有个疑问,是否应该将第0,1,2全部擦除再下程序?
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请问下楼主是那块片子,我看文档上写的好好地默认是高电平触发呀!不会你改了人家配置还是这么了!你是100pin的那个片子?还是48pin的??
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再看一下补充的问题啊
最高效的哦
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GOOGLEMAN的博客地址呢
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有没有高手帮帮啊,我是刚开始啊
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又发现了,如果我进函数单步调试,执行的结果是0x01,但是不进函数,直接执行过去,运行的结果又是0x00.我猜可能是延时的问题,我在用单步调试,慢慢的一步一步执行时,输出端口的有效数据时间可能已经过了,端口被未知的原因改成了0x01.不过这未知的原因,我还是没弄明白。
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三极管的电流放大原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图一:晶体三极管(NPN)的结构
图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即: β1=Ic/Ib 式中:β--称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
再给点参考,仅供参考!
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学习。
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恩,谢谢城主的回答。
我再详细描述下:
我用的是107的芯片,当用keil仿真时,会停在
/* Wait till PLL2 is ready */
while((RCC->CR & RCC_CR_PLL2RDY) == 0)
{ }
,我改变pc指针,跳过这段等待,在模拟串口处能看到输出。
我下载到物理板子上,它会直接通过上面这段等待,但是用win自带的超级终端看不到输出,用其他串口软件,能看到乱码(我怀疑是频率上有什么问题?),
我该用103系列的iap,能看到输出。
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不清楚需要加什么字库,这个才是最糟糕的
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主要是通过usb hid传输协议的话,有些协议头和尾也占字节。所以扩大包处理起来比较方便。
有的计算机能用,有的计算机不能用。这好像只能说明计算机侧有问题。而不说明stm32 有问题。我们用实达的工控机,开始不能用。后来他们升级完工控机的bios后就能识别了。新的电脑按说应该是高速设备呀,为什么不能正常操作呢?只能说是全速设备了看来。
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哦,明白,谢谢了。
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楼主是在X86的PC上跑的?
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学习学习
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楼主你的程序应该有遗漏,好像没这么短啊,我有成功的程序你要不?