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可以实现，通过STVP烧写DATA MEMORY
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顶
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103K的I2C是按标准I2C去操作，没有特别之处。
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看看ST的一篇AN会有帮助：
AN2668 Improving STM32F101xx and STM32F103xx ADC resolution by oversampling
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学习中
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搞定.......
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Mark!!!!!
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那就证明已经有锁加在上面了。
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参考这个打开串口方法：
HANDLE hComm=CreateFile(
_T("COM1:"),
GENERIC_READ|GENERIC_WRITE,
0,
NULL,
OPEN_EXISTING,
0,
NULL
);
复制代码
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Veabol兄弟你是什么硬件平台？我一直怀疑我的USB Fuction驱动有问题，就是现在不知道从哪里下手改
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我们做的每个产品都有开机Logo，甚至产品序列号、PCB版本号等等。都是以二进制形式存储在Nand Flash中的，至于存在哪里？怎么写入？怎么读？你自己完全可以在代码中自己控制啊！
关于你的问题，看我的解答：
1、在image_cfg中有以下配置：
#define DRAM_BASE_PA_START (0x50000000) //DRAM物理起始地址？
#define DRAM_BASE_CA_START (0x80000000) //
#define DRAM_BASE_UA_START (0xA0000000) //DRAM经过MMU映射后的虚拟起始地址？
后面的注释是我加的，请问加的是否正确？0x80000000是什么地址？难道是DMA缓存地址？这个问题很菜，哈哈
注释基本都是对的，第一行是DRAM的物理地址，第二行是经过MMU映射之后的虚拟地址，第三行是在虚拟地址的基础上增加了Cache（即缓存）后的地址。和DMA没什么关系，这些地址你在MMU映射转换表中应该能看得到的。
2、在使用SD卡进行烧写EBOOT.bin时，提示地址是：
ImageStart = 0x80030000, ImageLength = 0x42F38, LaunchAddr = 0x80066D64
这个0x80030000肯定不是NandFlash物理地址，问题就是什么时候将EBOOT.bin的内容写到了NandFlash里？写到了什么地方？谁干的？
因为在烧写NK.bin的时候，提示地址是：mageStart = 0x80100000, ImageLength = 0x1F3C49C, LaunchAddr =
0x801076EC，在写完后要等待一段时间（1分钟？）系统才能自启动，这一分钟肯定是将先写到0x80030000（到底是DRAM还
是缓存）中NK.bin解析到NandFlash中，同样我也不知道烧到了NandFlash的什么地方？
EBoot的ImageStart=0x80030000是指Eboot运行时在DRAM中的地址，这是在Build Eboot时在Eboot.bib中指定的。后面的LaunchAddr是指Eboot运行起来时真正执行代码的地方，因为Paltform Builder做出来的Eboot.bin中，前面有一段头的，最开始是跳转指令，后面一部分是空的，真正的代码在后面偏移0x76EC的地方。至于将Eboot.bin烧到了什么地方，这里是看不出来的，要看你的具体代码。
同理，NK.bin显示的ImageStart=0x80100000也是指NK将来在DRAM中运行时的地址。LaunchAddr也是跳转过去真正执行的代码的位置。NK.bin烧的位置也要看你代码
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1. DMA, 就是不透过 CPU 的 Core 做存取, 故其与 cache 是无关的, 但是在程式准备资料填入 dma 的 buffer 或是从 dma buffer 搬出时, 就与 cache 有关了.
2. LZ 可将得到的 physical address 再透过 VirtualAlloc/VirtualCopy 或是 MmMapIoSpace 等 API 即可获得 cached virtual address.
Paul, Chao @ Techware
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搞定之后我会给大伙做个汇报：）
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学习，帮顶
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不行啊
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都不是呀，是BSP的库，没有源码的确良
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不知道。。。
不过帮顶一下。
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是设置成FLASH中调试的.
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有啊，官方软件支持。
不过这个不是很方便，因为一旦进入Application，就无法再进ISP了，除非修改OptionByte设定。
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学习学习，呵呵
stm32/stm8