目前好像还没有公开

                                 贴子没有结，不要怪我，没有搞好，暂时不打算搞了。有空余时间再弄吧。谢谢各位大虾。

                                  STM32_Flash_RM_CH_V6.pdf    P11 上这么描述 当保护字节被写入相应的值以后： 1  只允许从用户代码中对主闪存存储器的读操作(以非调试方式从主闪存存储器启动)。 2  第0~3页(小容量和中容量产品)，或第0~1页(大容量和互联型产品)被自动加上了写保护， 其它部分的存储器可以通过在主闪存存储器中执行的代码进行编程(实现IAP或数据存储等 功能)，但不允许在调试模式下或在从内部SRAM启动后执行写或擦除操作(整片擦除除 外)。 3  所有通过JTAG/SWD向内置SRAM装载代码并执行代码的功能依然有效，亦可以通过 JTAG/SWD从内置SRAM启动，这个功能可以用来解除读保护。当读保护的选项字节转变 为存储器未保护的数值时，将会执行整片擦除过程。 不过我也没有试验过, 等待楼主的进一步试验.

是吗？你确定？

                                 以前用SW模式偶尔可以下载，就两三次吧，现在是JTAG和SW都无法下载了，错误提示还都是一样的，这到底是怎么回事啊？

                                 绝对的，我保证。因为是第一次用，我测试比较细，而且很好验证，但不影响应用，一般人可能不注意

                                 

STM32调试我用JLINK的的SWD方式，感觉也比ST-LINK对STM8的下载快多了

JLINK通过SWD下载STM32速度是多少啊？

这本书主要还是在说软件的模型，建议你弄一块开发板边学边看。

DS18B20温度检测，网上代码一堆。另外一个湿度检测的，我想问问楼主， 你什么接口的？看到你接到P1.0口，，，奇怪！

试过 停止TI 修改寄存器值 开启TI 不奏效

单片机属于较简单的控制芯片，体系也比较简单，没什么不好理解的。 直接上C就行，汇编太浪费时间了。 我感觉其实 学单片机 直接从 代码开始就行，搞个比较有代表性的程序来学习下，等你弄懂了，就什么都懂了。 我觉得难的 反而是 外部电路，硬件电路那块 ，有时候一点小问题 就是找不出来。

电路图看不到怎么办?

这个跟你的boot有关系，一来讲可能大于你之前的内核的话，可能就会起不来，建议仔细查下boot看看改善

其实，可以这样理解，它原来就是一个mcu，但是，后来功能固定后，就将mcu内部不需要的东西去掉，将软件固化到里面，类似启动代码Bootloader。像TI的dsp，假如你量大的话，貌似也可以拿去原厂固化软件。由于它功能固定了，所以就变成了专业IC了。

应该是不可能的、、、 22P电容通常耐压绝对大于晶振两端的电压，就算你随便哪里电子市场买的，也不可能击穿。你怎么知道它被击穿了？   除非你买的是非常次的电容，但这样的概率也非常小。 楼主怎么认定是电容被击穿？ 晶振不振？？ 是否是那个4M的晶振 坏了，你反而觉得是电容坏了？

第（3）中我写错了一个，应该是1.1001001x2的4次方 不懂1001001这个是代表什么？ 也不懂那个“规划和非规划化的区别是什么？”

引用 1 楼 lijinyan3000 的回复: 我工作电脑的开发环境: wince 6 R3 + 091231的补丁包. 同事开发环境: wince 6 R2 + 081231的补丁包. 家里电脑的开发环境: wince 6 R2 + 081231的补丁包.

lz重新编译的时候把Release目录以及cesysgen目录全部删掉，然后build and sysgen再试试吧。 按照lz描述的现象应该跟R3没什么关系，因为你家里的电脑也没有装R3呀，为什么还是不行呢？呵呵。。。

                                 有多少数据量？更新次数需多少？

                                 但是我用以前的isp软件 和 新出的 107 小的demo板 不行呢