用一个8050是可以做到, 但是那样在机器待机时, IO高电平, 升压板电源也关闭了, 但是升压板还是有0.07v的输出(可能是漏电)到三极管. 好像会消耗很多电量, 在低功耗电池的产品里面不合适. [ 本帖最后由 vcxz_1982 于 2013-1-22 13:35 编辑 ]

可能是我表述了错了. 是单片机的IO口, 因为是低功耗的产品, 所以电平在1.8 ~ 2.0v之间.

版主: 我的是一种低功耗ARM机, 低电平=0.06v. 高电平 1.8~2.0V. 图1我已经试用, 没什么问题, 用的8050 or  8550 驱动 一种PMOS.(耗尽型). 但是觉得好多图都是去关断负载的正极. 想想也是有道理的.

up ding ding

ding

原帖由 仙猫 于 2012-6-8 09:22 发表   这里改用绝对值来表述不容易错。 假如 Vgs(th): |min|=2v，|max|=4v，测试条件|Id|=250μA; 那么 ①．|Vgs|＜2V时，|Id|＜250μA，是否彻底截止另当别论； ②．2V≦|Vgs|≦4V时，|Id|＞250μA，说不清 ...

  大致明白了. 最近看到有个 负载开关这东西, TWH8751 TWH8752 觉得还挺适合我的. 我的PCB板已经画好, 只能用3根阵脚(给可控硅用的), 现在不用可控硅了. 用pmos管, 觉得有点晕了. 不过我还是会买几个做下试验. 至少要知道三极管C8050  和 PMOS 和负载开关他们谁更加稳定.  再次表示感谢!  

嗯. 我这里讨论的都是 增强型PMOS. 好像说这个市面上最多吧.

　 　 断开的电压(高电平) Vgs 导通的电压(低电平) Vgs 　 电源类型 电压区间(S极) 1.8 3.3 0 选择Vgs(th)结论 锂电池电压 3.2 0.1 -3.2 >=-2v >=-3v 更好. 4.2 -0.9 -4.2 升压板电压 5 -3.2 -1.7 -5 >=-4v导通, >=-5v更好 5.5 -3.7 -2.2 -5.5  谢谢你的回复! 我上面这个表, 不知道我这结论对吗?  如果一个PMOS的手册, 这么写的.Vgs(th): min= -2v, max= -4v; 那我将Vgs的压差(g<s) 分别控制在-1V -3V -5V, 这3种情况下谁会导通呢? [ 本帖最后由 vcxz_1982 于 2012-6-8 09:09 编辑 ]

不知道这么理解对吗? 第一种: 1.8的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -4v的 (min=-4 max=-6) 这种类型的? 第二种: 3.3的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的? 第三种: 3.3的IO, 要去控制3.3v~4.2v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的? 有2中IO控制控制5.5v的, 如果要避免购买2种类, 可以用下列2种方法: 1. 将3.3v接下拉电阻, 变成1.8的. 2. 选个通用的的阀值. 我这么理解对吧?

原帖由 liufan 于 2012-6-7 01:44 发表 没有看到公共地线

 他们是共电源的, 负极就是GND.  G  A1 A2 中间的就是负极GND.

感谢版主再次回复！ 我昨天搜索了好多资料看，大部分推荐我用MOS管。 但是三极管和MOS管，都有人遇到关不死的问题。 我觉得三极管很容关不死。因为是饱和模式。MOS管是截断模式，不知道我理解的对不对？

我应该符合第二条： 2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。 用低电平打开，输出是将负极进行开关。

NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE 1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。 2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。 3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。 4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。 NPN和PNP型传感器的区别就是在与输出的电平不同，NPN输出低电平，PNP反之。 N是英文单词native的缩写，P是positive的缩写，分别代表正、负。N材料中导电的东西是电子、P材料中导电的是空穴。 mark一下，慢慢读

en , 我买的是TO-92封装的。方便接插。 左边的三极管是对升压板的负极进行开关。这个升压板是3V升5V。 其他2个三极管是对5V的负极进行开关。 请问这电阻如何计算啊？（我是写软件的，自己做个小东西，太菜了，不好意思！）

https://bbs.eeworld.com.cn/thread-331809-1-1.html### 我的ARM9的GPIO口属性：（GPG8） 关机时=0V，电阻好像是128K？ 开机后=3.3V。电阻无穷大。 低电平=0V。电阻=0。 我就想， 关机时 开机时，他都不工作。只有低电平时工作 1. 因为昨天只买到8550. 我这种情况一定要用8050吗？ 2. 请问1K的电阻起到什么作用呢？ 谢谢!

GPG这些IO口： 不开机时，曾高组态。开机后，3.2V。 低电平=0v。 昨天买了8550， NPN型，试了一下，不行。 请问8050， 是在基极加串上电阻吗？ 串多大的呢？ 谢谢！

人气太低了， 还是去csdn快。 886

有不有人啊

啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊

*********** 请大家帮我看第1个和第5个就可以了. 谢谢! -------------------------------------------------- 问题：在PCB布局布线时，应注意些什么？ 答案：Sigma-Delta ADC具有非常高的分辨率以及极低的噪声，因此PCB的布局布线对于实现ADC的高性能有非常大的影响。在PCB的布局不线中需要注意以下方面： 电源：如果可能，尽量使用单独的模拟电源和单独的数字电源。而且模拟部分的电源要使用线性电源。如果使用单电源给AVDD和DVDD供电的话，AVDD和DVDD之间应用磁珠进行隔离。在所有的AVDD的管脚要用0.1µF和10µF进行去耦到模拟地上，所有数字电源管脚要用0.1uF进行去耦，接到数字地上。电源线在PCB上要走尽量宽的线。 地：系统要分为模拟地和数字地两部分，模拟地和数字地都要是大面积的地平面。ADC芯片本身模拟管脚与数字管脚都物理上分隔开了，因此ADC可以跨在模拟地平面和数字地平面的中间，ADC的AGND管脚要接到系统模拟地，ADC的DGND管脚要接到系统数字地。模拟地和数字地最终在ADC的附近进行一点相接。 信号：信号的模拟部分和数字部分要分开，模拟信号线和数字信号线也要分开，模拟信号线和数字信号线不要穿插。在芯片下面避免走数字信号。 如果要了解更多，请参考ADI网站上的技术资料“Obtaining Optimum Performance From the AD7731 Sigma Delta ADC”。