ADC的有关参数有时很让人疑惑。平时说的精度等词定义有所不同。wiki上有个比较详细的介绍http://en.wikipedia.org/wiki/Accuracy。accuracy是一个衡量直流参量测量的指标，一般是多次平均的结果，对应到ADC中Gain/Offset error，INL等DC参数。precision是指多次测量下的可重复性的衡量，一般用来做AC或者动态信号测量时使用，对应到ADC的ENOB，SNR等AC参数。 这里的测量如果指的是DC参数的话，那就只用考虑Gain/Offset error，INL等。其中Gain/offset error容易在做电路设计时补偿掉，如果不考虑温度补偿的话，只用考虑这些参数的temperature drift即可。INL是影响测量accuracy的主因。如果不做calibration（每个设备都要单独做补偿）以及不做温度补偿（需要做温度扫描记录测量结果用以补偿），那么在测量范围内最大的INL以及那些DC参数的temperature drift就是设计中要考虑的主要因素了。还有一个办法是把被测动态范围多分几段，用几个ADC去实现。 至于测量的resolution则是主要受bit数的影响，由于DC测量是多次测量结果的平均值，所以INL在这也没太大影响（注意这里指的不是accuracy） 如果不允许多次平均，那么就要考虑到在被测频率下ADC的噪声。这时error free resolution不取决于ADC的bit数而是受噪声的影响。error free resolution可以这么得到 log(Vm / Vnp-p).  log是2为底的对数。Vm是被测的动态范围，Vnp-p是ADC的噪声峰峰值。这就是为什么那些巨高bit数的sigma-delta实际中没法达到其理论值的原意之一。 前边Xu DX讲的补偿（calibration）的确是最常用的有效办法。对于高精度测量，没有补偿的话要么需要耗费不必要的花费，要么就是不可能。

解压码:)

万用表只有直流和工频交流可测。 如过有示波器的话，可以做个简单线圈挂在探头上测试。没有的话，用收音机靠近测测有无噪声出来也是聊胜于无的办法。

融融春意的电路板。不是冰冷冷的PCB和芯片。:carnation:

如果现在是个老工程师，那么说的都是些废话，因为自己也没做到。如果是个非技术人员，那么他也没达到技术的高境界，说这些是误导年轻人。 人最好别用这种口气说话。那一行都能发达。有一技之长，抓住机会，再有那末点幸运。别干着一行，就觉得别人那行才是最好的

可以的。比如spartan3 一般有4个dcm。每个dcm可做 f=(M/D)*fin 运算。m=2-32 d=1-32。几个dcm串起来组合一下。再者，尽量别使用多个时钟。用一个高频基准时钟，其它低频部分用各种频率的使能信号比较好。比如用60m产生所需宽度的800k，8k，1k使能逻辑信号去处理低频部分。这是同步设计的普遍方法.写了篇短文谈论这个话题。 参见  https://home.eeworld.com.cn/my/space.php?uid=355576&do=blog&id=64386 [ 本帖最后由 sun_ic 于 2011-12-26 04:33 编辑 ]

不要用logic产生的信号再去做时钟，因为那样产生的时钟延时无法保证。FPGA就无法在Place & Routing时做timing的分析正规的做法是用DLL或者DCM锁相的方法去产生新的时钟。这样新时钟的相位和原始时钟是固定的，比如可以保证是0相移。同时DCM产生的时钟通过BUFG可以使用专用时钟分配网络。时钟的约束可以只约束原始时钟，而新时钟的约束自动导出。也可以直接约束新时钟。

条件中用||  &&, 赋值中用 |  &

thx。

也行也不行：）   这不是关键。关键在于回路之间的关系和分割。避免噪声/大信号/干扰大的回路等，对敏感部分的串扰。鄙人贴的漫谈上有几篇是谈这个的。

现在著名凤投基本都不做ASIC了，更不用说FPGA。现有的两三家还时好时坏。国内除非政府投资。但除了导弹火箭，商用的技术有几个是zf投资能做成的？

hk6108性子急啊，呵呵。感谢yjy及时奉上。 这本书从10多年前就一直放在俺的案头。模拟电路器件等方面有什么拿捏不住的，第一本想翻的书。

https://home.eeworld.com.cn/my/s ... 576&do=blog&view=me 参见漫谈的10/12中的建议

方便起见，之前的帖子和以后的新贴，都贴在空间的博客里了。

（接楼上）  生产环节中比较重要的一环是严格管理器件的进货渠道。在国内，发现即使在正规代理那买的器件都有水货！你不找他们也就过去了，追到他们那他们也承认。美国前一段也抓到从国内进货的有些器件都进入了其军方的渠道。大家可能听说过有一些做反向芯片工程的公司。这种模仿出来的片子，初起用还好，但有的经历72小时老化会失效，最可怕的是发现有在现场用了1年后失效的。产品出厂前的老化必须做。虽然这样增加了生产成本和出厂时间。但节约的是将来的维护费用。更别说声誉了。 再怎么严格把关的产品都难免有潜在的缺陷。这就涉及到产品生命周期中的维护。用户送回故障产品返修时，要像医学院的学生得到一个解刨样本一样认真对待。比如产品中某个芯片坏了，往往技术人员急于找到问题马上解决。修好一个返修的产品只是目的中微小的一个。对待这上述损坏的器件不能拆下换上一个工作了就算解决了。更重要的是分析它怎么坏的，复现和分析问题出现的真正原因，从而在设计和生产上避免，这比解决问题更为重要。有时还可能需要器件厂家配合，找出器件内部是哪一部分失效，从而找到系统中设计或者生产的潜在缺陷。这个过程一般叫failure analysis。发现了问题，找出问题的原因从而彻底避免占60分，解决问题顶多占40分。说是这么说，一般工程师需要耳提面命多年后才认同。     （待续) 版权所有。转载请告知。 sunvaleh@hotmail.com 新浪 weibo: sunvale

电路设计漫谈之28– 产品的可靠性设计与测试我们通常所说研发其目的是设计生产出可批量生产的性能稳定的产品。这一点往往被“科研”一词误导认为是技术开发。实现了技术指标的要求只是整个过程中的第一步。先举两个例子。H公司.某网络设备所用串行总线所带负载过多，源器件sourcing电流的冗余度不够。由于产品已经进入小批量生产，评估后认为不宜再更改电路设计重新制版，而是决定减小上拉电阻的阻值使其在高电平时提供较大的sourcing电流。即把电阻的阻值稍微减小点。计算更换和实验都很简单，也验证机器的功能工作正常，但产品部门的工程师要我们做详细的风险分析包括所涉及器件/电阻的DVT，然后重新测试机器的整个功能，用了一个月左右的时间完成了产品的更改和验证。K公司。公司的生产的一个产品，在某个系统公司的设备上几天内出现了几十毫秒的中断。系统厂家即暂停生产该类产品。我们在实验室模拟了半个多月，确认是找到原因了。修改和测试也就是一天的时间。系统厂家重复了之后，又花了1周多时间跟我们反复确定，这个解释的确是问题的原因，然后才让我们作出修改来解决这个问题。可批量生产以及稳定产品的开发，在整个流程中还至少还要包括以下几点1）设计的冗余度2）全部器件都在其指标（6-sigma）要求的范围内工作。DVT。3）全面的测试，包括cornercase和压力测试4）器件的sourcing管理5）生产工艺流程的管理6）产品出厂前的老化处理7）产品生命周期中的维护设计出稳定可靠的产品不是一件简单的事。如在80/20定律一文中所谈，以上几点可能构成了整个产品中80%的工作。1-7有些是相关的。比如设计的冗余度，除了模拟仿真/方案制定/电路设计等阶段要考虑以外，产品样机出来之后做全面的测试是比不可少的一步。至少要做以下2-3步的测试，这样可以发现设计冗余度不够的地方，以及一些正常运行时看不到的隐患。1）4-corner测试。即温度和供电电压的组合（高电压高温，低电压高温，高电压低温，低电压低温）。有些特殊的产品还做8-corner，即再增加一维关键指标的最大最小值到上边的组合中。2）DVT测试（design verificationtest 设计的验证测试）一般是用示波器把每个节点的波形测试一下（对的，是测试每个器件的管脚！），然后跟器件的手册指标逐一比对，不允许有任何超出器件正常指标的情形，即使产品测试时都工作正常也不行。这个工作很繁琐，有时工程师不愿动手会让培训过的初级工程师完成。但建议你在职业生涯中至少自己亲自动手完整的做一次。这样会让你对DVT的必要性有深刻体会。这个测试好多情况下技术人员会有抵触，因为太多繁杂重复的工作。但这确实必要。本人就经历过好多次通过DVT发现难以发现的隐患的例子。有些运营了很久出现的特殊情况，也是可能在DVT中发现的。除了波形外其他的功能指标（包括电源功耗，电源电流等是否在指标范围内都要包括）。有时涉及到供货的压力，一些非关键不涉及可靠性的功能/指标如果有问题，可以作为“knownissues”在客户认可后，下一个版本中解决。3）Thermalcalibration测试关键器件的表面温度（一般是高温下），从而折算到器件内部硅片衬底（Junction)的温度，看看是否超标。一般器件在其手册上都有热阻参数，根据表面温度和热阻系数可以计算器件的衬底温度，从而和器件手册的指标比对。有时需要根据结果确定是否需要改进散热通风，或者在器件上增加散热片，以及何种规格的散热片。(接楼下）