光刻胶-刘工

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  • 2025-03-11

  • 发表了主题帖： 《存储芯片用厚膜光刻胶的应力控制，30μm 以上厚度如何避免翘曲？》

    在制作 TSV 结构时，30μm 厚的光刻胶烘烤后出现 15μm 的翘曲变形。通过应力仪测试发现，材料内部应力达到 200MPa。尝试添加弹性体增韧剂后，应力降至 120MPa，但硬度下降导致刻蚀选择性恶化。 厚膜胶的应力释放是否与固化温度曲线有关？ 有无工程师尝试过梯度交联工艺？  

  • 2025-03-10

  • 发表了主题帖： 《曝光后烘烤（PEB）工艺参数波动，如何影响光刻胶的 CD 均匀性？》

    " 在量产中发现，当 PEB 温度波动超过 ±0.5℃时，CD 均匀性（CDU）会恶化 20% 以上。通过 DSC 分析发现，这可能与光刻胶的玻璃化转变温度（Tg）对升温速率的敏感性有关。但不同供应商的材料表现差异显著，我们测试了 A/B/C 三家的 ArF 胶，结果显示： A 胶：Tg=120℃，CDU 标准差 2.1nm B 胶：Tg=135℃，CDU 标准差 1.8nm C 胶：Tg=110℃，CDU 标准差 2.5nm Tg 是否是影响 PEB 工艺窗口的核心参数？ 除材料本身外，涂布厚度对 CDU 的影响权重有多大？

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