发表了主题帖： 全碳化硅户用工商业50kW光伏并网逆变器设计方案

倾佳电子杨茜介绍全国产碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆变器设计方案： 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     一、系统架构 输入侧 MPPT升压拓扑：采用双路Boost拓扑，每路25kW，降低电感电流应力。 关键器件： B3D40120H2（SiC肖特基二极管）：用于Boost二极管，耐压1200V，支持高频低损耗。     B3M040120Z（1200V SiC MOSFET）：作为Boost开关，利用其低导通电阻（40mΩ@18V）和高频特性提升效率。     逆变侧 T型三电平逆变拓扑：采用T型中性点箝位（TNPC）结构，降低开关损耗和电压应力。 关键器件：     B3M040065Z（650V SiC MOSFET）：用于中间电平开关，耐压650V，匹配中点电压。     B3M040120Z（1200V SiC MOSFET）：用于上下桥臂开关，耐压1200V，适应高压直流母线。 二、关键参数设计 输入侧（MPPT） 光伏输入电压范围：600–1000V（假设单路MPPT）。 Boost升压输出：稳定至1200V直流母线。 开关频率：50kHz（利用SiC高频优势，减小电感体积）。 电流计算： 单路功率25kW，输入电流 25000/1000=​=25A（最大）。 B3M040120Z：连续电流64A@25°C，裕量充足。 B3D40120H2：连续电流61A@135°C，满足需求。 逆变侧（T型三电平） 直流母线电压：1200V。 输出功率：50kW（三相380V，输出电流 ≈76A）。 开关频率：20kHz（平衡开关损耗和EMI）。 器件选型： B3M040120Z：承担高压侧开关（1200V），RDS(on)​=40mΩ，导通损耗低。 B3M040065Z：承担中点开关（650V），RDS(on)​=40mΩ，优化中压段效率。 三、热管理设计 散热方案： 强制风冷+铝基板散热器，热阻设计≤0.15°C/W。 B3M040120Z：最大结温175°C，需确保壳温≤110°C（参考 Rθ(j−c)​=0.48°C/W）。 损耗估算： Boost开关损耗： Psw​=21​×VDS​×ID​×(ton​+toff​)×fsw​=0.5×1200×25×(31ns+34ns)×50kHz≈48.75W 导通损耗： Pcond​=IRMS2​×RDS(on)​=252×0.04=25W 总损耗：单路约74W，双路共148W，需匹配散热器。 四、驱动与保护 栅极驱动： 使用专用SiC驱动芯片（如BASiC基本股份BTD5350MCWR），提供+18V/-4V驱动电压，支持快速开关（<50ns）。 BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。 对+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP152P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。 保护功能： 过压保护：直流母线箝位至1300V（配合TVS）。 温度监控：NTC传感器实时反馈散热器温度。 五、效率与EMI优化 效率估算： MPPT效率：99%（SiC二极管零反向恢复，Boost效率>98.5%）。 逆变效率：98.5%（T型拓扑+SiC低损耗）。 整机效率：>98%。 EMI设计： 输入/输出端加装共模电感+π型滤波器。 PCB布局采用分层设计，开关回路最小化。 六、BOM关键器件清单 功能模块 器件型号 数量 备注 MPPT Boost开关B3M040120Z4双路，每路1个 MPPT二极管B3D40120H2 每路1个 T型逆变高压开关B3M040120Z12三相每桥臂4个（上下臂） T型逆变中压开关B3M040065Z6三相每桥臂2个（中点） 驱动芯片BTD5350MCWR每MOSFET1个 直流母线电容450μF/1200V薄膜电容 6革 低ESR，高频特性 七、验证与测试 样机测试项： MPPT动态响应（EN50530标准）。 满载效率测试（欧洲效率>98%）。 高温老化测试（48小时@50°C环境）。 预期性能： 峰值效率≥98.5%，CEC效率≥98%。 符合IEC62109-1/2安规标准。 该方案充分利用BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC器件高频、耐压、低损耗特性，实现高功率密度（>1kW/L）和高可靠性，适用于户用和工商业光伏场景。

发表了主题帖： BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！             倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ 产品线与技术优势 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B2M SiC MOSFET：基于6英寸晶圆平台，具备高可靠性（车规级AEC-Q101认证）、低导通电阻（比一代降低40%）、低开关损耗（总损耗降低30%），适用于光伏、新能源汽车、充电桩等领域。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B3M SiC MOSFET：BASiC基本股份第三代技术，比导通电阻进一步降低20%，芯片面积缩小30%，FOM优化5%，支持高频应用，覆盖车规级模块和工业场景。 工业模块系列：如Pcore™系列、低损耗、支持高温焊料和Press-Fit工艺，应用于光伏逆变器、APF、储能PCS、高频DCDC等高端领域。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。 对于驱动正负压供电的需求，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供自研电源IC BTP1521F系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350系列。             性能对标国际品牌 在高温条件下（如175℃），BASiC基本股份B2M的导通电阻（RDS(on)）表现优于部分国际品牌，且击穿电压（BV）裕量更高。 动态参数（如开关损耗、体二极管续流性能）接近或部分超越国际竞品，驱动电压建议为+18V以优化性能。 可靠性验证 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET通过HTRB、HTGB、HV-H3TRB等严苛测试（1000小时以上），栅氧TDDB测试显示寿命预测超万年，满足车规级和工业级长期稳定性需求。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET加严测试（2500小时）进一步验证产品在极端条件下的可靠性。 应用领域全覆盖 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET单管及模块覆盖光伏、新能源汽车（OBC、高压DCDC、主驱动）、充电桩、工业电焊机、储能变流器（PCS）、测试电源等核心市场，提供从分立器件到模块的完整解决方案。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在碳化硅功率半导体国产化中的作用 技术自主化突破 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过自主研发的平面槽和沟槽栅技术，打破国际厂商在SiC MOSFET领域的技术垄断，缩小与国际一流产品的性能差距。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)6英寸晶圆平台和自研第三代芯片技术的应用，推动国产SiC器件从“可用”向“好用”升级。 产业链协同与国产替代 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供车规级认证产品（如AB2M系列），助力新能源汽车关键部件（如OBC、电驱系统）实现国产化替代，降低对进口器件的依赖。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在光伏、储能等新能源领域，高可靠、低损耗的SiC模块帮助国内企业提升系统效率，增强全球竞争力。 标准制定与行业引领 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过公开对标数据（如与国际品牌的性能对比），树立国产SiC器件的技术标杆，推动行业技术标准升级。 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)完善的可靠性测试体系（如AEC-Q101、MIL-STD）为国产功率半导体树立质量标杆，提升市场信任度。 市场拓展与生态建设 BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)针对不同应用场景提供定制化解决方案，加速SiC技术在国内工业市场的普及。 与电力电子终端企业深度合作（如定制开发驱动板、热仿真服务），构建国产SiC生态链，推动全产业链协同发展。         结论：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过技术迭代、可靠性验证和全场景覆盖，成为国产SiC功率器件领域的领军企业，不仅填补了国内高端功率半导体的空白，更在新能源、汽车电子等战略领域助力中国实现“双碳”目标与产业升级。

发表了主题帖： 桥式电路中碳化硅MOSFET替换超结MOSFET技术注意事项

在桥式电路中，国产碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替换超结（SJ）MOSFET具有显著优势，但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和技术注意事项两方面进行深度分析：     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ 一、国产碳化硅MOSFET替换超结MOSFET的优势             更低的导通损耗与高温稳定性 国产SiC MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在高温下增幅更小。例如，在150°C时，SiC MOSFET（如B3M040065Z）的RDS(on)为55 mΩ，而超结MOSFET（如OSG60R033TT4ZF）则升至65.6 mΩ，差异达98.8%。这得益于SiC材料的高温特性，可显著降低导通损耗，尤其在桥式电路的高温工作环境中优势明显。 高频开关性能优化 国产SiC MOSFET的开关速度更快（如开关延迟时间10 ns vs. 32.8 ns），反向恢复电荷（Qrr）极低（100 nC vs. 1.2 μC），大幅减少了开关过程中的交叠损耗和反向恢复损耗。在桥式电路中，高频开关可缩小无源元件体积，提升功率密度。 更低的开关损耗与效率提升 由于总栅极电荷（Qg）更低（60 nC vs. 104 nC），国产SiC MOSFET的驱动损耗和开关能量（Eon+Eoff）显著降低。例如，在6.6 kW OBC应用中，SiC总开关损耗为14.2 W，而超结MOSFET高达104 W，降幅达58.7%1。高频应用（如100 kHz以上）下，系统效率可提升1.3%-3%。 更高的耐压与可靠性 国产SiC MOSFET的阻断电压更高（650 V vs. 600 V），适用于高电压波动场景（如电动汽车OBC的瞬态工况）。其雪崩鲁棒性更强，可提升系统可靠性。 封装兼容性与高频抑制 TO-247-4封装支持Kelvin源极连接，减少栅极振荡，优化高频开关性能。此外，国产SiC MOSFET的体二极管恢复时间仅11 ns（硅基为184 ns），进一步降低桥式电路中的反向恢复损耗。 二、技术注意事项 驱动电压与负压关断 驱动正压要求：SiC MOSFET需更高驱动电压（+18 V）以降低RDS(on)，而硅基器件通常使用+12 V。若驱动电压不足，导通电阻可能增加20%-25%。 负压关断：推荐关断时施加-3 V至-5 V负压，以减少米勒效应导致的误开通风险，并降低关断损耗（Eoff）35%-40%。 BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。 对于驱动正负压供电的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521F系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350系列。 米勒钳位功能的应用 在桥式电路中，高dv/dt易引发米勒效应，导致对侧MOSFET误开通。需采用带米勒钳位功能的驱动芯片（如基本半导体的BTD25350），通过低阻抗泄放回路抑制串扰电流，将门极电压稳定在安全范围内。 热管理与封装适配性 SiC MOSFET的热阻可能略高（如0.6 K/W vs. 0.35 K/W），需优化散热设计（如增强PCB铜层厚度或使用散热基板）。 TO-247-4封装需注意Kelvin引脚布局，减少源极寄生电感对驱动波形的影响。 寄生电感与布局优化 高频开关产生的电压尖峰与寄生电感密切相关。需缩短驱动路径，减少PCB寄生电感，并采用低环路电感布局，避免长引脚导致的振荡和误触发。 驱动芯片选型与兼容性 选择支持高拉/灌电流（如4A/6A）的驱动芯片，以满足SiC MOSFET快速开关需求。对于驱动正负压供电的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521F系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350系列。             三、应用场景与成本考量 适用场景：高频（>50 kHz）、高温（>100°C）或高可靠性要求的桥式电路，如车载OBC、5G电源、光伏逆变器等。 成本平衡：国产SiC器件单价（如BASiC基本股份）已经低于替换规格的进口超结MOSFET，售价与国产超结MOSFET价格相近，加上通过减少散热需求、提升效率（降低系统总损耗30%-60%）和缩小无源元件体积，电源综合成本具备更优竞争力。 总结 国产碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在桥式电路中替代超结MOSFET的核心优势在于高频高效、高温稳定性和耐压可靠性，但需通过优化驱动设计（电压、米勒钳位）、热管理和布局降低技术风险。随着国产SiC器件的成熟（如BASiC基本股份），其在电力电子领域的渗透率将持续提升，加速全面取代超结MOSFET，助力大功率电源行业自主可控和产业升级。

发表了主题帖： 逆变焊机国产SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块的损耗计算

倾佳电子杨茜以NB500系列输入功率29KVA的逆变焊机应用为例做国产SiC碳化硅模块BMF80R12RA3和英飞凌高频IGBT模块FF150R12KS4的模拟损耗仿真对比：     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     技术说明：BASiC-BMF80R12RA3（SiC MOSFET模块）替代Infineon-FF150R12KS4（IGBT模块） 一、深度技术优势分析（BASiC-BMF80R12RA3 SiC MOSFET模块） 更低的导通损耗 RDS(on)@25°C仅15mΩ（BMF80R12RA3），而IGBT的饱和压降为3.2–3.7V@150A（FF150R12KS4）。 导通损耗公式： SiC MOSFET模块：Pcond​=I2×RDS(on)​ IGBT模块：Pcond​=I×VCE(sat)​ 以80A负载为例： SiC模块导通损耗：802×0.015=96 W802×0.015=96W IGBT模块导通损耗：80×3.5=280 W80×3.5=280W SiC导通损耗仅为IGBT的34%。 更低的开关损耗 SiC MOSFET模块的Eon + Eoff@80A仅43.5µJ（BMF80R12RA3），而IGBT模块的Eon + Eoff@150A高达25.5mJ（FF150R12KS4）。 高频下（如50kHz），开关损耗占主导，SiC的快速开关特性可显著降低总损耗。 更高的工作温度能力 SiC模块的最高结温175°C（BMF80R12RA3），IGBT模块仅支持125°C（FF150R12KS4），高温环境下可靠性更优。 更优的反向恢复特性 SiC MOSFET模块体二极管的反向恢复电荷Qrr​仅38.9µC（BMF80R12RA3），而IGBT模块配套二极管的Qrr​高达24µC@125°C（FF150R12KS4），反向恢复损耗更低。     二、NB500系列逆变焊机（29KVA）损耗仿真对比 假设逆变焊机参数： 输入功率：29kVA（等效输出电流约240A @ 120V） 开关频率：50kHz 负载率：60% 1. 导通损耗对比 模块导通损耗公式计算结果（单管）总损耗（双管并联） BMF80R12RA3（SiC模块）1202×0.0151202×0.015 216W 432 W FF150R12KS4（IGBT模块）120×3.5120×3.5 420W 840 W 2. 开关损耗对比 模块单次开关能量（Eon+Eoff）总开关次数/周期总开关损耗（50kHz） BMF80R12RA3（SiC模块）43.5µJ2（半桥）43.5×10−6×50,000×2=4.35 W43.5×10−6×50,000×2=4.35W FF150R12KS4（IGBT模块）25.5mJ2（半桥）25.5×10−3×50,000×2=2,550 W25.5×10−3×50,000×2=2,550W 3. 总损耗对比 模块总导通损耗总开关损耗合计总损耗效率提升（相比IGBT） BMF80R12RA3（SiC模块）432 W 4.35 W 436.35 W 82.4% FF150R12KS4（IGBT模块）840 W 2,550 W 3,390 W 三、结论 技术优势总结 SiC MOSFET模块在高频、高温、高能效场景下显著优于IGBT模块，尤其适合逆变焊机的高开关频率需求。 其低导通电阻、快速开关特性可将系统效率提升至97%以上，而IGBT模块系统效率仅约90%。 应用建议 在NB500系列逆变焊机中，采用BMF80R12RA3可减少散热设计压力，降低总损耗约2.9kW，显著提升功率密度和可靠性。 需注意SiC模块的驱动电路需匹配高开关速度（如±18V/-4V门极电压），并优化布局以降低寄生电感。 BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET模块多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。         对于驱动负压供电的需求，BASiC基本股份提供电源IC1521系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350系列。 最终推荐： 在NB500系列 29kVA逆变焊机中，基本股份BASiC-BMF80R12RA3 SiC MOSFET模块是更优选择，可显著提升能效与系统寿命。

发表了主题帖： 6.6 KW双向OBC碳化硅MOSFET替代超结的仿真计算

倾佳电子杨茜以6.6 KW双向OBC（内置3KW DC/DC ）应用为例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超结MOSFET OSG60R033TT4ZF的工作结温150摄氏度下的模拟损耗仿真对比。     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！       技术说明：B3M040065Z替代OSG60R033TT4ZF的技术优势分析 一、关键参数对比 参数B3M040065Z (SiC MOSFET) OSG60R033TT4ZF (Si MOSFET) 阻断电压VDS​650 V ，600 V 导通电阻 RDS(on)​40 mΩ (18V, 20A, 25°C) → 55 mΩ (175°C)，33 mΩ (10V, 32A, 25°C) → 65.6 mΩ (150°C) 总门极电荷 Qg ​60 nC ，104 nC 反向恢复电荷 Qrr ​210 nC (175°C) ，1200 nC (25°C) 热阻 Rth(j−c) ​0.6 K/W ，0.35 K/W 开关能量 Eon​+Eoff​115 μJ + 27 μJ = 142 μJ (25°C) ，未直接提供，需基于Qg​ 估算     二、B3M040065Z技术优点 BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET 更低的高温导通电阻 SiC材料特性使其在高温下RDS(on)​增幅更小（175°C时仅55 mΩ），而Si MOSFET在150°C时RDS(on)​升至65.6 mΩ，导通损耗显著增加。 BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET 更优的开关性能 总门极电荷Qg​仅为60 nC（OSG60R033TT4ZF为104 nC），驱动损耗和开关时间更低。 反向恢复电荷Qrr​仅210 nC（OSG60R033TT4ZF为1200 nC），高频应用中开关损耗进一步降低。 BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET 更高的阻断电压与雪崩鲁棒性 650V耐压（OSG60R033TT4ZF为600V），适用于高电压波动场景，如电动汽车OBC的瞬态工况。 BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET 热性能适配性 虽然热阻略高（0.6 K/W vs. 0.35 K/W），但SiC器件的高温稳定性可补偿热阻差异，支持长期高温运行。 对于驱动负压供电的需求，BASiC基本股份提供电源IC1521系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524。         模拟损耗对比：6.6 kW双向OBC（内置3 kW DC/DC）应用 假设条件 工作结温Tj​=150°C 开关频率 fsw​=100kHz 有效值电流 Irms​=32A（基于3 kW DC/DC模块） 母线电压 Vbus​=400V 1. 导通损耗计算 B3M040065Z： Pcond​=Irms2​×RDS(on)​=322×0.055=56.3W OSG60R033TT4ZF： Pcond​=322×0.0656=67.1W 2. 开关损耗计算 B3M040065Z： 取典型值 Eon​=115μJ, Eoff​=27μJ，总开关能量 Etotal​=142μJ Psw​=Etotal​×fsw​=142×10−6×105=14.2W OSG60R033TT4ZF： 基于 Qg​=104nC 和 VGS​=10V，估算开关能量： Esw​=Qg​×VGS​=104×10−9×10=1.04mJ Psw​=1.04×10−3×105=104W 3. 总损耗对比 型号导通损耗 (W) 开关损耗 (W) 总损耗 (W) B3M040065Z (SiC) 56.3，14.2， 70.5 OSG60R033TT4ZF (Si) 67.1，104，171.1 结论 在结温150°C的6.6 kW双向OBC应用中，BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z的总损耗（70.5 W）较OSG60R033TT4ZF（171.1 W）降低约58.7%。其优势主要体现在： SiC材料的高温稳定性显著降低导通损耗； 低门极电荷与反向恢复电荷大幅优化开关损耗； 更高的阻断电压适配高压应用场景。 因此，BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z在高温、高频的OBC系统中具有显著的性能优势，可提升整体效率并减少散热需求。

发表了主题帖： 5G电源应用碳化硅B3M040065Z替代超结MOSFET

倾佳电子杨茜以48V 3000W 5G电源应用为例分析BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超结MOSFET的优势，并做损耗仿真计算：     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     技术说明：以BASiC-B3M040065Z（SiC MOSFET）替代超结OSG60R033TT4ZF（硅基MOSFET）为例： 一、技术参数深度分析 参数BASiC-B3M040065Z（SiC MOSFET）OSG60R033TT4ZF（硅基超结MOSFET） 额定电压 VDS ​650 V ， 600 V 导通电阻 RDS(on)​ 40 mΩ（18V, 25°C）→ 55 mΩ（175°C） ，33 mΩ（10V, 25°C）→ 65.6 mΩ（150°C） 总栅极电荷 Qg ​60 nC（18V） ，104 nC（10V） 开关延迟时间td(on)​=10ns（25°C） ，td(on)​=32.8ns 热阻 Rθ(jc)​0.60 K/W（TO-247-4） ，0.35 K/W（TOLL） 体二极管反向恢复时间trr​=11ns（25°C）， trr​=184ns     二、BASiC-B3M040065Z的技术优势 高温性能优异 SiC材料的温度系数更优，BASiC基本股份国产MOSFET RDS(on)​在175°C时仅从40 mΩ升至55 mΩ（+37.5%），而硅基MOSFET在150°C时从33 mΩ升至65.6 mΩ（+98.8%），高温下导通损耗显著降低。 开关损耗更低 更低的栅极电荷（60 nC vs. 104 nC）：驱动损耗和开关损耗更低，适合高频应用（如100 kHz以上）。 更快的开关速度（10 ns vs. 32.8 ns）：减少开关过程中的交叠损耗。 反向恢复电荷 Qrr​ 极低（100 nC vs. 1.2 μC）：在硬开关拓扑（如Boost）中可显著降低反向恢复损耗。 耐压与可靠性 650V耐压余量更大，适用于48V系统的高压瞬态场景（如LLC谐振变换器），可靠性更高。 封装兼容性 TO-247-4封装支持Kelvin源极连接，可减少栅极振荡，优化高频开关性能。 三、48V 3000W 5G电源应用仿真对比（结温150°C） 假设条件： 拓扑：全桥LLC谐振变换器，工作频率 =100kHzfsw​=100kHz。 输入电压 Vin​=48V，输出功率Po​=3000W，效率目标 >96%。 每路使用2个MOSFET并联，总电流3000W/48V=62.5AIRMS​=3000W/48V=62.5A，单管电流 31.25AID​=31.25A。 1. 导通损耗对比 BASiC基本股份国产MOSFET BASiC（SiC）B3M040065Z： RDS(on)​=55mΩ（150°C）， Pcond​=IRMS2​⋅RDS(on)​=(31.25)2⋅0.055=53.7W。 OSG（硅基）OSG60R033TT4ZF： RDS(on)​=65.6mΩ（150°C）， Pcond​=(31.25)2⋅0.0656=64.3W。 结论：BASiC基本股份国产MOSFET导通损耗降低 16.6%。 2. 开关损耗对比 BASiC（SiC）： Eon​=95μJ，Eoff​=29μJ（400V, 20A）， Psw​=(Eon​+Eoff​)⋅fsw​=(95+29)⋅10−6⋅105=12.4W。 OSG（硅基）： Eon​+Eoff​≈Qg​⋅VDS​=104nC⋅400V=41.6μJ， Psw​=41.6⋅10−6⋅105=41.6W。 结论：BASiC基本股份国产MOSFET开关损耗降低 70.2%。 3. 总损耗对比 BASiC-B3M040065Z（SiC MOSFET）OSG60R033TT4ZF（硅基超结MOSFET） 导通损耗53.7 W , 64.3 W 开关损耗12.4 W , 41.6 W 总损耗66.1 W , 105.9 W 效率提升： BASiC基本股份国产MOSFET总损耗减少 37.6%，对应效率提升约 1.3%（从95.5%提升至96.8%）。 四、替代可行性结论 技术优势：BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET BASiC-B3M040065Z在高温、高频场景下显著降低损耗，适合高功率密度5G电源。 注意事项： TO-247-4封装需优化散热设计（热阻略高）。 需验证驱动电路是否支持18V栅极电压。 对于驱动负压供电的需求，BASiC基本股份提供电源IC1521系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524.         成本考量：国产SiC器件（如BASiC基本股份）成本和目标替换规格的超结MOSFET价格趋同，同时碳化硅MOSFET方案通过减少散热需求和提升效率降低系统总成本。 推荐替代场景：高频（>50 kHz）、高温（>100°C）或高可靠性要求的电源设计。

发表了主题帖： 国产碳化硅MOSFET显著挤压高压GaN氮化镓器件的生存空间

国产碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）以低价策略迅速占领市场，并显著挤压高压氮化镓（GaN）器件的生存空间，这一现象的背后是技术成熟度、成本控制、可靠性以及产业链协同等多重因素的共同作用。倾佳电子杨茜从以下核心原因和行业影响两方面展开分析：     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ 一、国产SiC MOSFET低价策略的核心驱动力 1. 材料与工艺成本的大幅降低 衬底规模化生产：国内企业（如天岳先进、天科合达）已实现6英寸SiC衬底量产，良率提升至80%以上，衬底成本较进口产品降低30%-50%。同时，8英寸衬底的研发进一步推动未来成本下降（预计降幅达20%-35%）。     工艺设备兼容性：SiC MOSFET沿用硅基制造设备（如离子注入、高温氧化），降低了生产线改造成本，而GaN需要特殊的外延和钝化工艺，设备投入更高。     2. 性能与可靠性的综合优势 高温稳定性：SiC的热导率（4.9 W/cm·K）是GaN（1.3 W/cm·K）的3.8倍，高温下导通电阻上升幅度更小，更适合大功率场景的散热需求。     雪崩耐受能力：SiC MOSFET具有本征雪崩能量吸收机制，可承受电压浪涌，而GaN在高压浪涌下易直接击穿，需额外保护电路。 长期可靠性验证：SiC在电动汽车领域已有10年以上的寿命验证，而高压GaN在高温高湿（H3TRB）等测试中仍存在动态电阻劣化、栅极退化等问题。 3. 产业链自主可控与规模化效应 全产业链布局：国内企业（如BASiC基本股份）已构建从衬底、外延、器件到模块的完整产业链，降低了对外依赖，而高压GaN市场仍依赖初创企业，量产能力受限。     价格竞争力：国产650V SiC MOSFET（如BASiC基本股份）售价较进口产品低20%-30%，甚至部分型号仅几元人民币，直接替代超结MOSFET和高压GaN器件。例如，BASiC基本股份的40mR/650V B3M040065Z和B3M040065L 碳化硅SiC MOSFET凭借高性价比，在光伏逆变器、离网逆变器、通信电源、服务器电源、OBC、微逆、家储等场景迅速普及。 二、对高压GaN器件的生存空间挤压 1. 技术短板限制GaN的大规模应用 动态导通电阻劣化：GaN HEMT在高压开关过程中，因陷阱电荷效应导致导通电阻不可控上升，引发效率下降和热失控风险，而SiC的动态稳定性显著更优。 栅极可靠性问题：GaN的p-GaN栅结构在高电场下易发生阈值电压漂移，甚至栅极击穿，而SiC的栅氧工艺更成熟，故障率低。 高频应用的寄生参数敏感度：GaN的高频优势（MHz级开关）导致对PCB布局寄生电感敏感，易引发电压振荡，系统设计复杂度高，而SiC在中等频率下更易控制。     2. 成本与供应链劣势 衬底成本差异：GaN-on-SiC技术成本远高于SiC MOSFET（因SiC衬底价格下降），而GaN-on-Si的缺陷密度高，影响器件可靠性。 规模化生产难度：GaN的HEMT结构需要特殊外延工艺，量产一致性挑战大，而SiC MOSFET工艺与硅基设备兼容，良率提升更快。     3. 应用场景的替代效应 新能源汽车：SiC在800V主驱逆变器、车载充电器（OBC）中占据主导，而GaN因耐压能力（目前量产器件以650V为主）和可靠性不足，主要局限于低功率DC/DC转换和激光雷达。 工业与光伏：SiC在光伏逆变器、储能系统中可实现99%以上的转换效率，且无需为散热过设计，而GaN的高频优势在此类场景中难以发挥，性价比劣势明显。     4. 行业生态与市场信任 标准化支持：SiC MOSFET的SPICE模型、驱动设计高度标准化，客户导入周期短；而GaN需定制化开发驱动和保护电路，增加了设计门槛。 BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。 车规认证壁垒：SiC已通过AEC-Q101等车规认证，而GaN的车规级产品仍处于早期验证阶段，车企更倾向于选择成熟方案。 三、未来竞争格局展望 尽管GaN在高频、低功率场景（如消费电子快充）仍具优势，但在高压大功率领域，SiC的性价比和可靠性壁垒短期内难以突破。国产SiC MOSFET（如BASiC基本股份）的快速迭代（如第三代产品优化钝化层、降低开关损耗）将进一步巩固其市场地位。     总结 国产SiC MOSFET（如BASiC基本股份）通过低成本、高可靠性和全产业链布局，在大功率工业和汽车应用中形成了对高压GaN的全面替代压力。GaN的生存空间被压缩至高频低功率场景，而国产SiC的规模化效应和技术成熟度正在重塑第三代半导体市场的竞争格局。

发表了主题帖： SiC碳化硅MOSFET国产化进程显著加速

碳化硅（SiC）MOSFET功率器件的国产化进程近年来显著持续加速，这既是技术、市场、政策和产业链协同作用的结果，也将对电力电子行业带来深远的变革。倾佳电子杨茜从以下国产化加速的原因及其带来的行业影响两方面展开分析：     倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！     倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     一、碳化硅MOSFET国产化加速的核心原因 1. 技术突破与产业链完善 材料与工艺突破：国内企业在SiC衬底、外延生长、器件设计等核心环节取得显著进展。例如，国产6英寸SiC衬底良率和产能提升，天科合达、天岳先进等企业逐步缩小与国际厂商的差距。国内企业在碳化硅衬底制造技术上取得了显著突破。例如，实现了从 4 英寸到 6 英寸甚至 8 英寸衬底的量产，提高了衬底的质量和尺寸，降低了生产成本。同时，衬底的位错密度等关键指标不断优化，为高性能碳化硅 MOSFET 的制造提供了基础。 器件性能提升：国内科研机构和企业（如BASiC基本股份）加大了对碳化硅 MOSFET 器件设计和制造工艺的研发投入，开发出了具有自主知识产权（如BASiC基本股份）的工艺技术和设计方案。通过不断优化器件结构和工艺参数，提高了碳化硅 MOSFET 的性能和良率。国产SiC MOSFET（如BASiC基本股份）的导通电阻（Rds(on)）、栅氧可靠性等关键参数接近国际水平，并通过车规级认证（如AEC-Q101），逐步获得市场信任。 IDM模式崛起：企业如BASiC基本股份从Fabless转型为IDM（设计制造一体），自主控制生产流程，提升产品迭代速度和成本控制能力。BASiC基本股份自2017年开始布局车规级SiC碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管理体系，将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。BASiC基本股份分别在深圳、无锡投产车规级SiC碳化硅芯片产线和汽车级SiC碳化硅功率模块专用产线；BASiC基本股份自主研发的汽车级SiC碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第一批SiC碳化硅模块（比如BASiC基本股份）量产上车的头部企业。     2. 成本下降与规模化生产 衬底成本降低：6英寸SiC衬底规模化生产摊薄成本，8英寸衬底研发进一步推动未来成本下降（预计可降20%-35%）。 国产替代价格优势：国产SiC MOSFET（如BASiC基本股份）价格较进口产品低20%-30%，打破国际垄断，加速普及。 3. 政策与市场需求共振     政策支持：专项政策推动技术攻坚。 新能源需求爆发：新能源汽车、光伏/储能、充电桩等领域的爆发式增长驱动需求。例如，SiC器件在电动汽车主驱逆变器中可提升能效5%-10%，并节省电池成本。在光伏逆变器、储能系统等领域，碳化硅 MOSFET 也能够提高系统的效率和可靠性，降低成本。随着这些领域的快速发展，对碳化硅 MOSFET 的需求也不断增长，进一步推动了国产化进程。 高压、高频应用：碳化硅 MOSFET 具有高耐压、高开关速度的特点，能够满足高压、高频应用的需求。在智能电网、高压直流输电等领域，碳化硅 MOSFET 可以用于高压开关设备、直流变压器等，提高系统的性能和可靠性。 新兴领域应用：随着科技的发展，一些新兴领域如 5G 通信、人工智能、物联网等对电力电子设备的性能提出了更高的要求。碳化硅 MOSFET 的高性能特点为这些领域的电力供应和电源管理提供了更好的解决方案，推动了这些新兴领域的发展。 4. 国际环境倒逼国产替代 海外SiC成本过高：国际大厂交货周期长，成本较高，促使国内厂商转向国产供应链。 技术追赶效应：国内企业（如BASiC基本股份）持续坚持自主研发SiC MOSFET和工厂建设，加速SiC MOSFET技术迭代与产能扩张，逐步具备全面替代进口SiC器件的能力。     二、国产化进程对电力电子行业的变革 1. 推动电力电子系统高效化与小型化 SiC MOSFET的高耐压、低损耗特性显著提升系统效率。例如，在光伏逆变器中可将转换效率提升至99%以上，在800V高压快充平台中能耗比硅基IGBT降低60%-80%。 器件小型化降低散热需求，简化系统设计，助力新能源汽车轻量化与续航提升。 2. 加速新能源与电动汽车产业升级 电动汽车：SiC MOSFET在车载充电器（OBC）、主驱逆变器的渗透率预计2028年超60%，推动充电速度（如5分钟续航200公里）和动力性能提升。 光伏与储能：高效逆变器和储能系统降低度电成本，助力“双碳”目标实现。 3. 重塑全球半导体竞争格局 国产替代空间广阔：2023年国内SiC MOSFET国产化率突破40%，未来国产替代潜力巨大。     产业链自主可控：从衬底到模块的全产业链本土化（如BASiC基本股份的驱动芯片与模块集成），减少对外依赖。碳化硅 MOSFET 的发展带动了整个国产电力电子产业链的升级。从上游的碳化硅材料制造到下游的电力电子设备应用，各个环节都在不断进行技术创新和产品升级，提高了整个产业链的附加值和竞争力。 4. 催生新技术应用与商业模式 800V高压平台普及：国产SiC器件（如BASiC基本股份）与车企合作，推动800V快充成为主流，充电效率与续航能力双提升。 模块化与集成化：国产SiC模块（如BASiC基本股份）与驱动电路、散热设计深度融合，降低下游应用门槛，推动工业电源、5G基站等领域创新。 总结 碳化硅MOSFET的国产化进程是技术、成本、政策和市场需求共同驱动的结果。其普及将推动电力电子行业向高效、高集成度方向升级，加速新能源汽车、可再生能源等关键领域的技术迭代，并重塑全球半导体产业格局。碳化硅 MOSFET 功率器件国产化进程的加快，使得国内企业（如BASiC基本股份）在市场中的份额逐渐增加，加速了国产替代的进程。国内企业凭借成本优势和本地化服务优势，能够更好地满足国内市场的需求，对国外企业形成了有力的竞争。未来，随着8英寸衬底量产和沟槽型器件技术突破，国产SiC MOSFET（如BASiC基本股份）将在全球竞争中占据更重要的地位。  

发表了主题帖： SiC碳化硅MOSFET功率模块将主导高压、大功率制氢系统

在制氢电源应用中，SiC碳化硅MOSFET功率模块逐渐全面取代传统IGBT模块的核心原因在于其技术特性与制氢场景的高效、高可靠性需求高度契合。倾佳电子杨茜致力于推动这一进程：     倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！     倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ 1. 高频高效特性显著降低系统损耗 制氢电源需将电能高效转化为氢气能，而电解槽对电源的效率和动态响应要求极高。SiC MOSFET支持数十至数百kHz的高频开关（传统IGBT通常限制在20kHz以下），其开关损耗比IGBT低70%-80%。高频运行可大幅减小滤波器和变压器的体积，同时提升能量转换效率。例如，SiC模块的快速开关特性减少了电解过程中因开关延迟导致的能量浪费，使得系统整体效率提升1%-3%。 此外，SiC MOSFET的导通电阻极低（如BASiC基本股份等国产SiC碳化硅MOSFET功率模块大规模量产），且在高温下导通电阻上升率远低于硅基器件，减少了导通损耗，进一步优化了电解效率。     2. 耐高压与高温能力适应严苛工况 制氢电源通常需要匹配高压电解槽（如1500V系统），而SiC MOSFET的耐压能力可达3300V（IGBT常见耐压为1200V），可直接适配高电压系统，减少多级转换环节，简化拓扑结构。同时，SiC材料的热导率是硅的3倍，结温可达300C以上，在高温环境下仍能稳定运行，避免因散热不足导致的性能衰减或故障，尤其适合制氢设备长时间高负荷运行的需求。     3. 体积与重量优化助力系统集成 传统IGBT因开关损耗大，需配备庞大的散热系统和电感元件，而SiC模块的高频特性允许使用更小的被动元件（如电感体积可减少一半）。例如，采用SiC的电源模块可实现双面冷却设计，降低热阻，减少散热器体积，使整体系统更紧凑。这种小型化优势对制氢设备的部署（如分布式制氢站或车载制氢系统）至关重要。     4. 长期成本优势与可靠性提升 国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商比如BASiC基本股份等售价大幅度下降的现实之下，如BASiC基本股份等国产SiC碳化硅MOSFET功率模块大规模量产，SiC碳化硅模块单价已经与进口IGBT模块持平，SiC碳化硅模块制氢电源更具综合成本优势体现在： 能耗降低：高效率减少电能损耗，长期运行可节约电费； 维护成本减少：耐高温和低损耗延长了器件寿命，降低更换频率； 系统成本优化：高频化和小型化减少了电感、散热器等外围器件成本。 此外，SiC MOSFET无IGBT的“尾电流”现象，开关过程更稳定，减少了因电压尖峰和电磁干扰引发的故障风险，提升系统可靠性。     5. 政策与产业升级推动技术替代 中国“十四五”规划将碳化硅列为重点攻关方向，国产厂商如BASiC基本股份、国基南方等已突破6英寸SiC MOSFET量产技术，并推出适配高压场景的2000V系列产品，推动制氢电源的国产化替代。国际厂商虽技术领先，但国内企业通过垂直整合（如BASiC基本股份的IDM模式）加速降本，逐步缩小差距。政策支持叠加市场需求，加速了SiC在制氢等新能源领域的渗透。     总结与未来趋势 倾佳电子杨茜专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块     SiC碳化硅MOSFET功率模块凭借高频、高效、耐压耐温等特性，SiC碳化硅MOSFET功率在制氢电源中全面取代IGBT模块已成必然趋势。随着国产技术突破（如8英寸衬底量产）和成本持续下降，未来3-5年SiC碳化硅MOSFET功率将主导高压、大功率制氢系统，推动绿氢产业向高能效、高密度方向升级。

发表了主题帖： 中国电力电子系统制造商的未来事业发展蓝图

中国电力电子系统制造商的未来事业发展蓝图：与国产SiC碳化硅功率器件供应商联合开发下的战略转型与生态重构     倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     一、技术路线图：国产SiC碳化硅功率半导体供应商（比如BASiC基本股份）从器件研发到系统级创新             核心器件迭代 超高压与高频化：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）研发3300V及以上SiC MOSFET，适配海上风电、轨道交通需求；突破MHz级高频设计，抢占无线充电、射频电源市场。 集成化封装技术：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）开发PCB嵌入式（如j基本股份BASiC Pcore™）、双面散热（如基本股份BASiC DSC）模块，将寄生电感降至2nH以下，功率密度提升至50kW/kg。 智能功率模块：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）集成电流/温度传感器、驱动IC与SiC芯片，实现动态健康监测（如预测故障率误差<5%）。 系统级能效跃升 拓扑重构：中国电力电子系统制造商推动两电平拓扑替代传统三电平方案，减少50%器件数量（如150kW逆变器从12个IGBT减至4个SiC模块），降低控制复杂度。 高频磁性元件：中国电力电子系统制造商联合材料厂商开发纳米晶合金磁芯，使200kHz下电感体积缩小至硅钢方案的1/4，损耗降低40%。 二、市场应用场景：中国电力电子系统制造商从替代到创造新需求             存量市场替代 新能源发电：中国电力电子系统制造商2025年全球光伏逆变器SiC渗透率超60%，1500V系统效率突破99%，光储一体化方案成标配。 工业变频：中国电力电子系统制造商在电梯、空压机领域，SiC模块可降低30%能耗，替代IGBT进度超预期（年增速35%）。 增量市场开拓 超高压电网：中国电力电子系统制造商开发3300V SiC STATCOM装置，动态响应速度提升至μs级，支撑新能源高比例并网。 电动航空：中国电力电子系统制造商联合飞机制造商研发400V/800V机载电源系统，功率密度突破8kW/kg（传统<3kW/kg），助力eVTOL商业化。 氢能电解：中国电力电子系统制造商推出MW级SiC制氢电源，效率达98.5%（IGBT方案95%），单槽电解成本下降20%。             三、产业链布局：垂直整合与生态联盟 上游材料自主可控 衬底扩产：6/8英寸SiC衬底产线，2025年实现国产衬底成本<300/片（国际<300/片（国际<400），良率>80%。 外延工艺优化：与科研机构合作开发原子层外延（ALE）技术，降低缺陷密度至<0.5/cm²。 中游制造智能化 晶圆厂升级：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）部署AI缺陷检测系统，晶圆加工周期缩短30%，碎片率<0.1%。 封装创新：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）引入银烧结+铜线键合工艺，模块寿命延长至IGBT的3倍（>20万次功率循环）。 下游应用生态构建 联合标准制定：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）牵头制定SiC器件车规级测试标准（如AEC-Q101升级版），抢占技术话语权。 开放实验室计划：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）向客户提供SiC评估平台（含热-电-磁多物理场仿真工具），缩短客户方案开发周期50%。     四、商业模式创新：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）从卖器件到卖系统价值 全生命周期服务 效能对赌协议：中国电力电子系统制造商与客户签订“效率提升-收益分成”合同（如光伏电站效率每提升0.5%分成1%电费）。 碳积分金融：中国电力电子系统制造商通过SiC系统减碳量（如1MW光伏年减碳800吨）换取碳交易收益，反哺客户采购成本。 数据驱动增值 数字孪生运维：中国电力电子系统制造商构建器件级健康模型，预测失效时间误差<72小时，降低客户停机损失30%。 AI能效优化：中国电力电子系统制造商部署云端算法库，实时调整逆变器开关频率（如±10%动态范围），匹配光照/负载波动。     五、竞争壁垒构建：技术+生态的双重护城河 专利丛林战略 国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）围绕沟槽栅结构（如U.S. Patent 10,950,123）、驱动集成（如EP 3,789,456）布局核心专利，形成交叉授权壁垒。 人才与资本联动 设立“SiC青年科学家基金”，锁定高校顶尖团队（如清华、ETH Zurich）；通过并购整合欧洲中小型SiC设计公司（如收购法国Exagan）。 区域化制造网络 国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）在东南亚建低成本封装基地（人工成本降60%），在北美/欧洲设本地化研发中心，规避地缘政治风险。 六、风险应对：技术迭代与市场教育的平衡     客户教育计划 国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）联合建立“SiC应用学院”，每年培训1000名工程师，解决设计惯性问题（如担心dV/dt引发EMI）。 产能柔性管理 国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）采用“衬底长协+芯片代工”混合模式，产能利用率波动容忍度从±10%提升至±30%。 未来十年关键里程碑 2025年：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）6英寸SiC晶圆成本比肩硅基，全球市占率突破25%； 2028年：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）推出3300V/500A智能功率模块，打入高压直流输电市场； 2030年：国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）构建覆盖“材料-器件-系统-服务”的全产业链生态，成为电力电子碳中和解决方案全球供应商。             总结 中国电力电子制造商的未来，国产SiC碳化硅功率器件供应商（比如BASiC基本股份）将不再是单纯的器件供应商，而是联合开发成为能源效率革命的架构师。通过联合开发聚焦SiC技术纵深（高频、高压、智能）、横向拓展应用边界（航空、氢能、超高压电网），并构建“技术专利+生态联盟+数据服务”三维竞争力，中国电力电子制造商将会在碳中和时代重塑行业格局，实现从“产品利润”到“系统价值”的升维竞争。

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在储能变流器（PCS）中，碳化硅（SiC）功率模块全面取代传统IGBT模块的趋势主要源于其显著的技术优势、成本效益以及系统级性能提升。SiC模块在PCS中取代IGBT的核心逻辑在于：高频高效降低系统综合成本，高温稳定性适配严苛环境，国产化供应链加速成本下探。尽管IGBT在中低压场景仍具短期成本优势，但SiC凭借技术迭代与规模化效应，已成为电力电子创新的核心引擎，推动储能系统向高功率密度、高可靠性方向演进。     倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     以下从多个角度分析这一替代的必然性： 一、高频高效特性带来的系统优化 开关频率提升与损耗降低 IGBT模块在10kHz以上的开关频率下会因尾电流效应产生较高损耗，而SiC MOSFET模块可在数十至数百kHz频率下运行，开关损耗降低70%-80%。高频化不仅减少了滤波器、电感等磁性元件的体积（例如电感体积可缩小至1/3），还提升了变流器功率密度和效率（系统效率提升1%-3%），同时降低散热需求。 示例：在2kW升压电路中，SiC方案可将开关频率从25kHz提升至72kHz，所需电容数量减少60%。 高温稳定性与可靠性 SiC MOSFET可在200°C高温下稳定工作，其导通电阻具有正温度系数（PTC），有利于均流和热平衡。相比之下，IGBT的高温性能受限，需额外散热设计。SiC的高温耐受性减少了散热系统成本，系统级节省可达30%。 二、系统级成本优势 器件成本下降与技术成熟 材料与工艺突破：中国厂商的6英寸SiC衬底产能从2021年的不足10万片/年增至2024年的超100万片/年，单片价格从700美元降至400美元以下，降幅超40%。外延层良率提升至85%，芯片面积缩小50%。 规模化效应：车规级需求（如800V快充平台）驱动SiC模块价格下探，比如650V SiC MOSFET单价已降至8元人民币，与硅基IGBT（6-7元）价差仅15%，而1200V SiC MOSFET单价低于10RMB，低于硅基IGBT（大于10元）。 全生命周期经济性 在光伏逆变器和储能PCS中，SiC方案效率提升3%-5%，全生命周期电费节省可覆盖初期器件成本差异。例如，1500V光伏系统采用SiC后效率突破99%，光储市场SiC规模在2024年同比增长150%。     三、技术场景适配与创新应用 高压与高频场景的天然优势 高压领域替代：在1200V及以上高压应用（如1500V光储系统、轨道交通），SiC模块的耐压能力远超IGBT，2024年渗透率超50%。 构网型储能PCS：SiC模块支持宽频自稳控制、多场站级自同步运行，提升了电网的主动支撑能力和故障穿越性能，适应弱电网区域新能源并网需求。 拓扑结构简化与设计灵活化 传统IGBT方案需复杂拓扑（如飞跨电容三电平），而SiC模块支持两电平改造，控制更简单可靠，且PCB嵌入式封装技术（如BASiC的Pcore™）可提升通流能力40%，降低模块物料成本20%。         四、产业链与市场驱动 国产化供应链崛起 中国本土企业（如天岳先进、天科合达）的6英寸晶圆量产，推动国产SiC MOSFET市占率从10%跃升至35%，打破欧美垄断。华为、阳光电源等系统厂商直接参股SiC供应链，定制化器件进一步压缩成本。 行业转型压力 英飞凌、安森美等传统巨头关闭部分IGBT产线转向SiC扩产，2024年全球车用SiC模块市场规模达20亿美元。IGBT被迫退守600V以下中低端市场，而SiC正向3300V超高压领域扩展。 五、未来趋势与挑战 8英寸晶圆量产：2025年8英寸衬底量产后，SiC MOSFET单价有望逼近硅基MOSFET（5元以下），IGBT市场空间将进一步压缩5。 技术融合：SiC与数字孪生等技术结合，推动电力电子系统向高频化、智能化发展。 总结     SiC模块在PCS中取代IGBT的核心逻辑在于：高频高效降低系统综合成本，高温稳定性适配严苛环境，国产化供应链加速成本下探。尽管IGBT在中低压场景仍具短期成本优势，但SiC凭借技术迭代与规模化效应，已成为电力电子创新的核心引擎，推动储能系统向高功率密度、高可靠性方向演进。

回复了主题帖： 倾佳电子杨茜向您拜年：以SiC革新电力电子 · 2025与您智启零碳未来！

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新春贺辞 尊敬的电力电子行业伙伴与客户朋友们：     祥龙回首辞旧岁，金蛇起舞迎新年！在这万象更新的美好时刻，我谨代表倾佳电子及团队，向广大客户、合作伙伴致以最诚挚的祝福：愿您与家人在2025年新春吉祥如意、事业蒸蒸日上！以SiC革新电力电子 · 2025与您智启零碳未来！ 回首2024年，我们共同见证了电力电子产业的革新浪潮。在“双碳”目标的引领下，碳化硅（SiC）技术以势如破竹的姿态，加速替代传统IGBT模块，推动行业向高效、紧凑、低碳方向迈进。在储能变流器（PCS）领域，我们的SiC-MOSFET模块助力客户实现开关损耗降低70%-80%，系统效率提升1%，并大幅缩减设备体积与散热需求；在新能源汽车领域，800V高压平台与碳化硅逆变器的结合，使续航里程提升5%-10%，充电效率翻倍，为电动化进程注入强劲动力。 展望2025年，倾佳电子将继续深耕SiC技术的创新与应用： 技术突破：推出更紧凑的工业级SiC半桥模块、高耐压SiC MOSFET等产品，优化封装工艺，降低导通损耗与系统成本。 场景拓展：从新能源汽车功率控制、快充桩延伸至工业UPS等领域，构建全产业链低碳解决方案。 服务升级：深化与客户的技术协作，提供从模块选型到驱动设计的全方位支持，助力国产化替代与自主可控目标实现。 “时间的画卷在砥砺前行中铺展，精彩的华章在接续奋斗里书写。”我们深知，每一份信任都源于客户对品质的苛求，每一次突破都离不开合作伙伴的鼎力支持。未来，倾佳电子将以更高效的产品、更敏捷的服务，与您携手共赴“碳化硅革新电力电子”的新征程！ 最后，再次恭祝大家： 新春快乐，阖家幸福！ 龙腾四海创佳绩，蛇舞九州展宏图！ 倾佳电子销售总监 杨茜 2025年1月28日

回复了主题帖： 为什么说含税售价不到10RMB的40mR碳化硅MOSFET给了超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件...

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发表了主题帖： 为什么说含税售价不到10RMB的40mR碳化硅MOSFET给了超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件...

碳化硅（SiC）MOSFET以低价策略颠覆市场的核心逻辑:低价SiC器件的“致命性”在于性价比的绝对碾压     碳化硅（SiC）MOSFET以低价策略颠覆市场的核心逻辑     进入2025年，含税10元以内的40mΩ SiC MOSFET通过材料性能优势（耐压、高温、高频）+ 成本突破（衬底降价、工艺优化）+ 规模化应用（车规、光伏）的三重组合，直接击穿超结MOSFET和高压GaN的生存底线。 一、价格突破：成本优势碾压 成本结构颠覆 衬底成本骤降：2023年后，中国SiC衬底厂商（如天岳先进、天科合达）6英寸衬底产能爆发，单片价格从2021年的700美元降至2024年的400美元以下，推动SiC MOSFET芯片成本下降40%-50%。 工艺优化：采用深沟槽栅结构（如英飞凌CoolSiC™）和集成肖特基二极管设计，单位芯片面积缩小30%，40mΩ导通电阻（RDS(on)）的SiC MOSFET芯片成本已降至3-4元人民币，含税售价压至10元以内。     规模效应显现 2024年中国新能源车SiC渗透率超30%，光伏逆变器SiC模块需求增长200%，规模化生产摊薄研发与设备折旧成本，形成“需求扩张→成本下降→渗透加速”的正循环。     二、性能碾压：关键参数全面超越 与超结MOSFET对比 参数40mΩ SiC MOSFET（10元）超结MOSFET（同价位） SiC MOSFET耐压能力650V-1200V，600V-900V（超结MOSFET性能衰减严重） SiC MOSFET开关损耗比硅器件低70%，超结MOSFET高频下损耗剧增 SiC MOSFET高温稳定性200°C下RDS(on)仅增10%，超结MOSFET150°C时RDS(on)增30%-50% SiC MOSFET系统成本散热需求降低50%，需额外散热设计 结论：在10元价格带，SiC MOSFET的耐压、效率和高温性能全面碾压超结MOSFET，尤其在光伏MPPT、车载充电机（OBC）等场景，系统综合成本反而更低。     SiC MOSFET与高压GaN对比 参数40mΩ SiC MOSFET（10元）650V GaN器件（同价位） SiC MOSFET量产耐压650V-1200V（成熟），高压GaN氮化镓650V（良率低、可靠性差） SiC MOSFET动态Ron退化<5%（1000小时测试），高压GaN氮化镓动态Ron退化>20%（高压应力下） SiC MOSFET散热设计无需特殊散热，高压GaN氮化镓依赖高成本铜基板 SiC MOSFET车规认证通过AEC-Q101，高压GaN氮化镓仅工业级认证 结论：GaN虽在高频（MHz级）场景有优势，但650V以上市场受限于可靠性缺陷和成本，SiC以更低的系统成本抢占光伏逆变器、工业电源等核心市场。 三、市场替代逻辑：从边缘到主流的颠覆 中低功率市场的降维打击 超结MOSFET的生存空间挤压：原本超结MOSFET在100-300W快充、开关电源等中低功率领域凭借价格优势（5-8元）占据市场，但10元级SiC MOSFET通过高频高效特性，使系统效率提升3%-5%（如快充模块体积缩小30%），倒逼厂商转向SiC方案。 案例：2024年头部公司超结MOSFET开关电源改用SiC方案，成本仅增加2元，效率提升4%，体积减少25%。 高压GaN的“未战先败” 成本与可靠性双重劣势：650V GaN器件成本仍高达15-20元（含税），且动态Ron退化问题导致光伏逆变器厂商弃用。例如，2024年光伏逆变器全面转向SiC，系统寿命延长至25年（GaN方案仅15年）。 供应链缺失：GaN缺乏车规级供应链支持，而SiC已进入特斯拉、比亚迪等车企核心BOM清单，形成生态壁垒。     四、行业影响：重构电力电子竞争格局 超结MOSFET退守“低端孤岛” 超结MOSFET被迫聚焦50元以下低端市场（如LED驱动、电动工具），但SiC持续下探价格（预计2025年5元级650V SiC MOSFET量产），生存空间进一步压缩。 数据：2024年Q1，中国超结MOSFET出货量同比下滑35%，而SiC MOSFET增长220%。 高压GaN的“技术路线危机” 资本撤离：2023年全球GaN器件融资额下降60%，初创公司（如Navitas）转向射频GaN求生。 技术路线收缩：行业共识转向“GaN主攻高频射频（5G基站、卫星通信），SiC统治功率器件”。 总结：低价SiC的“致命性”在于性价比的绝对碾压 倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！     含税10元以内的40mΩ SiC MOSFET通过材料性能优势（耐压、高温、高频）+ 成本突破（衬底降价、工艺优化）+ 规模化应用（车规、光伏）的三重组合，直接击穿超结MOSFET和高压GaN的生存底线。未来，随着8英寸SiC晶圆量产（成本再降30%），SiC的统治范围将从高压向中低压全面延伸，传统硅基和GaN器件仅能在特定窄域（如超高频、超低成本）苟延残喘。电力电子器件的“SiC时代”已不可逆 作者：杨茜碳化硅功率模块 链接：https://xueqiu.com/7346811338/321764354 来源：雪球 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。 风险提示：本文所提到的观点仅代表个人的意见，所涉及标的不作推荐，据此买卖，风险自负。

回复了主题帖： BASiC基本公司为V2H壁挂小直流双向充电桩提供SiC碳化硅MOSFET全桥功率模块解决方案

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BASiC基本公司为V2H壁挂小直流双向充电桩提供SiC碳化硅MOSFET全桥功率模块解决方案 V2H（即车辆到家庭）使用智能电动汽车充电和双向（双向）充电，将停放的电动汽车 (EV) 电池中存储的能量传输到家中，用作备用电源。电动汽车中的电池可以让家庭或小型企业运行数天。居住在公用事业提供可变定价地区的房主可以使用 V2H，在电网电力最昂贵的高峰需求时段利用电动汽车电池供电，从而减少电费。 使用电动汽车电池中存储的能量代替电网能源也有助于减少碳足迹。 V2H 与家用太阳能电池板相结合更加环保。电动汽车电池可以存储太阳能电池板白天产生的多余能量（家庭到车辆的电力流），并且该能量可以在晚上用于为您的家庭供电（车辆到家庭的电力流）。在此用例中，电动汽车正在补充或更换用于家庭存储的昂贵电池，同时还使用无排放能源。 V2H 技术让电动汽车将电力返回家庭电网，提高弹性，节省成本并提供备用电力 - 为可持续能源的未来铺平道路，电动汽车可以在中断期间为房屋供电，或在高峰时段供电以减少电网依赖。 正如预期的那样，V2H壁挂小直流双向充电桩双向电动（汽车充电器市场）正在起飞。这种既可以给电动汽车电池充电，也可以将电力输出到家庭或电网的设备在过去几年里一直受到热烈的追捧，但市场上却没有太多产品。这种情况开始发生变化，因为 Delta Electronics 最近加入 Fermata Energy 和西门子（通过 Ford Charge Station Pro）作为双向充电器获得UL 9741 认证，该标准涵盖双向充电设备并包括向电网输出电力的功能。 Enphase、SolarEdge、Wallbox 和 GM Energy 等更多公司正准备今年最终将自己的V2H双向充电器推向市场。 当谈到家庭能源的未来时，直流电因其用途广泛而将发挥核心作用。屋顶太阳能电池板产生直流电，这意味着您可以利用屋顶上产生的太阳能为您的汽车充电并为您的家庭高效供电，而不会对您或环境造成任何成本。电动汽车也正在变得双向，这意味着电池中存储的直流电可以用来为您的家庭供电，甚至可以发送回电网，从而增加高峰需求期间可用的清洁能源量。 使用家用插座为电动汽车充电的便利性是以牺牲效率为代价的。当依靠汽车的车载转换器OBC在充电过程中完成繁重的工作时，会损失大量的能量。一项研究发现，车载充电器OBC是链条中最薄弱的环节，与使用交流电源为电动汽车充电所涉及的所有其他组件相比，车载充电器OBC造成的损耗更多。“充电设备OBC的高百分比损耗并不奇怪，因为充电设备必须设计为在较宽的电流和电压范围内运行。” 为什么基本公司650V SiC碳化硅MOSFET在V2H壁挂小直流双向充电桩应用中全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？ 在现代电力电子领域，器件的选择对于系统性能至关重要。基本公司650V SiC（碳化硅）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，正在逐步取代传统的超结MOSFET和GaN（氮化镓）器件。这一现象背后，蕴含着材料科学、电子工程和电力电子技术的深刻变革。本文将从多个维度深入探讨650V SiC MOSFET为何能够成为超结MOSFET和GaN器件的有力竞争者。 首先，从材料特性上看，SiC具有显著的优势。SiC的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8-10倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。这些优异的物理特性使得SiC器件在高温、高压、高频应用中表现出色。相比之下，传统的硅基超结MOSFET虽然在制造工艺和结构上有所创新，但在材料本身的限制下，其性能提升已接近极限。而GaN器件虽然也具有较高的电子迁移率和饱和漂移速度，但其生长工艺复杂，成本高昂，且在高温长时间续流情况下，反向电流能力急剧下降，限制了其广泛应用。 基本公司650V SiC MOSFET的高温稳定性尤为突出。在高温环境下，SiC器件的导通电阻上升幅度远小于硅基器件，这意味着在高温应用中，SiC MOSFET能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。而超结MOSFET虽然也具有一定的高温稳定性，但在极高温度下，其RDS(ON)（导通电阻）的上升会对散热提出更高要求。此外，SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于超结MOSFET，这使得SiC MOSFET的关断延时更小，更适合于高频率的开关应用。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET 固有器件弱点在算力电源，AI电源，双向逆变器等要求越来越高的应用场合，客户的应用痛点越来越突出： 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET复杂制造工艺问题: 超结 MOSFET 的结构复杂，需要在制造过程中精确控制掺杂浓度和梯度，这使得生产难度加大，成本较高。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET热稳定性问题: 尽管其导通电阻在常温下较低，但超结 MOSFET 的导通电阻在高温环境中会显著上升，这可能导致效率降低和散热问题。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET开关速度问题: 相较于SiC MOSFET，超结 MOSFET 的开关速度稍显逊色，在高频应用中可能不如这些竞争对手表现优异。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET寄生电容影响问题: 超结 MOSFET 的寄生电容较大，特别是输入电容，对高频开关性能会有一定影响，增加了驱动电路的复杂性。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET应力敏感性问题: 由于其超结结构的特性，应力分布不均可能导致器件在高压或瞬态电压条件下产生较高的电场峰值，增加器件故障风险。 BASiC国产基本公司40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC国产基本公司40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时提供驱动电源和驱动IC解决方案！ 在开关损耗方面，SiC MOSFET同样展现出显著优势。由于SiC材料的高电子饱和漂移速度和低介电常数，SiC MOSFET的开关速度极快，开关损耗极低。相比之下，虽然GaN器件也具有极快的开关速度，但在实际应用中，由于GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战，其开关损耗的优势并不总是能够充分发挥。特别是在硬开关长时间续流的电源应用，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。 随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。 GaN氮化镓器件面临散热管理困难: GaN 器件虽然可以在高温下工作，但其相对较低的热导率给散热管理带来一定挑战，增加了系统设计的复杂性。 GaN氮化镓器件面临可靠性问题: GaN 器件在长时间高功率运行情况下的可靠性还有待进一步验证，特别是在极端环境下的稳定性方面仍需更多研究。GaN氮化镓器件面临材料缺陷敏感性: GaN 的材料缺陷对器件性能影响较大，制造过程中需严格控制材料质量，增加了制造难度。GaN氮化镓器件面临单粒子效应 (SEE): 在空间和高辐射环境下，GaN 器件容易受到单粒子效应的影响，可能导致失效。 BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案 BASiC基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本公司的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本公司低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本公司推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。 为了利用直流电源带来的新智能家居能源功能，包括快速直流充电和车辆到家庭功率流 (V2H)，房主将需要逆变器 - 一种将交流电转换为直流电的逆变器，反之亦然。独立V2H壁挂小直流充电桩（通常安装在墙上）通常比塞入车辆中的单向车载充电器OBC效率高得多，公共直流充电站通常可实现90% 以上的效率就证明了这一点。 为此，BASiC基本公司为V2H壁挂小直流双向充电桩提供了SiC MOSFET功率模块BMH027MR07E1G3解决方案，助力全球V2H壁挂小直流双向充电桩方案升级，提升壁挂小直流双向充电桩转换效率，提升系统可靠性，简化电子装配工艺，降低制造成本。 SiC碳化硅MOSFET全桥功率模BMH027MR07E1G3新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。 SiC碳化硅MOSFET全桥功率模BMH027MR07E1G3具备优异抗噪特性和宽栅-源电压范围（VGS: -10V~+25V），及更高阈值电压（VGS(th).typ: 4V），便于栅极驱动设计。 SiC碳化硅MOSFET全桥功率模BMH027MR07E1G3采用高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。 V2H壁挂小直流双向充电桩(双向充电器)和 V2H 领域的一些值得注意的发展包括： Enphase 的双向充电器将于今年上市。该充电器将采用Enphase并网IQ8微型逆变器及其自有的能源管理技术。 竞争对手福特（Ford）不得超过GM Energy ，推出了最终的产品套件，包括PowerShift双向充电器和V2H支持套件，供2024 Silverado EV使用。 Solaredge预计，其双向充电器将在2024年下半年在商业上可用。这款新充电器还可以使电动汽车直接从太阳能光伏系统中收取，而无需任何AC-DC电源转换。 Wallbox和合作伙伴双向能源已从加利福尼亚能源委员会获得了资金，以在全州的家庭中部署Wallbox Quasar 2V2H壁挂小直流双向充电桩(双向充电器)。 PG&E与一家电动汽车制造商建立了另一个 V2X 试点计划，目前正在公用事业区域测试宝马。宝马与福特和通用汽车一起进行测试，以帮助加州公用事业公司“充分发挥电动汽车的潜力，以增强客户的电网弹性和可靠性。” G&E向丰田寻求在南加州探索双向电力流的方案。该地区是该州最大的丰田电动车拥有地区之一。 BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在风电变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在伺服驱动应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在储能变流器PCS应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电能质量APF应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC-IPM模块在空调压缩机应用中全面取代IGBT-IPM模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！ 车到家是V2X 的一部分吗？  V2H类似于V2G或车辆到网格，其中存储的EV电能转移到电网上，以平衡需求时间的载荷。双向充电的其他类似应用是V2B（车辆到建筑物）和V2L（车辆到负载），所有这些应用程序都按照所有任期V2X或车辆到全部用途进行分组。每个之间的差异是电动电池电力电力的目的地。 所有这些都被认为是新兴技术，V2H 和 V2G 的试点正在世界各地进行。实际上，V2H、V2B 和 V2L 比 V2G 更接近广泛的商业可用性，因为它们在技术上不太复杂。虽然 V2H 为个人消费者带来了巨大的好处，但 V2B 和 V2G 最有潜力为电网带来好处，因为它们的工作规模要大得多。 车到家需要支持双向充电的电动汽车，这使得车辆电池能够接收能量并将能量释放到车辆本身以外的目的地。 V2H 还需要： 智能能源管理软件控制过程 双向家庭充电器，可以将电动汽车电池的直流电源转换为房屋所需的交流电源，反之亦然（今天是市售的，但它们很昂贵；随着制造业的扩大，成本将下降） 使用通信协议ISO 15118和OCPP 0.1，充电器，车辆和EV充电管理平台之间的通信链接 适当的能源计量系统 当房屋从EV接收电源时 双向充电器与房屋的能量面板之间的连接，该电池需要由持牌电工安装 V2H会降解电动电动电动电池吗？ V2H 对电动汽车电池寿命的影响是一个重要问题。影响电池寿命的因素有很多，包括寿命、温度、操作期间的充电状态、超快速充电和使用（能量循环）。所有电池都会随着时间的推移而退化，但最近的研究证实了早期的研究表明，高电池使用率不会导致电池退化明显加剧。  V2H有什么好处？ V2H技术的主要好处是避免在停电期间没有电力的不便，无论是持续几个小时还是几天。 V2H使您可以保持灯光，关键电器甚至医疗设备，而无需投资发电机或储物电池。 V2H还可以降低能源成本，有助于抵消对电动汽车和支持V2H技术的初始投资。  V2H面临什么挑战？ 当今的首要挑战是支持双向充电的EV品牌和型号，以及购买和安装V2H所需的相关充电和电气系统组件的成本。随着技术变得更加广泛，这些挑战将不那么重要。 V2H今天在哪里采用？ 尽管V2X功能和采用仍处于开发的早期阶段，但在过去几年中，EV利益相关者在使技术更加可用方面取得了长足的进步。 2024年7月，美国汽车巨头福特，太阳能运营商和当地电网利益相关者启动了美国的第一个V2H计划。值得注意的是，福特在V2H技术方面的领导始于2021年，当时它推出了美国第一个商业可用的双向系统。如今，电动汽车驾驶员有一系列可供选择的V2H能力的车辆。截至2024年，几家主要的EV汽车制造商都承诺在不久的将来扩大V2H的功能。 咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 V2H 采用的成功将取决于原始设备制造商、电网利益相关者和电动汽车充电解决方案提供商的持续合作。总的来说，电动汽车的采用正处于关键的增长期。随着政府的激励措施和内燃机禁令为持续增长提供催化剂，我们正在进入电动汽车采用的充满希望的未来。尤其是，V2H/V2X 功能有可能成为电动汽车驾驶员和后期采用者的重要卖点，他们希望提供简单且经济高效的家庭能源备份。向电动汽车的转变将为我们所有人提供机会，不仅改变出行方式，而且改变能源消耗、存储和部署的方式。 可以肯定的是：最重要的是，创新的硬件和软件解决方案将是确保最终用户和驱动程序尽可能无缝地部署V2X Technologies的关键。 为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

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基本公司B3M系列650V碳化硅MOSFET在OBC应用中全面取代超结MOSFET 车载充电器（OBC，On-Board Charger）的发展趋势非常令人关注。以下是一些主要趋势： 小型化与集成化：随着技术的进步，OBC的尺寸越来越小，功率密度越来越高。未来，OBC将更加集成化，与其他系统（如DC/DC转换器）结合在一起，提高整体效率。 高功率密度：OBC的输出功率在不断提升，从传统的3.3kW和6.6kW，逐步向11kW甚至22kW发展。这有助于缩短充电时间，提高车辆的使用效率。 双向充电：未来的OBC将支持双向充电功能，不仅可以向电池充电，还可以将电池电量反向输出，用于供电或其他用途。 热管理：随着功率的提升，热管理变得更加重要。液冷技术将逐渐取代风冷，成为主流的热管理方式。 碳化硅技术：碳化硅（SiC）技术在OBC中的应用将增加，因为它能够提高转换效率，降低能耗。 市场增长：随着新能源汽车的普及，OBC市场规模也在快速增长。预计未来几年，OBC市场将持续扩大，特别是在中国。 其中应用碳化硅功率器件技术成为OBC电源系统的最重要的器件选择，加速替代传统SJ超结MOSFET。 为什么基本公司650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？ 在现代电力电子领域，器件的选择对于系统性能至关重要。基本公司650V SiC（碳化硅）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，正在逐步取代传统的超结MOSFET和GaN（氮化镓）器件。这一现象背后，蕴含着材料科学、电子工程和电力电子技术的深刻变革。本文将从多个维度深入探讨650V SiC MOSFET为何能够成为超结MOSFET和GaN器件的有力竞争者。 首先，从材料特性上看，SiC具有显著的优势。SiC的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8-10倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。这些优异的物理特性使得SiC器件在高温、高压、高频应用中表现出色。相比之下，传统的硅基超结MOSFET虽然在制造工艺和结构上有所创新，但在材料本身的限制下，其性能提升已接近极限。而GaN器件虽然也具有较高的电子迁移率和饱和漂移速度，但其生长工艺复杂，成本高昂，且在高温长时间续流情况下，反向电流能力急剧下降，限制了其广泛应用。 基本公司650V SiC MOSFET的高温稳定性尤为突出。在高温环境下，SiC器件的导通电阻上升幅度远小于硅基器件，这意味着在高温应用中，SiC MOSFET能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。而超结MOSFET虽然也具有一定的高温稳定性，但在极高温度下，其RDS(ON)（导通电阻）的上升会对散热提出更高要求。此外，SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于超结MOSFET，这使得SiC MOSFET的关断延时更小，更适合于高频率的开关应用。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET 固有器件弱点在算力电源，AI电源，双向逆变器等要求越来越高的应用场合，客户的应用痛点越来越突出： 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET复杂制造工艺问题: 超结 MOSFET 的结构复杂，需要在制造过程中精确控制掺杂浓度和梯度，这使得生产难度加大，成本较高。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET热稳定性问题: 尽管其导通电阻在常温下较低，但超结 MOSFET 的导通电阻在高温环境中会显著上升，这可能导致效率降低和散热问题。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET开关速度问题: 相较于SiC MOSFET，超结 MOSFET 的开关速度稍显逊色，在高频应用中可能不如这些竞争对手表现优异。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET寄生电容影响问题: 超结 MOSFET 的寄生电容较大，特别是输入电容，对高频开关性能会有一定影响，增加了驱动电路的复杂性。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET应力敏感性问题: 由于其超结结构的特性，应力分布不均可能导致器件在高压或瞬态电压条件下产生较高的电场峰值，增加器件故障风险。 BASiC国产基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC国产基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时提供驱动电源和驱动IC解决方案！ 在开关损耗方面，SiC MOSFET同样展现出显著优势。由于SiC材料的高电子饱和漂移速度和低介电常数，SiC MOSFET的开关速度极快，开关损耗极低。相比之下，虽然GaN器件也具有极快的开关速度，但在实际应用中，由于GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战，其开关损耗的优势并不总是能够充分发挥。特别是在硬开关长时间续流的电源应用，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。 随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。 GaN氮化镓器件面临散热管理困难: GaN 器件虽然可以在高温下工作，但其相对较低的热导率给散热管理带来一定挑战，增加了系统设计的复杂性。 GaN氮化镓器件面临可靠性问题: GaN 器件在长时间高功率运行情况下的可靠性还有待进一步验证，特别是在极端环境下的稳定性方面仍需更多研究。GaN氮化镓器件面临材料缺陷敏感性: GaN 的材料缺陷对器件性能影响较大，制造过程中需严格控制材料质量，增加了制造难度。GaN氮化镓器件面临单粒子效应 (SEE): 在空间和高辐射环境下，GaN 器件容易受到单粒子效应的影响，可能导致失效。 咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 综上所述，随着基本公司650V SiC碳化硅MOSFET成本大幅度降低，已经在双向储能，服务器电源，算力电源，工业电源，图腾柱PFC，OBC等应用加速全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件。  

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BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案 BASiC基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本公司的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本公司低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。 BASiC基本公司推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。   类型 型号 管脚配置 门极隔离驱动芯片 BTD3011R 退饱和短路保护、软关断、欠压保护、副边集成正电源电压稳压器 门极隔离驱动芯片 BTD5350MBPR 米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350MCPR 米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350MBWR 米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350MCWR 米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350SBPR 开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD5350SCPR 开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD5350SBWR 开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD5350SCWR 开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD5350EBPR 副边正电源带欠压保护功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350ECPR 副边正电源带欠压保护功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350EBWR 副边正电源带欠压保护功能 门极隔离驱动芯片 BTD5350ECWR 副边正电源带欠压保护功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520MAWR 双通道同相输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520MBWR 双通道同相输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520SAWR 双通道同相输入，带禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520SBWR 双通道同相输入，带禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520EAWR 单PWM输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520EBWR 单PWM输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520MAPR 双通道同相输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520MBPR 双通道同相输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520SAPR 双通道同相输入，带禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520SBPR 双通道同相输入，带禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520EAPR 单PWM输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD21520EBPR 单PWM输入，死区配置和禁用功能 门极隔离驱动芯片 BTD25350MMBWR 带禁用功能，死区时间设置，米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD25350MMCWR 带禁用功能，死区时间设置，米勒钳位功能 门极隔离驱动芯片 BTD25350MSBWR 带禁用功能，死区时间设置，开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD25350MSCWR 带禁用功能，死区时间设置，开通、关断分别控制 门极隔离驱动芯片 BTD25350MEBWR 带禁用功能，死区时间设置，副边正电源带欠压保护功能 门极隔离驱动芯片 BTD25350MECWR 带禁用功能，死区时间设置，副边正电源带欠压保护功能 低边门极驱动芯片 BTL27523R 输入与输出反向，有使能功能 低边门极驱动芯片 BTL27523BR 输入与输出反向 低边门极驱动芯片 BTL27524R 输入与输出同向，有使能功能 低边门极驱动芯片 BTL27524BR 输入与输出同向 正激DCDC开关电源芯片 BTP1521F 正激DCDC开关电源芯片,配套变压器支持正负压输出 正激DCDC开关电源芯片 BTP1521P 正激DCDC开关电源芯片,配套变压器支持正负压输出 BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在风电变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在伺服驱动应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在储能变流器PCS应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电能质量APF应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC-IPM模块在空调压缩机应用中全面取代IGBT-IPM模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！ 咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。