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基本公司B3M系列650V碳化硅MOSFET在OBC应用中全面取代超结MOSFET 车载充电器（OBC，On-Board Charger）的发展趋势非常令人关注。以下是一些主要趋势： 小型化与集成化：随着技术的进步，OBC的尺寸越来越小，功率密度越来越高。未来，OBC将更加集成化，与其他系统（如DC/DC转换器）结合在一起，提高整体效率。 高功率密度：OBC的输出功率在不断提升，从传统的3.3kW和6.6kW，逐步向11kW甚至22kW发展。这有助于缩短充电时间，提高车辆的使用效率。 双向充电：未来的OBC将支持双向充电功能，不仅可以向电池充电，还可以将电池电量反向输出，用于供电或其他用途。 热管理：随着功率的提升，热管理变得更加重要。液冷技术将逐渐取代风冷，成为主流的热管理方式。 碳化硅技术：碳化硅（SiC）技术在OBC中的应用将增加，因为它能够提高转换效率，降低能耗。 市场增长：随着新能源汽车的普及，OBC市场规模也在快速增长。预计未来几年，OBC市场将持续扩大，特别是在中国。 其中应用碳化硅功率器件技术成为OBC电源系统的最重要的器件选择，加速替代传统SJ超结MOSFET。 为什么基本公司650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？ 在现代电力电子领域，器件的选择对于系统性能至关重要。基本公司650V SiC（碳化硅）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，正在逐步取代传统的超结MOSFET和GaN（氮化镓）器件。这一现象背后，蕴含着材料科学、电子工程和电力电子技术的深刻变革。本文将从多个维度深入探讨650V SiC MOSFET为何能够成为超结MOSFET和GaN器件的有力竞争者。 首先，从材料特性上看，SiC具有显著的优势。SiC的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8-10倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。这些优异的物理特性使得SiC器件在高温、高压、高频应用中表现出色。相比之下，传统的硅基超结MOSFET虽然在制造工艺和结构上有所创新，但在材料本身的限制下，其性能提升已接近极限。而GaN器件虽然也具有较高的电子迁移率和饱和漂移速度，但其生长工艺复杂，成本高昂，且在高温长时间续流情况下，反向电流能力急剧下降，限制了其广泛应用。 基本公司650V SiC MOSFET的高温稳定性尤为突出。在高温环境下，SiC器件的导通电阻上升幅度远小于硅基器件，这意味着在高温应用中，SiC MOSFET能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。而超结MOSFET虽然也具有一定的高温稳定性，但在极高温度下，其RDS(ON)（导通电阻）的上升会对散热提出更高要求。此外，SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于超结MOSFET，这使得SiC MOSFET的关断延时更小，更适合于高频率的开关应用。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET 固有器件弱点在算力电源，AI电源，双向逆变器等要求越来越高的应用场合，客户的应用痛点越来越突出： 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET复杂制造工艺问题: 超结 MOSFET 的结构复杂，需要在制造过程中精确控制掺杂浓度和梯度，这使得生产难度加大，成本较高。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET热稳定性问题: 尽管其导通电阻在常温下较低，但超结 MOSFET 的导通电阻在高温环境中会显著上升，这可能导致效率降低和散热问题。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET开关速度问题: 相较于SiC MOSFET，超结 MOSFET 的开关速度稍显逊色，在高频应用中可能不如这些竞争对手表现优异。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET寄生电容影响问题: 超结 MOSFET 的寄生电容较大，特别是输入电容，对高频开关性能会有一定影响，增加了驱动电路的复杂性。 超结 (Super Junction, SJ) MOSFET应力敏感性问题: 由于其超结结构的特性，应力分布不均可能导致器件在高压或瞬态电压条件下产生较高的电场峰值，增加器件故障风险。 BASiC国产基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC国产基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时提供驱动电源和驱动IC解决方案！ 在开关损耗方面，SiC MOSFET同样展现出显著优势。由于SiC材料的高电子饱和漂移速度和低介电常数，SiC MOSFET的开关速度极快，开关损耗极低。相比之下，虽然GaN器件也具有极快的开关速度，但在实际应用中，由于GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战，其开关损耗的优势并不总是能够充分发挥。特别是在硬开关长时间续流的电源应用，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。 随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。 GaN氮化镓器件面临散热管理困难: GaN 器件虽然可以在高温下工作，但其相对较低的热导率给散热管理带来一定挑战，增加了系统设计的复杂性。 GaN氮化镓器件面临可靠性问题: GaN 器件在长时间高功率运行情况下的可靠性还有待进一步验证，特别是在极端环境下的稳定性方面仍需更多研究。GaN氮化镓器件面临材料缺陷敏感性: GaN 的材料缺陷对器件性能影响较大，制造过程中需严格控制材料质量，增加了制造难度。GaN氮化镓器件面临单粒子效应 (SEE): 在空间和高辐射环境下，GaN 器件容易受到单粒子效应的影响，可能导致失效。 咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 综上所述，随着基本公司650V SiC碳化硅MOSFET成本大幅度降低，已经在双向储能，服务器电源，算力电源，工业电源，图腾柱PFC，OBC等应用加速全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件。  

型号  电压(V) IF (A) 封装 B2D04065KF1 650V 4 TO-220F-2 B3D04065E 650V 4 TO-252-3 B3D04065K 650V 4 TO-220-2 B3D04065KS 650V 4 TO-220-isolated B3D06065K 650V 6 TO-220-2 B3D06065KS 650V 6 TO-220-isolated B3D06065KF 650V 6 TO-220F-2 B3D06065E 650V 6 TO-252-3 B2D08065K1 650V 8 TO-220-2 B3D10065K 650V 10 TO-220-2 B3D10065KF 650V 10 TO-220F-2 B3D10065KS 650V 10 TO-220-isolated B3D10065E 650V 10 TO-252-3 B3D10065F 650V 10 TO-263-3 B3D20065HC 650V 20 TO-247-3 B3D20065H 650V 20 TO-247-2 B3D20065K 650V 20 TO-220-2 B3D20065F 650V 20 TO-263-3 B2D30065HC1 650V 30 TO-247-3 B2D300065H1 650V 30 TO-247-2 B2D40065H1 650V 40 TO-247-2 B2D40065HC1 650V 40 TO-247-3 B3D40065HC 650V 40 TO-247-3 B2D02120K1 1200V 2 TO-220-2 B2D02120E1 1200V 2 TO-252-3 B3D03120E 1200V 3 TO-252-2 B2D05120K1 1200V 5 TO-220-2 B3D05120E 1200V 5 TO-252-2 B2D10120K1 1200V 10 TO-220-2 B2D10120HC1 1200V 10 TO-247-3 B3D10120H 1200V 10 TO-247-2 B3D10120E 1200V 10 TO-252-2 B3D10120F 1200V 10 TO-263-2 B2D15120H1 1200V 15 TO-247-2 B3D15120H 1200V 15 TO-247-2 B3D20120HC 1200V 20 TO-247-3 B3D20120F 1200V 20 TO-263-2 B3D20120H 1200V 20 TO-247-2 B3D25120H 1200V 25 TO-247-2 B3D30120H 1200V 30 TO-247-2 B4D30120H 1200V 30 TO-247-2 B3D30120HC 1200V 30 TO-247-3 B3D40120H2 1200V 40 TO-247-2 B4D40120H 1200V 40 TO-247-2 B3D40120HC 1200V 40 TO-247-3 B3D50120H 1200V 50 TO-247-2 B3D50120H2 1200V 50 TO-247-2 B3D60120H2 1200V 60 TO-247-2 B4D60120H2 1200V 60 TO-247-2 B3D60120HC 1200V 60 TO-247-3 B3D80120H2 1200V 80 TO-247-2 B2DM100120N1 1200V 100 SOT-227 B3D40200H 2000V 40 TO-247-2

‌倾佳电子荣获基本半导体2024年度市场开拓进步奖 ‌这一荣誉是对倾佳电子在市场拓展方面所取得成就的认可。 倾佳电子作为专业功率半导体（包括SiC碳化硅MOSFET单管、SiC碳化硅MOSFET模块、SiC碳化硅MOSFET驱动IC、氮化镓GaN）以及新能源汽车连接器的分销商，一直致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商，并积极推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中的全面取代IGBT模块,以实现中国电力电子的自主可控和产业升级‌。此次获奖不仅体现了倾佳电子在市场拓展方面的努力与成果，也进一步彰显了其在行业内的领先地位和影响力。 BASiC™基半股份一级代理商专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在风电变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在伺服驱动应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在储能变流器PCS应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在电能质量APF应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC-IPM模块在空调压缩机应用中全面取代IGBT-IPM模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！  

为何基本碳化硅MOSFET在充电桩电源单级拓扑实测效率高于进口器件 基本碳化硅MOS在充电桩电源单级拓扑实测效率高于进口器件 单级变换模块效率对比实测 --B2M040120Z, 实测成绩截图 (客户提供) 某充电桩电源模块客户采用单级变换的拓扑(矩阵变换器)，实测B2M040120Z与某进口品牌40mR同封装产品，对比效率 B2M040120Z的效率表现比该进口品牌出色 原因是B2M040120Z的Eoff优于对手，在软开关拓扑中，Eon被软掉了，Eoff优势就表现出来了。 单级变换模块效率对比实测--某40mR进口品牌 实测成绩截图 (客户提供) 测试结果由客户提供，当事人为了确认结果可信，反复确认各种设置，于两个时间点重复同一测试，确认测试结果一致。 充电桩电源模块单级电源拓扑设计，实现了超高的转换效率和稳定的功率输出。采用了单级功率因数校正技术和单级AC-DC整流技术，进一步提升了充电桩电源模块 的性能。 国产基半碳化硅MOSFET及模块还适用于传统两级变换的充电桩电源模块，请看相关解决方案： 某知名客户的40kW充电桩电源模块进行测试， 原机使用的器件为C3M0040120K。国产B2M040120Z装入该机型上， 测试该器件的实际效率表现。 统硅方案充电桩模块电源中，DC/DC拓扑采用650V硅基超结MOSFET组成两个全桥串联的LLC，使用1200V碳化硅MOSFET以后，系统可以简化为一个LLC谐振回路，器件数量大幅度减少，有利于提升系统可靠性。尤其是关断损耗更小的碳化硅MOSFET，更适合充电桩电源模块DC/DC部分的LLC/移相全桥等电路拓扑。 同时，1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在风光储充、车载充电、汽车空调等领域的电源模块上被广泛应用，规模优势使碳化硅MOSFET成本进一步降低，使得用1200V碳化硅MOSFET的系统成本比使用650V硅基超结MOSFET的更低，产品更具有竞争力。 此外，大功率（50kW~60kW）的充电模块功率密度高，体积有限，如果采用分立器件，并联数量会很多，给均流、安装和散热带来了非常高的挑战，而采用碳化硅 MOSFET模块方案，则可以很好地解决上述问题。 基本半导体PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。高温(Tvj=150℃)下的RDS(on)参数仅比常温(Tvj=25℃)时增加1.4倍左右。产品内置碳化硅肖特基二极管，使得续流二极管基本没有反向恢复行为，大幅降低模块的开通损耗。产品还引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高温焊料，可改善长期高温度冲击循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

倾佳电子杨茜-碳化硅MOSFET业务总监 13266663313 BASiC™基半股份一级代理商全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，实现电力电子产业升级和自主可控！

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‌倾佳电子荣获基本半导体2024年度市场拓展进步奖 ‌这一荣誉是对倾佳电子在市场拓展方面所取得成就的认可。 倾佳电子作为专业功率半导体（包括SiC碳化硅MOSFET单管、SiC碳化硅MOSFET模块、SiC碳化硅MOSFET驱动IC、氮化镓GaN）以及新能源汽车连接器的分销商，一直致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商，并积极推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中的全面取代IGBT模块,以实现中国电力电子的自主可控和产业升级‌。此次获奖不仅体现了倾佳电子在市场拓展方面的努力与成果，也进一步彰显了其在行业内的领先地位和影响力。 BASiC™基半股份一级代理商专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在风电变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在伺服驱动应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在储能变流器PCS应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在电能质量APF应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC-IPM模块在空调压缩机应用中全面取代IGBT-IPM模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商杨茜致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！  

BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块！实现中国电力电子自主可控和产业升级！ 为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命！ 储能变流器（Power Conversion System）英文简称PCS，可控制蓄电池的充电和放电过程，进行交直流的变换，在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。 储能变流器PCS由DC/AC 双向变流器、控制单元等构成。 根据功率指令的符号及大小控制变流器对电池进行充电或放电，实现对电网有功功率及无功功率的调节。PCS储能变流器，全称Power Conversion System，是储能系统中的关键设备，用于实现储能电池与电网之间的能量转换和双向流动。它能够将直流电转换为交流电或将交流电转换为直流电，以满足电网对储能系统的充放电需求。PCS储能变流器在储能系统中扮演着“桥梁”的角色，连接着储能电池和电网，确保储能系统的高效、稳定运行。 PCS储能变流器的应用场景 1.能量时移：在用户侧储能系统中，PCS储能变流器可以用于能量时移，将白天时段内光伏多余的发电量储存起来，在晚上或者阴雨天气无光伏发电量的时段内再通过PCS释放出来，可以实现光伏发电的最大化自发自用。 2.峰谷套利：在用户侧储能系统中，尤其是执行分时电价的工商业园区，PCS储能变流器可用于进行峰谷套利，通过在电价低廉的时间段进行充电，在电价高昂的时间段进行放电，实现低充高放进行套利，达到节省园区整体用电成本的目的。 3.动态扩容：在电力容量受限的场景，类似电动汽车充电站场景，通过PCS储能变流器配置储能电池来进行动态扩容，充电高峰时候，PCS储能变流器进行放电，提供额外的功率支持；充电低峰时，PCS储能变流器进行充电，储存低价的电能进行备用，既能实现峰谷套利，又能给充电场站进行动态扩容。 4. 微电网系统：在微电网系统中，PCS储能变流器能够实现分布式电源与储能系统的协调控制，提高微电网的稳定性和供电质量。通过PCS储能变流器的精确功率控制和智能能量管理，可以实现微电网系统中电源和负荷的平衡和优化调度。 5. 电力系统调频调峰：在电力系统中，PCS储能变流器可以用于调频调峰，提高电网的稳定性和可靠性。当电网负荷高峰时，PCS储能变流器可以释放储能电池中的能量，为电网提供额外的功率支持；当电网负荷低谷时，PCS储能变流器则可以吸收电网中的多余能量，为储能电池充电，以备后用。 PCS储能变流器的发展趋势 目前在大型储能电站中普遍采用集中式PCS,一台大功率PCS同时控制多簇并联的电池，电池簇间的不均衡问题得不到有效的处理；而组串式PCS，一台中小功率的PCS只控制一簇电池，实现一簇一管理，有效规避电池簇间的木桶效应，提升系统寿命，提高全寿命周期放电容量，组串式PCS规模化应用趋势已见雏形，在工商业储能一体柜中组串式PCS已成为行业主流方案，未来在大型储能电站中也将实现大规模化应用。 随着新能源和智能电网的快速发展以及储能技术的不断进步，PCS储能变流器将面临更大的发展机遇和挑战。未来，PCS储能变流器将朝着更高效、更智能、更灵活的方向发展。 IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性，由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块，开关频率增加，从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行，开关损耗相对较低，从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少，效率提高，从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。 为了满足PCS储能变流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，可以提升系统效率1%，有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%，在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命！ 储能变流器（PCS）包括整流器和逆变器，决定着输出电能的质量与特征。并网模式下，在负荷低谷时，储能变流器把电网中的交流电整流成直流电给电池组充电；在负荷高峰时，储能变流器把电池组中的直流电逆变成交流电反送到电网中。因此，在新能源规模化并网的背景下，逆变器的控制技术是构网型储能的关键所在。 跟网型（Grid  Following）控制技术和构网型（Grid Forming）控制技术。当前，并网储能逆变器通常采用跟网型控制技术。 构网型变流器技术应运而生，其原理是通过模拟同步发电机特性来提升系统支撑能力。它分为电网跟踪型和电网构造型，构网型变流器通过特定控制方式将变流器端口特性塑造为类似同步发电机特性，具备频率响应、电压调节和过载能力等特点，其直流侧能量来源多样，拓扑结构复杂，包括模块化多电平、两/三电平，主接线方式有角接拓扑和直流拓扑，接入系统方式分为高压直挂和低压升压后接入，储能接入方式也有多种。 跟网型储能的应用主要集中在通过最大功率点跟踪(maximum power point tracking，MPPT)技术向电网注入有功功率。因此，无功电源是很小的，往往接近于零。从整体循环效率的角度来看，跟网型储能更有吸引力。而构网型储能的主要优势之一是调节电网的电压和频率，为了实现这一目标，构网型储能中的有功功率和无功功率参考值不断变化。 从控制的角度来看，跟网型储能的行为可以近似为具有并联高阻抗的受控电流源。与跟网型储能相比，构网型储能可以近似为具有低串联阻抗的电压源。跟网型储能和构网型储能控制的另一个主要区别是，构网型储能可以在没有电网连接的情况下建立自己的参考电压和频率，具有和同步发电机类似的运行特性。因此，构网型储能理论上可以在完全(100%)电力电子设备系统中运行，可适用于弱电网和孤岛，而跟网型储能比较适用于具有强电网支撑的应用场景。由于开关设备的电流限制，构网型储能的电力电子设备容量通常是很大，以满足故障电流通流要求，构网型储能的电力电子设备PCS中SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%，在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命！ BASiC™基半股份一级代理商专业分销XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在风电变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在伺服驱动应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在储能变流器PCS应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在电能质量APF应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC-IPM模块在空调压缩机应用中全面取代IGBT-IPM模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！ BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC碳化硅模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！ 构网型储能系统本质上是电压源，它能够自主设定电压参数，输出稳定的电压与频率，提升变流器的电压、频率支撑能力，增强电力系统的稳定性。在频率和惯量支撑方面，构网型储能系统通过控制释放直流侧储能能量，等效为同步机惯量机械能或阻尼能量，进而提供惯量响应与振荡抑制。 构网型储能系统由构网型变流器、升压变压器和电力线路组成。系统容量的变化会直接影响构网型变流器、升压变压器和电力线路的等效阻抗。因此，不能简单地将构网型储能视为理想电压源。 在电压支撑方面，构网型储能系统通过功率同步控制机制，将储能变流器塑造成电压源外特性，可在不依赖外界交流系统的情况下，自行构建交流侧电压幅值与相位，为电力系统提供强大的电压支撑。因此，构网型储能系统则更适合于可再生能源接入比例高的地区。 Grid-Forming构网型储能技术可提高系统强度、增加短路比，从而实现弹性电力系统，实现更高水平的可再生能源发电和可靠的能源运输。Grid-Forming构网型储能系统进一步稳固了电网电压波形和高电能质量，同时减轻了区域间或局部电网波动。 构网型储能技术通过超配PCS方式提高过载能力构建起支撑大电网稳定运行的电压源，可以起到快速调频调压、增加惯量和短路容量支撑、抑制宽频振荡等作用，从而增强电力系统稳定性。 区别于传统跟网型储能，构网型储能能够主动识别电网情况，更精细主动地平抑电网波动。 使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统！-基半BASiC一级代理商专业分销 使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT变流器，实现更高的变流效率，更小的变流体积重量！更低的变流成本！ 随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！基半BASiC一级代理商专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET！基半BASiC一级代理商全力推进基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT! 基半BASiC一级代理商致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT! 基半BASiC一级代理商致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market! 基半BASiC一级代理商致力于SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，SiC单管在电力电子应用中全面取代IGBT单管，650V SiC碳化硅MOSFET在电源应用中全面取代Super Junction超结MOSFET! 国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统，1500V系统大组串SiC光伏逆变器，1500V系统储能变流器PCS，1500V系统固态断路器，固态变压器以及2000V光储系统，2000V系统大组串SiC光伏逆变器-MPPT飞跨碳化硅SiC碳化硅模块和逆变SiC碳化硅模块，2000V系统储能变流器PCS，2000V系统固态断路器等。 IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。 未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。 为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。 针对新能源汽车的应用需求，BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。 B3M040120Z是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。 相较于传统封装形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模块单位半导体的通流能力可以提升约40%，或者同样电流输出使用的半导体用量减少1/3。同样功率输出条件下，功率模块物料成本有望降低20%。PCB布局设计相对于传统封装设计更加灵活，大大加快了工程开发的迭代速度和客户交付速度。受到封装限制而难以在传统逆变器中实现的高级电路拓扑，如三电平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封装高度灵活性的优势而加速了产业化落地。 根据技术和商业评估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模块是一项非常有前景的封装技术，有望在在单位功率成本、功率密度、产品交付和迭代速度等方面远远超越传统封装，成为未来电力电子应用的新方向。 BMF240R12E2G3是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。 BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。 为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。