点评了资料： HFSS中文手册

回复了主题帖： MOSFET、IGBT的输出特性曲线和沟道调制效应

IGBT的关断过程的损耗由于电荷存储效应比MOS大很多  

回复了主题帖： deepseek和豆包打架了——关于RLC电路的讨论

最终，豆包承认了自己的错误并深表歉意，差点被豆包说动了  

回复了主题帖： deepseek和豆包打架了——关于RLC电路的讨论

以下是豆包的回答：        

回复了主题帖： deepseek和豆包打架了——关于RLC电路的讨论

以下是deepseek的回答：        

发表了主题帖： deepseek和豆包打架了——关于RLC电路的讨论

RLC串联谐振电路，将C并一个负载R，其谐振频率会改变吗？ 我问了deepseek和豆包，得到了两个不同的答案，大家导论下哪个是对的    

点评了资料： NFC设备设计宝典：设计约束篇

回复了主题帖： 过流保护

没必要的当然不用加，现在都在节约成本

回复了主题帖： 市面上有MCT器件吗？

没人回，备注个：MCTA75P60E1

回复了主题帖： 这种12V电瓶如果只做短路保护，怎么做？

如二楼所说，看电瓶的应用，如果作为大电流启动用，那不能加短路保护，串保险丝会影响启动电流

回复了主题帖： 这种12V电瓶如果只做短路保护，怎么做？

图片中串联保护板 加入的是过流保护和过压保护，单个电池只做短路保护可以加个熔断保险丝就行了

发表了主题帖： 市面上有MCT器件吗？

MCT，MOS-Controlled Thyristor)是一种MOS与双极复合型器件，其等效原理图和符号如下：   频率比IGBT高同时拥有IGBT耐压高电流大的特性，大功率场合可以应用。 有谁知道市面上哪儿有这种管子吗？  有的话整几个玩玩

回复了主题帖： 电源学习

自动控制原理   ，还是挺重要的，做高端电源必备知识

回复了主题帖： 缓上电电路并联在NMOS管两端的电流如何确定

ABC159753 发表于 2025-2-14 16:48 可是我看了手册基本上都是只有额定功率的，这个电阻就只看瞬时功率吗 手册上没有的，可以联系原厂FAE询问

回复了主题帖： altium designer 能批量导出生产文件吗？

建一个outjob文件，设置好导出的相关参数，要导出的时候直接调用就可以了

回复了主题帖： 缓上电电路并联在NMOS管两端的电流如何确定

瞬时功率参考电阻规格书，按照规格书的瞬时功率来选

回复了主题帖： BJT存储时间是否影响关断损耗

se7ens 发表于 2025-2-14 10:21 用的是什么仿真工具呢? 三极管模型自带存储时间特性？  

回复了主题帖： BJT存储时间是否影响关断损耗

se7ens 发表于 2025-2-14 10:21 用的是什么仿真工具呢? 三极管模型自带存储时间特性？ LTSPICE仿真，能看到存储时间

回复了主题帖： BJT存储时间是否影响关断损耗

se7ens 发表于 2025-2-13 11:47 Ib2电流反向，但是Vbe还是正，怎么解释，量子力学？ 负阻特性吧，这个时候是三极管存储效应的载流子放电，而不是结电容放电，所以vbe电压基本不变，仿真也是差不多的波形

回复了主题帖： BJT存储时间是否影响关断损耗

高压BJT，规格书给的ts时间还是挺长的，2~5us左右，实测并非是方波驱动，有1us左右的存储时间； 相对来说，tr和tf相对ts小很多，500ns左右