flag2010

  • 2024-10-23
  • 回复了主题帖: PMOS作为PWM开关供电,输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长,求解决

    davidzhu210 发表于 2024-10-13 19:57 0.4R出现负压,应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看,或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较 ... 我换了一颗新洁能PMOS(型号NCE30P25Q)效果还是不太理想,直接把G级电压拉高到5V去了。    

  • 2024-10-13
  • 回复了主题帖: PMOS作为PWM开关供电,输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长,求解决

    本帖最后由 flag2010 于 2024-10-13 15:29 编辑 maychang 发表于 2024-10-13 11:13 首帖图中三极管Q7的接法,无论如何也是错误的,电压方向就不对。 VBAT2357有多少V? 意思Q7接2/3接反了,造成了PMPS关闭时候未得到G极和D极见的电压迅速释放? 我将PNP管子2/3反接了,目前现象实际一样的。还是负电压时间太长了。

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    davidzhu210 发表于 2024-10-13 11:19 意图用Q6/Q7驱动MOSFET,但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏?另外MOSFET漏极接到哪里?把图给全 ... 此电路借鉴于TI官方的资料里面的设计,烦请帮忙看看设计问题出在哪里. 驱动电阻0.4R的PMOS的VTH电压典型为-0.7V。详细规格见截图或者帖子的资料。烦请帮忙再看看具体出在哪里了。0.4R两端的输出除了关闭时候出现严重的负电压过长,开启的时候没有明显看到严重的过冲和振铃。  

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    maychang 发表于 2024-10-13 11:11 首帖图中P沟MOS管的1/2/3脚接到什么地方去了?此NET上还有什么元件?只有VBAT2357么? 已经更新帖子,描述更完整了,烦请帮忙再看看。VBAT直接接的最高4.2V的电芯锂电池,工作电压范围为3V-4.2V。三极管的接法借鉴了TI官网的资料设计的。

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    Jacktang 发表于 2024-10-13 08:36 都是C404闹腾的 把它去掉,再重新优化 C404取消效果一样的,已经试过,负电压也是过长。并且负的幅度更大了。

  • 2024-10-12
  • 发表了主题帖: PMOS作为PWM开关供电,输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长,求解决

    本帖最后由 flag2010 于 2024-10-13 12:04 编辑 原理图见下图:电路中VBAT电压为3-4.2V,D401/D4稳压管为4.3V的稳压管。 Q6:NPN管子LMBT4401LT1G Q7:PNP管子:LMBT4403LT1G Q5:NMOS管子:LNTS4409NWT1G Q403为AOS物料:AONR21117 VBAT即为负载的供电,供电电压为3V-4.2V,PMOS的Q403的下端接的负载为0.4欧姆的电阻。单片机的PWM输入信号为3.3V的方波信号,频率为20KHz. 此电路来自于:TI官网的一个pdf文件,也算是一个经典电路,第27页 https://www.ti.com/lit/slua618   此图为我所设计的电路:    但是我测试发现,当PMOS_PWM信号输入PWM信号后,在0.4R两端测量到严重的负电压,并且时间非常长。见示波器波形,PWM开关频率为20KHz.   有大佬帮忙解决一下应该如何优化改善负电压太长呢,让信号输出标准的方波信号?现在上升沿和下降沿开启信号看还是很快了啊。 后端尝试过C404使用10uF电容,但是严重削弱了上升沿和下降沿时间,输出的信号也不标准了。上图示波器测试的信号为C404为1uF电容的波形。    

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