工商业储能系统集成技术和市场正以其多样复杂性的特征呈现出快速的变化，一方面工商业系统集成在向更大规模、更高能量密度趋势发展，另一方面应用场景更加复杂多样，对系统寿命、安全和收益提出更高要求。 这也需要PCS从技术迭代和产品形式等多个维度来进行创新来适应储能系统集成变化带来的挑战。尤其是300+Ah大容量电芯在工商业储能领域的加速应用对储能PCS功率提升的要求进一步明确。

电路位置APF电流等级SiC MOSFET 分立器件 SiC MOSFET 模块 隔离驱动芯片电源控制芯片驱动电源专用 变压器 主功率 逆变 5A B2M160120Z*6 / / / / 35A B2M040120Z*6 / 50A B2M030120Z*6 / 75A / BMF011MR12E1G3*3 100A / BMF008MR12E2G3*3 150A / BMF240R12E2G3*3 门极驱动板/ / / BTD5350MCWR*6 BTD25350MMCWR*3 BTP1521F BTP1521P TR-P15DS23 辅助电源/ B2M600170H / / BTP284xDR

电路位置 焊机 输出电流 SiC MOSFET 分立 器件 SiC MOSFET 模块 隔离驱动芯片 电源控制芯片 SiC SBD 主电路原边逆变 （ 250 300)A B2M080120Z*8 / / / / （ 350 500)A B2M040120Z*8 BMF240R12E2G3 BMF80R12RA3 BMF160R12RA3 / / / 500A 以上或切割机 B2M030120Z*8 / / / 门极驱动板 / / / BTD5350MCPR*8 BTD5350MCWR*8 BTD25350MMCWR*4 BTP1521F BTP1521P / 主电路副边整流 切割机 / / / / B 3 D 40065 HC *8 辅助电源 / B2M600170R / / BTP284xDR

基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点 更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。 更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。 更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。 更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

附上直流充电桩用碳化硅MOSFET规格书

光伏MPPT用碳化硅MOSFET规格书