haocede

  • 2024-05-30
  • 回复了主题帖: 新能源汽车电驱动系统研发,主机厂,需要对电机控制器芯片做选型

    搞钱搞钱搞技术 发表于 2024-1-8 15:43 楼主,能麻烦科普一下主机厂,设计流程吗?先确定功能再找物料。还是根据现有成熟物料决定开放功能 主机厂哪有什么流程可言,我们就是下需求,开发设计工作由供应商完成,但有时候需要我们自己定义芯片类型,有两方面,一是芯片新能方面,二是成本控制方面,指定供应商用某款芯片  

  • 2024-05-21
  • 加入了学习《MATLAB及机电系统仿真》,观看 MATLAB简介

  • 2024-04-16
  • 发表了主题帖: 电动汽车堵转加热问题求助+++++++++++急,,,,

    电动汽车堵转加热问题求助+++++++++++急,,,, 本人是乘用电动车电驱性能研发岗的小白,现在有个问题需要求助大佬么们: ①电机堵转加热方案,是怎么实现电机堵转加热来实现热交换,将热量传递给电池包 ②如何控制电机堵转加热,不会烧掉电机,还能产热,控制程序或仿真程序是怎么做的

  • 2024-04-03
  • 回复了主题帖: 电力半导体新器件及其制造技术

    数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍 有IGBT驱动芯片选型介绍吗。楼主

  • 2024-03-09
  • 回复了主题帖: 问个事

    老哥,你想上传什么书,自己写的吗,哪个领域的,

  • 回复了主题帖: 爆哪吒汽车工厂停产了!

    哪吒这个品牌太非主流,没有顺应当代汽车市场趋势,淘汰是必然的事情,既是顺应市场规律,也是对一个车企理念的考验,专心致力于品牌质量才是正道,整天想别出心裁,以奇制胜是万万不可取的,用心打造品牌,提升质量,沉淀,自我提升,技术积累,还是可以翻身的,毕竟,中国的需求市场多样化,总会找到自己的出路

  • 回复了主题帖: 国产芯榜:辛昕推荐了MCU分类的航顺HK32F030MF4P6,大家使用过吗?觉得怎么样

    对于关注低价单片机的我,其实很少人关注这么一个曾经把低价MCU市场搅得天翻地覆的系列STM8S003F6P6。作为一款单片机,它有着不那么主流的封装:tssop20(当然它也有其他更“主流”的封装形式,例如LQFP等),同时,它引脚有限,flash rom均很有限,但是,它把价格打到了让人丧心病狂的1块2左右(大多数时候是1块2~1块4)。 这个价格,即便在如今近乎农村包围城市态势的国产32位MCU全面兼容替代STM32的阵势,保量减价,甚至加量不加价的情况下,HK32F030MF4P6仍然是一款罕见的少数选择之一

  • 2024-01-26
  • 回复了主题帖: 博文分享:对于采用双向自动检测IC TXB0104在电平转换端口传输中组态的分析

    过测试分析,延长OE的低电平时间可以有效地避免MCU和EMMC芯片握手失败。   这种导致芯片传输挂机失败的原因是由于TXB0104在上电期间的传输口是不定态所致

  • 回复了主题帖: 直流电机学习(5)电流采样放大器

    美国(鬼子)大厂TI先出的INA240,也同样有PWM rejection 我们可以看看INA240的PWM rejection 能力如图5所示,可以看到TI的INA240的OUT更加平滑,但您细品,禁不起细品,看看电压档位

  • 2024-01-20
  • 回复了主题帖: 电子技术笨鸟学习方法介绍

    抄板,把自己用到的电路板把电路板上的元件和线路抄下来,抄板的过程就是跟线路,和熟悉板上的元件。主要是针对双面板了。 2、看电路板的原理难度大,不理解,就用万用表对电路板的元件进行电阻,电压的参数测量。首先找一个好的电路板对板上的全部电子元件参数测量,并记录好,反复多次测量全部元件的参数并记录好。测量记录参数时,电路板要处于相同的工作状态

  • 2024-01-19
  • 回复了主题帖: 电机控制基础——定时器基础知识与PWM输出原理

    感谢分享,写的很详细,希望楼主再接再励,开一个专题,持续为大家分享逻辑分析仪来查看实际的输出波形,测试效果得到完美验证

  • 回复了主题帖: 【国产MCU先楫HPM5361】+ 电机初步运行视频

    国产之光,为你带你赞。多分享,多交流,细节问题,共分享共进步

  • 回复了主题帖: 关于单片机接口

    学到了,学到了,原来芯片的外围接口还分不同的领域,还是论坛能学到东西,感谢楼主,多多分享,

  • 2024-01-18
  • 回复了主题帖: 颁奖:西门子 半导体行业数字主线串享未来,加速半导体行业数字主线进程

    上述两个步骤缺一不可,未完成则视为自动放弃领奖权利。跟帖、回复邮件均视为无效确认。 2. 请务必在领奖有效期内完成上述确认,逾期视为自动放弃领奖权利。 3. 我们会通过邮件通知2次或3次,如因邮箱错误、网络或其他不可抗力而造成没有收到获奖通知,将视为自动放弃获奖资格,奖品将不再发送。  

  • 回复了主题帖: 这个什么电源拓扑结构?

    VD与VT的作用是啥,各个模块的作用,电容,电感,这些基本的东西怎么学习

  • 2024-01-15
  • 回复了主题帖: 《奔跑吧Linux内核(第2版)卷1:基础架构》了解Slab分配器

    你这个涉及到软件集成吗,兄弟,有相关于软件集成的资料学习吗,入门级别的那种,半路出家,基础知识很薄弱,想学习一下相关的知识

  • 回复了主题帖: 【国产高性能运动控制MCU 先楫HPM5361】LVGL_GUI移植

    你这个涉及到软件集成吗,兄弟,有相关于软件集成的资料学习吗,入门级别的那种,半路出家,基础知识很薄弱,想学习一下相关的知识

  • 回复了主题帖: ALINX XC7Z020 开发板电源跳线电路

    有相关学习电路的资源吗,兄弟,入门级别的那种,半路出家,基础知识很薄弱,想学习一下电路相关的知识

  • 2024-01-10
  • 回复了主题帖: 上海航芯ACM32G103开发板学习笔记05(GPIO输出)

    兄弟,能分享点芯片参数引脚解读的帖子不,我是来水评论的,赚点积分,下载资料! 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET  和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。  

  • 回复了主题帖: 分享 | 可编程晶振芯片几个知识点

    么是可编程晶振?可编程晶振多为有源晶振,由两个芯片组成;一个是全硅MEMS谐振器,一个是具有温补功能的芯片,可以启动电路锁相环CMOS。它采用标准化的半导体芯片MCM封装。可以采用全自动标准半导体制造工艺,比如现在电子产品设计用的IC,稳定性和质量都很好;生产过程中不能出现人为错误 感谢分享!  

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