chloebb

  • 2024-06-28
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    qwqwqw2088 发表于 2024-6-28 16:19 Qg和Rds(on)比较低的nmos要多小的,有没有个级别要求 因为电流比较大,所以rds最好是几m欧姆以下;针对快速关断,Qg也肯定是越小越好。

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    beyond_笑谈 发表于 2024-6-28 17:07 附件是MOSFET的规格书,这俩元件都是车规级,供参考。 好的,非常感谢!

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    beyond_笑谈 发表于 2024-6-28 17:10 单个MOSFET过这么大的电流,1~3分钟的持续时间不算短,散热挺重要的 我用的是铝基板和巨大的热沉进行散热,这个是没问题的

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    看了这个参数,确实挺不错的

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    beyond_笑谈 发表于 2024-6-28 15:36 得看600A的电流持续时间多长。单个MOSFET过电流超过300A的话,可以看一下这个N-MOSFET,选择峰值输出电流大 ... 一般持续时间在1分钟到三分钟之间,因为电流比较大,我会选择并联多个mos进行均流,栅极驱动灌电流的峰峰值在4a。因此会优先选择mos的导通电阻和Qg比较低的nmos。

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    回路电流600a以上(低压,小于10V),由于需要对回路快速切断,因此需要使用大电流并且Qg和Rds(on)比较低的nmos,有使用过类似器件的可以推荐一些nmos吗

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