特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持标准DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高达667MHz fCK（1333MT /秒/针） •页面大小为512位（x8）或1024位（x16） •设备上终止 •片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐 •所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存 •突发长度为8，可编程突发斩波长度为4 •标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装

EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。

由于EEPROM以字节为单位运行其擦除功能，因此这增加了清除和编辑设备所花费的时间，但允许开发人员在需要时编辑特定部分。闪存能够擦除大量数据，从而大大提高了擦除速度，并使设备可以更紧凑地存储信息。

BBSRAM又称BatRAM，它是嵌入式单封装中多个芯片和电池元件的组合。电池可以集成在封装中，同集成在塑料DIPS中相似。还可以将该电池安装在封装顶层上，然后机械地添加一个类似于SOIC中使用的上盖。

NV-SRAM允许将关键数据无限次写入其SRAM单元中，而不会耗尽耐久力或不适当的磨损平衡。当使用有限的耐用性计数非易失性存储器（例如EEPROM和闪存）时，这消除了在软件中实现损耗平衡或计算耐用性周期所需的所有工作。

NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中，工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成为最可靠的非易失性技术，并且是游戏应用程序的理想选择。

目前RAM高速缓存使用备用电池来实现非易失性，并使用3.0 V电池来在断电期间保留RAM内容

赛普拉斯的NV-SRAM提供25ns的访问速度（对称的读写操作），这远远优于电池供电的解决方案，后者在最佳情况下可以提供最高45ns的访问速度。在大多数应用程序中，始终首选高速缓存，因为它会直接影响系统性能。

SRAM写入操作 1)通过地址总线确定要写入信息的位置(确定/OE引脚没有被激活) 2)通过数据总线将要写入的数据传输到Dout引脚 3)激活/CS引脚选择SRAM 芯片 4)激活/WE引脚通知SRAM知道要尽心写入操作 经过上面的四个步骤之后，需要写入的数据就已经放在了需要写入的地方。

SRAM芯片的引脚定义 早期的SRAM芯片采用了20线双列直插（DIP）封装技术，它们之所以具有这么多的针脚，是因为它们必须: ·每个地址信号都需要一根信号线 ·一根数据输入线和一根数据输出线 ·部分控制线(Write Enable， Chip select) ·地线和电源线

疫情导致在线教育与办公需求增长，导致对应的驱动IC、电源管理IC及功率元件需求增长，而一季度之后，疫情得到有效遏制，消费电子和汽车及家电的需求回暖，功率MOS、PMIC、传感器IC等产品需求接力，维持产能满载。

EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。

NAND FLASH被用来作为包括SSD，USB驱动器和SD卡等许多类型的存储产品的主要部分。

SRAM 1.速度快 2.不需要刷新可保持数据 3.无需MCU带特殊接口 4.容量小，256Kb-16Mb 5.集成度低，单位容量价格高 6.静态功耗低，运行功耗大

DRAM 1.速度较慢 2.需要刷新来保持数据 3.需要MCU带外部存储控制器 4.容量大，16Mb-4Gb 5.集成度高，单位容量价格低 6.运行功耗低

由于每个存储位仅用一个晶体管和小电容，因此集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言，DRAM可以远远超过SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的价格也大大低于SRAM。这两个优点使DRAM成为计算机内存的主要角色。DRAM的行列地址分时复用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要复杂一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。

NOR 1.读速度快，写速度慢 2擦除速度慢 3.擦除次数约10万次 4.容量小256Kb-512Mb 5.单位容量价格高，适用于小容量程序存储 6.不易产生坏块

Nand Flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。

易失性存储器按存储电路的性质，可分为静态随机存取存器SRAM和动态随机存取储存器DRAM。

易失性存储器主要是指随机访问存储器RAM。RAM是计算机中用来存放数据、程序及运算结果，直接与CPU进行信息交换的场所。