RichSJ 发表于 2022-6-26 23:12
第一次测试用5 毫秒太长, 现在的高端电源芯片内部非常复杂,为了几个目的,用电池时考虑每一毫安的消耗 ...
首先非常感谢您百忙之中花时间解答。
不同的工作模式layout上有做预留,可以使用其他模式。但在线转模式后再进行开关似乎不太实际。前期测试都是使用burst模式(使用此模式是参考了另一款产品)。
1、小弟也是第一次尝试使用芯片的EN引脚。目前还没有得到具体原因,使用这种控制方式现在也不敢上机使用。像您前面说的,安全第一。
2、目前的想法就是在芯片VIN前级做关断处理。但是像芯片的EN引脚,电路中采取一般采取什么样的用法?小弟的感觉是:在很多厂家的手册中,都没有很明确EN引脚的应用方法,很多数据手册中的应用电路都是接入VIN或者浮空直接让芯片使能工作。
3、想得到小于这个“常时间”的EN信号,目前没有想到很好的做法。
4、取消RA13,做关断。下午小弟也尝试过了,开关接地也是会振荡(芯片拆下了,没敢上芯片测试)。不知道是否因为线缆阻抗匹配问题导致产生的负电压。
5、已和两个FAE联系。他们提出的建议分别是:
①取消这两104电容。但目前测试来看,取消后电路依旧振荡,把测试波形发给FAE,目前没有得到明确答复。(本想申请块DEMO板,得到的回复是缺芯片,难申请)
②在开关接地前级串联电阻。将关断EN电压限制在0v以上0.9v以下。(但我输入电压随着时间波动较大,不好控制)
6、关断时间长,您说对此芯片很不好,是会有什么影响呀?是怕在0.9v-1.1之间反复开关么?
小弟目前想法是:
①取消开关,在线路vin输入前级加个MOS开关。后将EN引脚与VIN引脚绑定(手册中应用电路的做法。也有同事建议用VIN电阻分压2V后再给到EN(手册中电气特性表中的测试参数)。您能否给个建议,从没这么纠结过,烧不起了,涨价离谱..)。
②如果可能,还是想使用芯片EN引脚来控制,但是如何应用还没有想好。您方便给点建议么。
您觉得,烧毁芯片的原因是什么? 目前小弟怀疑两个原因(不知道对不对,猜的)
①EN引脚负电压导致烧毁(但EN引脚进去后是一个比较器,但烧毁应该是比较器或者电路不工作吧)
②EN引脚波形振荡,内部管子开关“混乱”,导致内部MOS短路(猜的,从坏掉的芯片测试来看,输入输出对地直接短路了)