分明就是代码书写的问题：后面的pbuf[x]

模糊的印象是：关于flash操作的文件是我从安装目录的ST外设库中移植过来的，而文件里面用的常量如FLASH_CR1_FIX在头文件里面用的是#define FLASH_CR1_FIX  FLASH_CR1_bit.FIX的形式定义的，但是找不到，所以我就按照datasheet写成了常数。但是很奇怪，除了这个寄存器，其他的寄存器都是按照常数来写的，不信可以翻inc下的其他芯片的.h文件。

huo_hu 发表于 2017-1-18 15:11 包含文件“ ”表示在当前目录下查找头文件， 表示在系统目录下查找，默认安装目录下的INC，你的情况可能是 ...

关于这个包含是了解的。你这么一说我还真的去对比了一下，我擦，还真的是这样： 看inc里面的头文件： #define FLASH_CR1_FIX            FLASH_CR1_bit.FIX #define FLASH_CR1_IE             FLASH_CR1_bit.IE #define FLASH_CR1_WAITM      FLASH_CR1_bit.WAITM #define FLASH_CR1_EEPM         FLASH_CR1_bit.EEPM ..... 再看我的工程里面头文件： #define FLASH_CR1_FIX             0x01 //FLASH_CR1_bit.FIX #define FLASH_CR1_IE              0x02 //FLASH_CR1_bit.IE #define FLASH_CR1_WAITM      0x04 //FLASH_CR1_bit.WAITM #define FLASH_CR1_EEPM         0x08 //FLASH_CR1_bit.EEPM 明显上面的就是错误的，那么我的项目里面的头文件哪来的？懵逼了。。。

huo_hu 发表于 2017-1-18 12:22 tm8没用过都用的32，帮你顶下吧

谢谢！也算是给还没有走弯路或是正在走弯路的同行一个经验总结，但根本的原因还是没有搞清楚。

问题已解决，分享一下经验： 芯片的头文件如iostm***.h必须放在自己的工程目录下，而且必须使用i#include "头文件名.h"，而不能使用#include ，否则eeprom的擦除+编程时间将从几个ms增加到800ms+，而且IAR编译时也会产生好多的告警： Warning[Pa082]: undefined behavior: the order of volatile accesses is undefined in this statement。 但不知道为何有这样的差异，如有了解的达人请跟帖说明，谢谢！

但是问题来了：我使用STM8L151来测试时，相同的CPU主频(16MHz)，相同的测试代码，发现在STM8L151上执行一次BLOCK擦除及编程操作，时间>800ms，很是郁闷，因为完全相同的代码！而且操作期间都是关闭了总中断的。 有朋友遇到过吗？

更新测试结果：上面的帖子有点描述错误，STM8AL3188的EEPROM是8个PAGE，每页包括2个BLOCK，每个BLOCK是128字节，datasheet上说一个BLOCK的时间是4ms左右，不是一个PAGE。

工程名不要有空格。

听说过缓冲区没？

3V5V不是最基本的电路吗？使用集成芯片或者带体内diode的mosfet组成的分立电路都可以。

再次更新测试结果： 擦除一个BLOCK：约3ms（关不关中断都差不多） 编程半个BLOCK：约4ms（关不关中断都差不多） 为什么是半个BLOCK，因为我使用的STM8AL3188是2K EEPROM = 8个BLOCK * 256字节 测试时使用的是BLOCK0，发现如果只是program BLOCK0的前128个字节，确实很快，4个ms左右就完成了， 但是如果是把整个BLOCK的256字节编程，时间就是800ms+！！！ 到底怎么回事？迷惑！

更新测试结果： 擦除一个BLOCK：约3ms（关不关中断都差不多） 编程一个BLOCK：约800ms（关不关中断都差不多） 发现使用的头文件错误，本是STM8AL3188，尼玛的里面居然有个STM8AL3L88，这个1和L都是小写谁分得清！！ 擦除Block的时间跟datasheet差不多了，但是编程block的时间还是差很多。继续求解！

huo_hu 发表于 2016-11-28 15:58 flash时钟对吗？

对的，STM8AL3188@16MHz。