RAM 分动态RAM（DRAM），静态RAM（SRAM），单片机上的RAM一般是前者还是后者，我猜是后者，因为后者比前者更快。  Flash分NOR Flash和NADN Flash ，单片机里面的Flash是前者还是后者？我这里的单片机都是MSP430型号的。有资料说，单片机的Flash是后者（速度慢，但便宜），但是又有资料说：后者上的代码不能直接运行，我晕了！求5楼 指导好吗？但愿我的问题不奇怪。谢谢

再按照5楼的指导，把一些名词的解释收集如下：（红字是我的理解） RAM存储单元的内容可随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关，（就是快吗，这是它的优势） 有资料介绍：RAM分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。（二者有啥区分？，都是丢电后丢失数据吗？） 再补充资料上的介绍：RAM是随机存取存储器，可以直接访问任一存储单元，只要知道其地址即可，这和顺序存取存储器(SAM)形成对比，SAM类似磁带，

ROM多见于遥控器等简单产品，程序只写入一次，不再更改，适合大批量生产。后来出现了EEPROM，可以电擦除，Flash就是 一种低电压的电擦除存储器，从成本看，ROM最低，RAM最高，Flash 居中。

07611128 发表于 2015-8-27 10:42 现在ROM的发展不都变化了么，虽然还叫ROM，但是可读可写了

EEPROM，就是ROM的发展，就是电擦除，但是电压较高，而Flash就是低电压电擦除的存储器，在单片机内部利用低电压就可擦除。一些学习呦:)

qiushenghua 发表于 2015-8-26 22:15 Flash可以存储代码和数据，RAM也可以存储数据，那么存储在二种存储器的数据有何异同？ 是全局变量、局部变 ...

谢谢指导，我有了新 的收获。:loveliness:

MSP430的Flash存储器不需要额外的外部电压就可以在系统编程（ISP），CPU能编程它自己的Flash。（不需要额外的外部电压，啥意思？它的操作的用电来自谁？）Flash的write/erase模式由BLKWRT,WRT,MERAS,ERAS位来选择（这4个位都是来自FCTL1寄存器），可以是以下选择： ——一般擦除Flash需要额外的高电压，这个电压一般比系统电压高（常见的擦除电压在10V左右，而MCU一般低于5V供电），MSP430内部Flash的擦除操作不需要高电压 看到 5楼的上述指教，我忽然明白什么是ISP了，我以前听别人说过，Flash也是EEPROM（电擦除）的一种，但是EEPROM是高电压擦除，Flash是低电压擦除，可以利用单片机内容的电压擦除，不需要额外的高电压，谢谢:)

okhxyyo 发表于 2015-8-26 17:08 关于你问的flash，ram存储的数据问题，你可以先对flash,ram,rom的区别和特点以及一般作用方向进行了解一下 ...

谢谢版主指点，

请指教我的新帖，标题是： 02篇-单片机的存储空间 谢谢 我看到 楼上的代码，也受教了。

秋天的琴湖 发表于 2015-8-17 17:35 漂亮

谢谢，支持

maylove 发表于 2015-8-18 08:31 继续努力，继续加油！

谢谢管理员

强仔00001 发表于 2015-8-18 22:45 对的，我开始也是这样的，回来会注意些了

谢谢，谅解排版问题。

数码小叶 发表于 2015-8-18 16:18 和我刚开始一样不会排版，估计慢慢就好了

谢谢，提些排版的意见

wstt 发表于 2013-12-1 14:12 :carnation:

看到了书的作者之一，不禁要回复一下。谢谢，正在拜读，

谢谢回复，等了500年，您是第一个回复的，谢谢

我学习一下，花了我3 个芯币，有点心疼，不花钱不能读耶，

我买了 《MCU工程师炼成记 》这本书，正在看，好希望结识 教主级别的作者呀，尤其是  @chunyang , :):):):)

看似复杂的应用，却是简单的欧姆定律在发挥应用，再看 版主等人的指教，更领会了 理论和实践结合的 意义。