香港这边却仍是夏不夏，秋不秋的。

您好，我香港的；立冬已一周多了，还不降温。

eric_wang 发表于 2015-11-6 11:44 2015年的第一场雪，比以往时候来得更早一些

我这边却是该冷了还不冷，虽然我不是喜欢冬天，但总觉得气候愈来愈不对头。

水，可承舟也可覆舟。

稳压管跟负载（运放电源端）并联，限流电阻给它们供电，稳压管只是改变其分流程度以稳定运放的供电电压。

{:1_103:}非常多谢楼主的分享。

线性稳压只会分压，不能增压，开关稳压会干扰电源及负载，而线性稳压只会受干扰。

恒流二极管的结构像jFET，jFET可作为恒流元件，但除需把栅极接地还要在源极串入电阻才有恒流之效，结构复杂的大功率有源器件，如果有逆导二极管的，也往往成为寄生jFET，但同样没有恒流效果， 恒流二极管是一种自带完整功能的非可控器件，要做到自带功能，就要跟λ二极管一样，在jFET的基础上作出改动，恒流二极管的结构，原来就是这样的，跟 λ二极管的结构图一样，也是遍寻不获，而这个恒流二极管的也是绝无仅有（居然就在本站，谷歌搜到的）。

金属与金属也可造成非欧姆接触，但似乎都只能做热电偶，不能成为PN结，化合物(金属间化物除外)及非金属可作为有源器件用材，能作有源器件用材的，通常亦能跟金属组成「PN结」， 半导体科技的兴起与发展，是由四价元素开始的，四价元素的角色，总是单质，三价及五价元素是掺杂物(也是单质)，在LED或其他非硅类器件中，三价与五价元素成为主角，但总是化合物，而且往往是三五互化，亦不会掺入四价元素， 纯净，是关乎半导体元器件制作成败的首要条件，除了厂房需要超洁，作为半导体元件的用料，不论是单质，化合物，都必须极度纯净，基材固然，掺杂物也含糊不得，掺杂物是添加剂，不是杂质，同样也必须极度纯净。

yaorumeng 发表于 2015-6-5 18:35 应届毕业，还好吧。我的大学没怎么偷懒，也学到了些东西，最后也找到了工作，也就没太多奢望了。

那就好了，觅得用武之所，学以致用，奢望可以没有，但为理想，为生计，总得努力奋斗。

异质结可使BJT的耐压，频率，开关速度与放大倍数都大大增加，而LED的宽禁带外延用在BJT中不会有此效果，但我想，如果外延层是宽禁带的，即使穿通了，耐压也不会骤降而令BJT崩溃吧？

一个结的元件，当然不能少了LED与光伏电池的份儿， 跟世上既有的可逆线性电器一样，LED跟光伏电池的互易关系，也是电压模式，即是说，发电极性跟馈电极性相同，在发光与光伏器件，都是P正N负， 跟一切气体放电灯一样，LED也是以芯片整体发光的，所以，芯材必须完全透明，光伏电池的光是从芯片里头（PN结）输出的，当然也需要透明才能让光内进， 间接能级半导体也会发光，但发光太弱，需要添加发光中心来增效，但跟直接能级材料相较还是望尘莫及，LED的原理是复合发光，这种复合是强制复合，跟BJT一样，咱们希望载流子的寿命够长，但又跟BJT不一样，咱们希望载流子集中在一处来复合，不要分散及走远， 有某专家就想到，在小于主PN结扩散长度的地方设置「路障」，使载流子都堵在主结区内而复合掉，LED的异质结跟BJT的不一样，并非种两种材料直接成结，而是以宽禁带材料作为窄禁带同质结的限制层，其实应该理解为「宽禁带的外延层」更合适，BJT可以只有一个异质结，但LED的限制层是应该两边都加上的，不加也行，不过发光效率就差多了，光伏电池是LED的逆过程，不过，那个限制层该不会加了吧，加了，载流子出不来，光伏效率岂不更差吗？

只有万用表？！ 容量回来了，内阻就能降下来吗？ 加个瓦数较大的灯泡看看，正常启用，正常使用的电瓶应该是不会一加载就暗掉的吧？

据说，只要知道阁下的电话号码，给你发一条恶意彩信然后删掉，你开机后只看到通知，但手机已被绑架！ 果真如此，阁下若决定购买安卓手机，也许要把hangout冻结，而自带信息软件的彩信功能则设置成不要自动提取。

可控硅家族都是建基于BJT，但各自的具体结构却不一样，根据它们的真实结构描绘其等效电路，你会发觉竟然就像TTL里头的多极BJT。

新一代身份证附有防静电套子。

用互补BJT接成的仿可控硅电路，两个端子都是射极，遗憾的是，通过两个射极的都只是Ib，想引出Ic就要把负载连至集电极， 而在一切四层器件中，射极跟对方的集电极是直接耦合的，双方的Ic都能直通对方的射极，射极原本应有的载流能力不会被架空了，PNPN四层皆尽其用， 不过，事物往往无两全，双稳器件的关断确是个问题，可控硅关不断是因「Ib」过多，分流可以解决此问题，其实，第二射极的作用，就是使BJT转化成可控硅，但我发觉，其实並不需要把整个BJT都转化，只需改一点点就把『PNP』（或『NPN』）控制住，跟可控硅部份联动， Ic大流中本来就只有极小部份起着「Ib」的作用，设立分流机制后，承载可控硅部份所需「Ib」的电流，就只是『BJT』的「Ic」的小分支，关断时需要抽掉的电流自然就小多了， 发射结短路法确会降低『BJT』的β，但由于对过剩流量的疏导，「关断增益」就得以提高，当然，正如楼上提到，此法会使触发所需的功率大增，还有反偏不均甚至加不上的可能，GTO可以不在闸极（NPN部份）施行，IGBT是以场效应驱动的，没这顾忌，但PUT呢，还有像SCS那样的互补对称元件呢，可就逃不掉了，用二氧化硅（芯片中常用的绝缘物）把SCR跟「BJT」隔开，此问题或可解决吧？

有源器件不外增强型及耗尽型两种，截止是增强型的默认状态，你要开通它，就要给它「鼓劲」，而以开通为默认状态的元件，想把它关掉，就要「耗尽」它， 有源器件除jFET外，都是增强型的，增强型跟电压源的性质正好匹配，耗尽型则可直接用于电流源而无需任何预加偏置或驱动，但是，在电压本位的世界里，像可控硅这样的元件只有增强型，没有耗尽型的， 负阻(非可控)元件，耗尽型的亦只有λ二极管一种，而且是小功率的，大概相当于肖克利二极管的层级，也许，人们永远不会考虑以恒流源供电，故耗尽型可控硅的研究就没有必要，但稍事推敲还是没坏处的， 二端子的电子元件，不只二极管一种，但λ二极管的本质，却是货真价实的二极管，jFET是一个PN结，但实际上，一个PN结可以转化成两只jFET（或λ二极管）！ 可控硅加反偏不能关断，耐压的提高也不明显，减低误开通的风险倒是有点帮助，而对于λ二极管，引入电阻分压可提高夹断门限，加反偏则会更快夹断，jFET有双栅极的，偏置与耦合可以分开，控制者跟管子的隔离程度更好，调控更方便 。

有防静电袋的，装在袋里，没有袋子，就用鳄鱼夹把管脚全夹着，这是我这业余爱好者的土办法。

防火与防盗，是对矛盾，防静电跟防触电，在某些时候也会成为矛盾。