倒不至于在低温下呈现感性,指示由于你选用的陶瓷电容可能属于二类陶瓷材料,温度性能不佳,温度越低容量越小,而你选用的电容值相对TI芯片要求的最小电容偏小,在极端情况下就会出现电源电压不稳的情况,尤其是CPU内核的电源,必须接比较大的电容,如果工作温度范围宽,还需要考虑电容的容差,温度特性对电容值的改变等因素.

                                 也来赞扬一下楼主

                                 楼主的好点是个什么标准

                                 版主回答的可真够简洁的

                                 南无阿弥陀佛~~ 我本将心向ST... 看来新型电子工程师们更乐于SOC，但要想 "干大活儿" 的话STM8必须开放总线，除非STM8只想当个小资。。。。。。。。。。。。

学习了。 问题二估计是楼主偶尔操作问题。 rebuild and sysgen  这个独立编译微软代码是没有问题的。 论坛不错。 I love it

谢谢大家帮忙解答 我找到相关文章了 万分感谢

引用 7 楼 galle 的回复: 模拟一个spi通讯，一个用sck，一个输入，一个输出。在sck的下降沿收发数据！

这个听我们同学说过的，两个MCU都用三根线么

应该不行。 打印机 用的墨汁 是专用的。普通碳素墨水 不行的。

PUSH AR0； POP  AR0； 注意： USING X;PUSH 和POP 要使用相同的X ；因为AR0到AR7和Bank有关

CRC效验就可以了,标准的crc算法你可以在网上找到的,应该不是什么问题

引用 3 楼 veabol 的回复: platform.bib格式 PowerButton.dll? ? ? ? ? $(_FLATRELEASEDIR)\PowerButton.dll? ? ? ? ? ? NK? SH 其中SH是表示属性，分别是系统文件和隐藏。

无贡献，接分贴。^_^

usb转串口

想给你加精，可是我没有这个权力。。。只能帮顶了

mark。。我倒是能读出来2440的ID号和Norflash的ID.但是目前还是写不进去vivi。 可能也得换RVDS来弄弄看 不过。。。你怎么是C-M3的核??截图上最后怎么是C-M3??

首先感谢下楼上几位回复！我这问题好难呀！我感觉自己能力有限了！ dwSector=64*2;//从block:2 page:0开始存放eboot dwLength=64*3;//一共6个block;block2-7;96K容量;如果eboot文件大于96K，需要修改该代码 dwRAM=0x30038000;//eboot load Start address;把NAND FLASH内容拷贝到0X30038000 TO  Paul, Chao 大侠！我的是1g08的nand 我cpoy的大小是64*3 我在开发部上时可以copyeboot并成功运行的。我不知道 这里是不是小了？还请明示！

我这两天也在看启动时间的问题，不过，个人觉得BOOT的启动优化效果是有限的。 一般BOOT的启动都会在1S内完成，更多的时间是加载NK和驱动。

每次发送8位，发两次。

PORT=table[state]; 你这里想干嘛 code uchar table[]={0x0a,0x09,0x05,0x06}; 你自己乱整的表

恩，谢谢兄弟们的回答，大概的问题找到了，是C++和C语言混合编程的问题，因为C++和C语言编译的方式不同，重新写了nand.cpp，现在ok了。。。