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版主，要不你试试？
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2010年最后一天的心情就像股票一样郁闷，很相信STM32的，仔细看了最新AN2784文档、勘误表等，没发现说103VC不支持Muxed Mode或有什么Bug,
按照AN2784：5.2 Interfacing the FSMC with a NOR Flash memory所述，至少应该支持NOR吧，于是将设置改为：
/*-- FSMC Configuration ----------------------------------------------------
p.FSMC_AddressSetupTime = 2;
p.FSMC_AddressHoldTime = 2;
p.FSMC_DataSetupTime = 6;
p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
p.FSMC_CLKDivision = 0;
p.FSMC_DataLatency = 0;
p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_B;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Enable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; // 必须要使能
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
/*!< Enable FSMC Bank1_SRAM Bank */
FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE);
在主程序中用下面循环测试：
while (1) {
*(uint16_t *) (0x60001234) = 0x5555;
*(uint16_t *) (0x60005678) = 0xAAAA;
val = *(uint16_t *) (0x60005678);
}
理论上说：在AD[0..15]线上应该出现相应的低16位地址和16位数据的！
用示波器观察，只看到数据线上的数据是正确的，出现在nADV为低时的低16位地址却不是循环测试设置的低16位地址值！！！！！！
亲爱的版主啊，怎么看不到你的身影了！ST的技术支持到哪里去找啊！
只看到你强烈建议用103ZE来驱动SRAM/NOR，却没有说个为什么？？？
难道ST就不认为这是个Bug???
或许是我对设置参数理解不透，但我确实从ST文档上看不明白！！！
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放学回家了……明天试试
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我也是对这个嵌入式比较感兴趣，现在，但是现在搞的人多了。现在的资料很丰富，也没有了难度
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对了 我的邮箱 philip1106@sina.com 谢谢
引用楼主 philip1106 的回复:
microSD的读写命令和SD卡的读写命令应该是一样的对吧,我现在用SPI操作microSD卡有问题
上边是应用的电路
现在如果我上拉MISO 和MOSI的话 读取到的数据都是1 如果不上拉的话,读取到的都是0，现在很郁闷,不知道怎么个情况,是不是卡和坐的接触有问题,可能用的spec有……
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应该看看数据手册
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我们用的是PB哈
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引用 30 楼 veabol 的回复:
你的烧录程序确定是对的吗？是否表面上看程序读写的是15BLOCK，但是由于代码某个地方有误，导致实际上是读写的其它BLOCK呢？
另外，LOADER.H上写的EBOOT 的起始BLOCK是2，BLOCK SIZE是8，那么2..9都应该是EBOOT，你为什么要让LOGO占用呢？虽然目前只到8，但是EBOOT烧录代码上会对SIZE判断的，如果中间出现坏块就会写到9，那你的LOGO也就被清了一部分。……
我的STEPLDR MAIN.C。。。。部分
#define NAND_BLOCK_SIZE_BYTES 0x00020000
#define NAND_PAGE_SIZE_BYTES 0x00000200
#define NAND_PAGES_PER_BLOCK (NAND_BLOCK_SIZE_BYTES / NAND_PAGE_SIZE_BYTES)
// NOTE: we assume that this Steppingstone loader occupies *part* the first (good) NAND flash block. More
// specifically, the loader takes up 4096 bytes (or 8 NAND pages) of the first block. We'll start our image
// copy on the very next page.
#define NAND_COPY_PAGE_OFFSET 2*NAND_PAGES_PER_BLOCK
#define LOAD_ADDRESS_PHYSICAL 0x30038000
#define LOAD_SIZE_BYTES 0x00040000
#define LOAD_SIZE_PAGES (LOAD_SIZE_BYTES / NAND_PAGE_SIZE_BYTES)
// Globals variables.
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PS:这个程序怎么写？
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大于16K？free的只能16k最大好像
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ding
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1. 内存配置对没有
2. usrKernelInit里面会开中断，看中断有无问题，最好用示波器量下中断信号是否一直在产生中断
3. ？
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期待详细答案
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DeviceIoControl所获取的虚拟地址要在应用层用，这是比较麻烦的.
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USB接口全称叫“通用串行总线”
USB通信也是一根线收，一根线发的串行传输模式，为什么要把它和串口并列来讲呢？USB难道不是串口的一种吗？还是说串口约定俗成的就是指COM口，而不是所有的串行传输口的总称？
菜鸟问题，请指教。
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想添加.NET Compact Framework支持，你添加.NET Compact Framework 2.0就OK，后面的跟前面的相比是缺少东西，职业+友情帮顶…
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LZ,说说你的高度环境,如什么模拟器或开发板?
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如果要用xip模式，这个宏IMGMULTIXIP肯定要设置为1.
CE的帮助文档里面有详细说明，可以参考。
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ADS编译是有没有一些警告？看看警告都说了什么。
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ldr r0, =IMAGE_NK_PA_START ; Start address (Physical 0x5010.0000)
ldr r9, =(DRAM_SIZE-IMAGE_NK_OFFSET) ; 127 MB of RAM (1MB + 127MB)
总体功能知道，但是最后几行汇编不是很清楚
ldr r0, =IMAGE_NK_PA_START ; Start address (Physical 0x5010.0000)
ldr r9, =(DRAM_SIZE-IMAGE_NK_OFFSET) ; 127 MB of RAM (1MB + 127MB)
第一句指定了DRAM中OS镜像的起始位置吗，
第二句计算出了总共的DRAM的大小吗
如果我需要在当前基础上扩展DRAM 到 256MB，除了硬件上添加DRAM，在启动代码里怎么修改呢？
stm32/stm8