-
无论使用哪种转换模式 都会产生很大的波动
-
STVP
-
MOSFET的栅极电容比较大，需要注意一下。不要超出30pF的限制。
-
/。。。。。
-
自己对照一下吧：
static __INLINE uint32_t SysTick_Config(uint32_t ticks)
{
if (ticks > SysTick_LOAD_RELOAD_Msk) return (1); /* Reload value impossible */
SysTick->LOAD = (ticks & SysTick_LOAD_RELOAD_Msk) - 1; /* set reload register */
NVIC_SetPriority (SysTick_IRQn, (1<<__NVIC_PRIO_BITS) - 1); /* set Priority for Cortex-M0 System Interrupts */
SysTick->VAL = 0; /* Load the SysTick Counter Value */
SysTick->CTRL = SysTick_CTRL_CLKSOURCE_Msk |
SysTick_CTRL_TICKINT_Msk |
SysTick_CTRL_ENABLE_Msk; /* Enable SysTick IRQ and SysTick Timer */
return (0); /* Function successful */
}
----------------------
static __INLINE void NVIC_SetPriority(IRQn_Type IRQn, uint32_t priority)
{
if(IRQn < 0) {
SCB->SHP[((uint32_t)(IRQn) & 0xF)-4] = ((priority << (8 - __NVIC_PRIO_BITS)) & 0xff); } /* set Priority for Cortex-M3 System Interrupts */
else {
NVIC->IP[(uint32_t)(IRQn)] = ((priority << (8 - __NVIC_PRIO_BITS)) & 0xff); } /* set Priority for device specific Interrupts */
}
-
那可能也比我现在的方式快，另外我可以改下我的的数学模型的，就是数据的排列方式，只要BITBAND能提高矩形位域的数据复制效率，现在的效率当屏大了之后不能忍受
-
直接 halt();
-
看来需求不小嘛，，
-
看到了，就是说函数名必须是固定，当然也可以修改启动文件的向量名。谢谢！
-
大哥 你想跳楼啊
-
没有人顶，估计没人有这个具体的实例了。。顶顶顶。。。。
-
多点是这样的,驱动层往应用层抛多点的坐标,应用层获取到多点的坐标,然后应用层去自定义手势.
Wince不支持多点触摸,这是众所周知的事情,多点触摸完全是软件自定义手势(放大,缩小,旋转等),去实现UI的一些操作.
-
个人认为带的话，就输出高电平，这样可以防止倒灌。。
引用 2 楼 peasant_lee 的回复:
要看GPIO是什么结构，看输出输入方式是什么。
看它接不接负载，不接负载，也就是悬空的话，看它的输入带不带上拉，带的话，就输出低电平，不带，就设为输入都可以。
假如带负载，那要连同负载那边一起考虑，究竟选择输入，还是输出低或高。。。。。
具体的看，你的datasheet，看它的GPIO是怎么的结构。
-
一般GPIO只要不要造成局部短路，功耗应该不成问题的，另外核压和IO电压是不一样的，你用稳压源测下不就知道各种情况各处的功耗了？
-
C8051F040自带can的单片机，51内核，上手比较容易
-
整体非常好，功能比protel好多了
-
自己多去研究探索，再找个比较资深的老师，同学谈论谈论~~
-
问题已解决，需要在休眠前把SDRAM设为自刷新模式，唤醒时关闭功耗模式即可，在此特感谢百特张工。
-
现在的光伏电池的效率还是太低啊，不然价格很快就下来了，做下游的也多了
-
CPU接口的屏没听过,只调过RGB 和MCU接口的.改动不大
stm32/stm8