-
去过几次,摸不着北。
-
终于懂了,谢谢!
-
lm317目录[隐藏]
名词解释
实际应用
lm317是可调节3端正电压稳压器,在输出电压范围1.2伏到37伏时能够提供超过1.5安的电流,此稳压器非常易于使用。
实际应用
LM317作为输出电压可变的集成三端稳压块,是一种使用方便、应用广泛的集成稳压块。317系列稳压块的型号很多:例如LM317HVH、W317L等。电子爱好者经常用317稳压块制作输出电压可变的稳压电源。
稳压电源的输出电压可用下式计算,Vo=1.25(1+R2/R1)。仅仅从公式本身看,R1、R2的电阻值可以随意设定。然而作为稳压电源的输出电压计算公式,R1和R2的阻值是不能随意设定的。 首先317稳压块的输出电压变化范围是Vo=1.25V—37V(高输出电压的317稳压块如LM317HVA、LM317HVK等,其输出电压变化范围是Vo=1.25V—45V),所以R2/R1的比值范围只能是0—28.6。
其次是317稳压块都有一个最小稳定工作电流,有的资料称为最小输出电流,也有的资料称为最小泄放电流。最小稳定工作电流的值一般为1.5mA。由于317稳压块的生产厂家不同、型号不同,其最小稳定工作电流也不相同,但一般不大于5mA。当317稳压块的输出电流小于其最小稳定工作电流时,317稳压块就不能正常工作。当317稳压块的输出电流大于其最小稳定工作电流时,317稳压块就可以输出稳定的直流电压。如果用317稳压块制作稳压电源时(如图所示),没有注意317稳压块的最小稳定工作电流,那么你制作的稳压电源可能会出现下述不正常现象:稳压电源输出的有载电压和空载电压差别较大。
在应用中,为了电路的稳定工作,在一般情况下,还需要接二极管作为保护电路,防止电路中的电容放电时的高压把317烧坏。
-
接。。。。。。。。。。。。。。。
-
第一个:
switch(P2&0x0F)
第二个:
switch(P2&0xF0)
-
1。校验完成后,在注册表编辑器中打开[HKEY_LOCAL_MACHINE\Hardware\DeviceMap\Touch]键,就可以看到触摸屏的校验数值。
2。然后将上面的值添加到:
[HKEY_LOCAL_MACHINE\Hardware\DeviceMap\Touch]
"CalibrationData"="1484,1168 584,536 568,1820 2356,1812 2356,488"
这样就可以开机不用校屏了。
-
使用输出比较模式做定时,使用输入捕获模式做捕获,不会对捕获的精度有影响。
-
谢谢楼上的,
有没有人在自己产品(wince,嵌入式的)用c#开发界面及其一些功能,当然了,除了驱动外,
-
4# IJK 修改了,但是似乎没反应,我现在设置了一个LED,主程序中点亮和熄灭,我测试系统时钟,居然我可以倍频到9倍,而且似乎系统还很稳定;看来似乎确实是外部时钟没用上,在仔细研究一下。 ...
的确外部时钟没用上,我一般这样用PLL+HSE(STM32F103),供参考:
// Enable HSE (High Speed External Oscillation)
RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
// Wait till HSE is ready - HSE_RDY @ bit 17
while((RCC->CR & (1<<17)) == 0)
;
RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_3);
// Enable PLL
RCC_PLLCmd(ENABLE);
// Wait till PLL is ready - PLL_RDY @ bit 25
while((RCC->CR & (1<<25)) == 0)
;
// Select PLL as system clock source
RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);
// Wait till PLL is used as system clock source
while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08)
;
-
《Verilog数字系统设计教程》北航的,夏宇闻,我用的这本,觉得不错
-
应该有一个总的电源接口。
-
没有拉伸, 只是裁剪了, 源图片 有一部分被扔掉了, 目标图片中 边框区域变成黑色
-
我也试试 顺便问一下 怎么查看自己的可用分和下载分?
-
然到没人用过电调~~好吧!结账了。。。
-
大师级人物阿!
呵呵学习了
tffs中有些算法可以尽量使每一bit均衡的被使用。
-
检查一下外部中断控制寄存器,默认配置是下降沿和低电平有效。
此外确认一下中断向量地址,避免是其他的中断误入
-
你能上CMKI吗? 上面有很对讲解NAND FLASH的论文,都详细讲解了坏块处理相关理论与具体实现方法。
也许对你很有帮助。
http://blog.ednchina.com/supermcu/27455/message.aspx
http://article.ednchina.com/Other/20090325085611.htm
-
引用 18 楼 veabol 的回复:
........
不要改release下的注册表,改BSP下边的。
改release下的注册表会自动被BSP下的替换的,你再查看一下那个注册表,可能已经变回去了。
没有变回去,我这么做是为了能够多试几次,不然每次修改BSP下的,都要rebuild下,很费时间的。。。。
我rebuild下试试
-
可以用VxWorks中的semMCreate、semTake、semGive等接口来创建互斥锁呀
-
引用 7 楼 pjl5465358 的回复:
SMDK2450 DOC目录下中的一份文档,也只提到SD和MLC NAND Flash当U盘;
请有过SLC Flash当U盘成功的人士解答!
和cpu及flash类型无关
确认一个问题:我看你的注册表,你使用的不是samsung的flash driver(whimory)方案吧?