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这本书真的不错，推荐各位看一下
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估计楼主的需求量很大
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还有那个EP_NUM 是你用了几个EP不是你用到了第几个EP吧。
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XMP/MC应该接GND,结果接到V3.3了！
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没有人遇到过这种情况啊，单纯的加电容行吗
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那楼主打算如何接SDRAM，或者改方案？
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可能是你的使用方法错误。
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直接用JLINK烧写IAP 和APP，上电APP能直接运行
仿真时可以看到程序先进IAP，再跳转到APP。
如果进入IAP后按键，进行程序升级的时候，用YMODE协议烧写HEX或AXF，烧写完成后，再重新上电，不能正确引导
仿真时发现
/* Test if user code is programmed starting from address "ApplicationAddress" */
if (((*(__IO uint32_t*)ApplicationAddress) & 0x2FFE0000 ) == 0x20000000)
{ /* Jump to user application */
JumpAddress = *(__IO uint32_t*) (ApplicationAddress + 4);
Jump_To_Application = (pFunction) JumpAddress;
/* Initialize user application's Stack Pointer */
__set_MSP(*(__IO uint32_t*) ApplicationAddress);
Jump_To_Application();
}
括号内的内容不执行。
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程序太长没看，但感觉是HSE启动没有成功。
建议先改回HSI，如果成功了，说明是HSE的问题。
如果是HSE的问题，建议检查晶振的电容。
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没必要用那么复杂的复位芯片
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是EOP位，这一位烧写完成后由硬件置1，读取FLASH_IAPSR之后清为0。
不要用调试环境去读寄存器，在程序中去读取并判断。
*((u8*)(0x4000)) = 0xAA;
while(!(FLASH_IAPSR & 0x04));
/* 下一步操作 */
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楼上，呵呵
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几点看法，供参考：1）如果可以外接TCXO，问题肯定可以解决，但成本上需要考虑。TCXO是内部有温度补偿电路的晶振电路，价格比较贵，大概几个美金。曾经用过一款MAXIM的TCXO，印象是在0～70度的误差是1分钟/年，在-20～85度的误差是2分钟/年。2）不使用TCXO，而完全用STM32的温度传感器，来大致进行温度补偿，精度肯定也可以提高。可以参考上面32k晶振的典型温度曲线，进行温度补偿后，精度估计能提供3～10倍。
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主要是前端的采样率有点高,而且我需要用来处理的数据长度较大!
所以需要考虑用SDRAM!
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这里的BZ就是EDN里的STM32？问问题是就要会钻空子，不然没人回答啊不知道是什么编译器会把这2个变量优化，我想测试一下如果为了防止被优化，我相信有更好的办法，而不是多占用全局RAM我已经改为函数内部变量，在IAR5.11和Codesourcery的GCC上都没有问题(查一下，没有被优化)可能RCC_WaitForHSEStartUp函数确实不会多次调用，但至少我不喜欢函数设计成这个样子，没有特殊情况，函数还是可重用的好
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含标志等的数据，进行位操作，如果编译器够好的话，应该能产生相关的bitband指令吧。有空研究一下。
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引用:
用的多少版本的IAR？
IAR 的版本是3.30
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抽中了iar 256k限制版，价值6500rmb,还不错。
stm32/stm8