1>Vin + Vo即输入电压加上输出电压 2>电容两端电压极性会发生突变，电容会损坏，导致电路异常 3>  

2>开关管会发热烧毁，而且电路不能正常工作；得不到能量补充，电路无法正常工作。

hujj 发表于 2020-8-28 08:43 二极管的反向恢复时损耗是无法避免，但我认为，每次恢复时间是确实的，频率越高，单位时间内恢复的次数就 ...

是的，在反向恢复时间小于开关周期时，开关频率越高，二极管恢复次数越多，损耗越大，有道理，谢谢解惑。

hujj 发表于 2020-8-26 16:07 功率开关管的关断损耗和导通损耗与频率无关，因此1、2两项与开关频率无关； 功率开关管的开关损耗与频率 ...

二极管反向恢复时间小于开关周期，不然不就是第二个任务中出现的Q或D烧坏吗？电路要正常工作，必然在Q导通时，二极管要恢复正常，否则二极管反向电流过大烧坏Q或二极管，个人感觉，不管开关频率高低，二极管反向恢复时损耗这个情况无法避免，不过不同的二极管损耗不同，可以选择阻抗小的。心中存在疑问，望指导，谢谢！

我的学号 发表于 2020-8-26 20:46 1.开关管关断损耗，应该指开关管关断时的静态损耗，这个明显和开关频率无关； 2.导通损耗只在导通时起作用 ...

容抗以及感抗跟频率有关吧，而且开关损耗与关断和导通损耗有什么区别？望指导！谢谢！

与开关频率有关的是：开关损耗、电感损耗、电容损耗；无关的是：续流二极管正向导通以及反向恢复损耗

本帖最后由 可欣 于 2020-8-21 08:39 编辑 1>Q1关断，D1作为续流二极管，组成回路，回路中的电流就是流过二极管D1中的电流；Q1导通瞬间，D1截止，由于之前经过负载消耗，此时新的回路中电流最小是I1(D1截止瞬间的电流)，又由于电感L0中的电流I1不能突变，L0的感抗会阻止新回路中的电流增大(此处Vdc给L0、C0充电，回路中电流不会减小)，所以此时流过Q1中的电流就是I1 2>图跟f的大致趋势一样，最低电压V1，最高电压V2，在Q1关断时，有没有一段平台，负载的能量先有L电感提供，这段时间电容电压不变，之后再由电感和电容一起为负载供电？而且为了方便表示，上升以及下降都是线性的，但实际中应该是按某一近视传递函数非线性上升以及下降 3>D1开路时，负载能量由电容C0提供，电感L中存储的能量不会释放，效率低。当电感中的能量达到最大时，其对电路而言会有什么影响？对电感本身有何影响？；当D1短路时，Q1导通后电路中存在两个回路，Q1回路以及L0、C0回路，电路不会为电感L0以及电容C0充电，L0以及C0中的能量会全部释放掉，负载无法正常工作 4>Q1突然导通，D1在反向恢复时间trr内，回路中的电流有相当一部分通过D1漏掉，L0和C0得不到足够的能量，效率降低，影响负载正常工作。而且若开关周期T(Q1有效导通时间Ton)小于二极管反向恢复时间trr，负载根本就无发工作 5>存在即DCM模式

刚复习了一下模电，同相输入端表示：输出端极性与同相输入端极性一样；反向输入端表示：输出端与反向输入端极性相反；书中说了是负反馈，当然是输入增大，输出减小。同相输入还是反向输入只与输出端极性有关，跟输出端数值大小没关，正负反馈和输出端数值大小以及输入端数值(两个输入端的差值)有关 同相输入端、反相输入端、正负反馈概念感觉楼主混淆了。

本帖最后由 可欣 于 2020-8-5 08:07 编辑 1>图1.1(a)中整流后的直流中含有较大的交流分量，需要容值较大的电容来滤除交流分量(容抗Rc = 1/2πfc，此处f很小，忽略其感抗因素)，一般电解电容(价格，容值)居多，图中未标明正负极，而且接法也有问题，电容一端接二极管阴极，另一端接地。图1.1(b)中Vdc含有纹波，经过晶体管后的Vo纹波消失了！！很难做到没有纹波，推测应是Vo的波峰电压与Vdc的波谷电压差大于或等于2.5V 2>数码管1段10ma电流算，8位就是560ma(7段)，加上单片机以及串口电路电流暂且为600ma，7805最大能够提供1.5A的电流，P(总)=24*0.6=14.4W，有用功率P1=5*0.6=3W，无用功率P2=14.4-3=11.4W，P2都消耗在了7805上面，产生很大热量，散热是一个大问题，7805内部有过热保护，散热不好电路无法正常工作，效率大概η=3/14.4=20.8%，此系统功耗太大，设计电路时就应该综合考虑好系统功耗问题，不可取

多谢大佬指导！

本科学习过数电、模电、电路，现在从事开关电源工作，想向优秀的人学习，所以我想参加

请问学长qq号码，新人不会啊