seanew

    1. vxWorks 6.8、vxWorks 6.9 19/29369 实时操作系统RTOS 2015-03-27
      有安装包么?
    2. gggggg
    3. 原帖由 gooogleman 于 2013-11-27 23:23 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=1596611&ptid=419771][/url] 先把薄码开关拨到MMC2启动,即OM[5:1] 为b'00010,把启动TF卡插入MMC2,上电启动,进入uboot命令行模式后执行命令: mmc erase boot 0 0 1024 即可擦除uboot分区最前面的引导部分。注意,不要此时烧写uboot,此时 ...
      从TF启动,就是mmc erase boot 1 0 0, 从eMMC启动,mmc erase boot 0 0 0 , 不用那个1024. 它最终调用mmc_erase的 [ 本帖最后由 seanew 于 2013-11-28 16:18 编辑 ]
    4. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-28
      关于eMMC,我听人说,要在初始化时,设置一个结构,里面有一成员是控制是否是热插拔设备,我找了很久,看了4412datasheet,都没有见着,而且这个成员即使有,也应该是CPU侧的寄存器来控制.因为这个Xmmc0CDn就是被cpu来操作,是当检测pin还是当GPIO控制的.三星文档上指示这个pin是检测屏,但参考图中却是当作电源使能的GPIO来用的.资料太少,搞不清这个pin,我想不会是在HOST显式地去改变这个PIN定义吧.
    5. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-28
      可以支持,我现在已经能够从iNand启动kernel了.
    6. 原帖由 gooogleman 于 2013-11-27 22:40 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=1596570&ptid=419771][/url] 晚上搞定这个事情先。 iNand启动时候 SKD4X12 # mmc list S5P_MSHC4: 0 S3C_HSMMC2: 1 SKD4X12 # 不关机切换成 SD/TF MM2 启动的时候一样 SKD4X12 # mmc list S5P_MSHC4: 0 S3C_HSMMC2: 1 SKD4X12 # ...
      为什么变? 我前面已经给出代码分析了.可以看看.
    7. 原帖由 gooogleman 于 2013-11-27 23:23 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=1596611&ptid=419771][/url] 先把薄码开关拨到MMC2启动,即OM[5:1] 为b'00010,把启动TF卡插入MMC2,上电启动,进入uboot命令行模式后执行命令: mmc erase boot 0 0 10240 即可擦除uboot分区最前面的引导部分。注意,不要此时烧写uboot,此时 ...
      呵呵,所以我说你们的烧写文档有问题,你们还否认.在给客户设计前自己一定要明白原理,这是最起码的,因为迟早会出问题的......
    8. 原帖由 Wince.Android 于 2013-11-27 15:04 发表 [url=https://bbs.eeworld.com.cn/redirect.php?goto=findpost&pid=1596246&ptid=419771][/url] int emmc_boot_open(struct mmc *mmc) {         int err;         struct mmc_cmd cmd;         /* Boot ack enable, boot partition enable , boot partition access */         cmd.cmdidx = MMC_CMD_SWITCH;         cmd.resp_type = MMC_RS ...
      是的,我现在就是这样的,每次烧写完后,TF卡必须重新烧卡.我认为,这个烧写方式一定是有问题的.三星没有这么混的.
    9. 就当是4412留给开发者的"NVRAM"用的就好啦.原来我的烧写文档是你写的啊,这里面是很奇怪,不带电切换烧写模式,这个才让人摸不着头脑的步骤. 切换开关只是在最后烧写完才用的的步骤,结果被用在下载img时使用,不对的地方........
    10. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-27
      换作15pf,33pf,200pf问题依旧.不加它也是这样. 查了一下,发现是4412的Xmmc0CDn信号并不是一直高,导致iNand电压不稳定,所以访问失败.直接用GPIO控制拉高,就能访问了.  但问题是,这个Xmmc0CDn是个检测pin,为何用它来控制iNand电源,另外,这个信号为何不一直高,以给iNand供电?参考电路上也是这样设计的. 
    11. 希望这个帖子可以帮助你. http://www.denx.de/wiki/DULG/Sou ... rgetHasEABIVersion0
    12. !INF_REG3_REG == 7 这个值正是Sate4412 开发板TF 小卡启动的配置,这里判断到是TF 小卡启动,那么就关闭了emmc? 不对吧? #define BOOT_EMMC_4_4 7 /* eMMC 4.4 BOOT */         cmp        r2, #0x8         moveq        r3, #BOOT_EMMC_4_4         cmp        r2, #0x28         moveq        r3, #BOOT_EMMC_4_4 从eMMC启动的时候,才会向r3写入7, 然后INF_REG3_REG的值才会是7.
    13. 我也发现这个问题很奇怪.不知我用的烧写文档是否来自你手?  OM开机就已经定了, 这个INF_REG3_REG 只是被系统用来存放OM设置值而已.请看lowlevel_init.S中的read_om函数,          ldr        r0, =S5PV310_POWER_BASE         ldr        r1, [r0,#OMR_OFFSET]         bic        r2, r1, #0xffffffc1 这个就是读取OM设置pin状态,并写入r2.         /* SD/MMC BOOT */         cmp     r2, #0x4         moveq   r3, #BOOT_MMCSD         /* eMMC BOOT */         cmp        r2, #0x6         moveq        r3, #BOOT_EMMC         /* eMMC 4.4 BOOT */         cmp        r2, #0x8         moveq        r3, #BOOT_EMMC_4_4         cmp        r2, #0x28         moveq        r3, #BOOT_EMMC_4_4 上面就是根据r2值,记入相应的启动方式到r3         ldr        r0, =INF_REG_BASE         str        r3, [r0, #INF_REG3_OFFSET]         mov        pc, lr 上面就是将存放在r3中的OM设置值存入INF_REG3_REG.
    14. kernel启动失败 3/7970 嵌入式系统 2013-11-27
      uboot运行稳定,但内核中的内存在哪配置啊?我是内核解压完,Uncompressing Linux... done, booting the kernel.之后就重启,每次都这样,然然后打开low level debug宏,发现每次都是上面那个异常.导致启动失败.我通过高低MPLL频率,配置了uboot内存,内存才跑起来, 但kernel这块内存还要配置什么?没有做过配置.下面是它自己检测出来的. Memory: 2047MB = 2047MB total Memory: 1697420k/1697420k available, 398708k reserved, 1342464K highmem Virtual kernel memory layout:     vector  : 0xffff0000 - 0xffff1000   (   4 kB)     fixmap  : 0xfff00000 - 0xfffe0000   ( 896 kB)     DMA     : 0xfea00000 - 0xffe00000   (  20 MB)     vmalloc : 0xee800000 - 0xf6000000   ( 120 MB)     lowmem  : 0xc0000000 - 0xee000000   ( 736 MB)     pkmap   : 0xbfe00000 - 0xc0000000   (   2 MB)     modules : 0xbf000000 - 0xbfe00000   (  14 MB)       .init : 0xc0008000 - 0xc0037000   ( 188 kB)       .text : 0xc0037000 - 0xc05d0000   (5732 kB)       .data : 0xc05d0000 - 0xc061dec0   ( 312 kB)        .bss : 0xc061dee4 - 0xc0755e60   (1248 kB)
    15. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-18
      这个iNand支持dual voltage, 2.7~3.6V, 1.6~1.95V, 目前我们接的是VCC是3.3V,VCCQ也是3.3V,但始终1000次返回0ff8080,cmd1一直busy.现在改成VCCQ为1.8V,出来了如下错误: CMD[1] ARG:40ff8000 [ERROR] response timeout error : 00000104 cmd 1 看代码是如下问题:         if (mask & INTMSK_RTO) {                 if (((cmd->cmdidx == 8 || cmd->cmdidx == 41 || cmd->cmdidx == 55)) == 0) {                         printf("[ERROR] response timeout error : %08x cmd %d\n",                         mask, cmd->cmdidx);                 }                         return TIMEOUT;         } 不解啊??????
    16. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-15
      接了200pf旁路电容后,仍然超时.还有别的什么原因吗?
    17. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-15
      多谢. 我们硬件板上的时钟就是从CPU出来后,通过一个22ohm的电阻直接连接在iNand的时钟线上了,没有连电容,看到参考电路上有,哎.请问这个电容是起什么作用的? 另外,参考板上接的是一个15PF电容,cmd8也是超时的,cmd1也要执行十遍左右,才开始执行cmd2. 或许参考板上的也有点小了? 
    18. iNand timeouts 15/4732 嵌入式系统 2013-11-15
      时钟线上只有一个22ohm的电阻,没有接电容. 刚才看了一下,发现从发第一个cmd0开始,就超时.从网上了解,说是在发命令前要有74clk的时钟等待MMC内部初始化好,看代码是延时1000us应该差不多了.不知是哪里做的不对.
    19. S5pv210 时钟APLL,VPLL,EPLL分析 2/16732 嵌入式系统 2013-11-12
      真不错,有没有针对4412的时钟配置帖子啊?
    20. 嗯,感觉还要做个应用开启才行。研究中……

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